ＣＯ雷射的穩頻用４．３μｍ飽和吸收螢光法可達１０之穩定度，優於蘭姆凹
陷頻法（１０），而此法之參考訊號乃是４．３μｍ飽和吸收螢光。因此，本文
將以４．３um螢光為對象，來探討影響螢光訊號強度之幾個因素：光捕捉效應（phot
on trapping ）、器壁釋激發效應（wall de-excitatoin）、材料反射率、大氣吸收
等。並且製作了二個縱向式飽和吸收器（包括光導管、錐形集光器兩個主個元件），
以與一傳統之橫向式飽和吸收器來做螢光訊號強度之研究及比較。同時，也利用簡單
之計算，分別對橫向及縱向式螢光訊號強度做了個估算。
實驗的結果及估算均顯示了縱向式飽和吸收器與橫向式飽和吸收器之螢光訊號為同一
個數量級，對於我們所設計的縱向式吸收器（光導管長１０cm，半徑０．５cm；錐形
集光器長５cm），其螢光訊號略大於傳統橫向式者。不過，藉著對光導管長度、半徑
之選擇，可分別減少光捕捉效應及器壁釋激發效應對訊號之影響，較佳的選擇是光導
管長度介於５與１０cm之間，半徑介於０．５與１．０cm之間。而將銅質的吸收器鍍
金，亦可減少村料反射率對螢光之衰減。錐形集光器抽真空則可大大減少大氣對４．
３μｍ螢光之吸收。
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