以電漿化學沈積非晶矽做為砷化鎵的保護膜在本文中研究。AES 和電性的測量用來評
估冶金接面的穩定性和砷化鎵雜質植入層的活化率。
非晶矽與砷化鎵的接面經過攝氏８５０度的熱處理後顯現出好的熱穩定性，砷化鎵雜
質植入層以非晶矽做為保護膜，經過退火後顯現出好的活化率（大約百分之九十）。
半絕緣性砷化鎵經過攝氏９００度３０分的熱處理後，轉變成電洞型導電性。造成這
現象的原因是，由於接面的應力太大，使得薄膜產生針孔，鎵和砷經由針孔擴散出去
而造成鎵和砷的空隙，這些空隙擴散進入基底而與矽餘雜質或外來污染的雜質作用，
因此造成的結果。
|