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研究生:陳文健
研究生(外文):Wen Chien Chen
論文名稱:奈米級X光光學繞射元件
論文名稱(外文):Nanometer-Scale X-Ray Optical Diffraction Device
指導教授:周學韜許鉦宗
指導教授(外文):Hsueh Tao ChouJeng Tzong Sheu
學位類別:碩士
校院名稱:國立雲林科技大學
系所名稱:電子與資訊工程研究所碩士班
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2002
畢業學年度:90
語文別:中文
論文頁數:125
中文關鍵詞:繞射光學元件光柵波帶片X光光學元件掃描試探針微影術電子數直寫
外文關鍵詞:Optical Diffraction DeviceGratingZone PlateX-ray OpticsScanning Probe Lithography (SPL)E-Beam Direct Writing
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隨著元件尺寸的縮小,微影技術扮演著相當關鍵的角色,目前最熱門的便是奈米技術(Nanometer Technology)。本研究有兩個主題,一是利用奈米技術中的掃瞄式探針微影術(Scanning Probe Lithography),在原子力顯微鏡(Atomic Force Microscopy)的探針加上一負偏壓,探針的針尖直徑約10nm,加上負偏壓後會產生相當大的電場,用來解離空氣中的水分子,此時H+會向針尖的負電場移動,O-會因同性相斥的關係會與Si形成鍵結,形成SiOx,氧化層形成後可作為遮罩層,經過蝕刻後,製造出奈米級的繞射光柵以供軟X光使用;本研究中除了在Si上氧化,另在一層約5nm的Si3N4上進行氧化,並將氧化層剝除,使用Si3N4作為遮罩層進行蝕刻;在蝕刻過程中,由於濕式蝕刻會造成光柵粗糙度高達8.802nm,將嚴重影響光柵的繞設效率,所以改採乾式蝕刻的方式來把粗操度降低到1.718nm,以提高光柵繞射效率,目前本論文已經成功製作出間距約100nm的光柵。
另外,在生物科技的領域中,微小的生物樣本必須用電子顯微鏡(Electron Microscopy)才能分析,但是必須把生物樣本做導電處理,且含水的生物樣本也無法直接觀察。目前只有X光光學顯微鏡(X-Ray Microscopy)才可滿足觀察活的、含水的生物樣本,而X光光學顯微鏡主要的解析能力,目前受限於一個主要聚焦元件---波帶片(Fresnel Zone Plate),波帶片是利用繞射的圖案是X光做聚焦的效果,本研究利用電子束直寫(E-Beam Direct Write)的方式,來製造出奈米級的波帶片,在此研究中,是採用金屬濺鍍的方式將200nm 的金與150nm的鎳成長在約150nm的氮化矽薄膜上,最後採用舉離(Lift-off)的方式去除不必要的金屬,本研究已成功製造出波帶外圈寬度達100nm,X光的光學解晰度達122nm的波帶片。

The grating and zone plate of x-ray optics, were fabricated using scanning probe lithography (SPL) and e-beam direct writing respectively. We have demonstrated nanostructures of x-ray grating device with scanning probe lithography technique. Grating structures were generated by atomic force microscopy (AFM) with biased tip which transfer ultrathin Si3N4 which thickness is about 5nm into SiOx on (100) oriented Si wafer and then followed by dry etching. A zone plate has been fabricated by e-beam direct writing. The zone plate, a diameter of 200μm, consisted of an Au central stop and concentric rings of Ni. The thickness of Au layer was 200 nm, and thickness of Ni layers was 150 nm for the sake of focusing efficiency. The zone plate was designed for soft x-ray with wavelength of 1.77 nm. Currently the outermost zone width of 100 nm can be fabricated successfully.

目錄 頁數
中文摘要 …………………………………………………………………… i
英文摘要 …………………………………………………………………… ii
誌謝 …………………………………………………………………… iii
目錄 …………………………………………………………………… iv
表目錄 …………………………………………………………………… vi
圖目錄 …………………………………………………………………… vii
第一章 緒論……………………………………………………………… 1
第二章 X光光學元件……………………………………………………. 5
2.1 X光與物質間的相互作用………………………………………. 5
2.2 X光的折射與吸收………………………………………………. 6
2.3 反射式光學元件………………………………………………… 7
2.3.1 掠入射反射鏡…………………………………………………… 7
2.3.2 多層膜反射鏡…………………………………………………… 8
2.4 繞射式光學元件………………………………………………… 9
2.4.1 繞射光柵………………………………………………………… 9
2.4.2 波帶片…………………………………………………………… 11
2.4.2.1 菲涅耳波帶片…………………………………………………… 11
2.4.2.1.1 分辨率…………………………………………………………… 12
2.4.2.1.2 波帶片之效率…………………………………………………… 12
2.4.2.2 相位型波帶片…………………………………………………… 12
2.4.2.3 中心擋環的效用………………………………………………… 13
2.4.2.4 集光型菲涅耳波帶片………………………………………… 15
2.5 掃瞄探針微影術……………………………………………… 18
2.6 晶面相依濕式化學蝕刻法…………………………………… 21
第三章 X光光學元件特性模擬與設計.……………………………… 23
3.1 反射式繞射光柵………………………………………………… 23
3.2 波帶片…………………………………………………………… 28
3.2.1 相位型波帶片 28
3.2.2 集光型菲涅耳波帶片………………………………………… 32
第四章 實驗……………………………………………………………… 37
4.1 實驗裝置……………………………………………………… 37
4.1.1 原子力顯微鏡………………………………………………… 37
4.1.2 電子束直寫微影系統………………………………………… 42
4.2 繞射光柵製作…………………………………………… 47
4.2.1
以SPL技術加上晶向蝕刻術(orientation-dependent etching, ODE) 製作光柵……………………………………………….
48
4.2.2 以SPL技術加上乾式蝕刻製作光柵………………………… 54
4.2.3 以SPL技術加上乾式蝕刻在氮化矽薄膜上製作光柵……… 60
4.3 波帶片製作……………………………………………………… 76
第五章 結論與未來工作………………………………………………… 105
參考文獻 …………………………………………………………………… 107
附錄 …………………………………………………………………… 111
表目錄
頁數
表3-1 不同波長與入射角相對應之材料反射率…………………………... 24
表3-2 相位型波帶片的規格………………………………………………... 31
表3-3 四階集光型菲涅耳波帶片的效率………………………………..… 36
表3-4 四階集光型菲涅耳波帶片的厚度…………………………………... 36
表3-5 四階集光型菲涅耳波帶片的規格…………………………………... 36
表4-1 探針的施加偏壓由-5V到-10V,場效-感應氧化層的高寬比(aspect ratio)與氮原子與氧原子的轉換率(conversion ratio)………………..
62
表4-2 探針的掃瞄速度由0.1m/s∼10m/s,場效-感應氧化層的高寬比(aspect ratio)與氮原子與氧原子的轉換率(conversion ratio)……….
70
表4-3 探針-試片表面的施加力由0.1nN加到100nN,場效-感應氧化層的高寬比(aspect ratio)與氮原子與氧原子的轉換率(conversion ratio)…………………………………………………………………..
70
表4-4 製作光柵時,掃描式探針微影術的最佳參數………………………. 70
表4-5 不同的蝕刻處理下,試片表面所產生的粗糙度…………………… 75
圖目錄
頁數
圖1-1 X光能量對於不同元素的穿透距離………………………………... 2
圖1-2 人體紅血球細胞…………………….……………………………….. 2
圖1-3 波帶片結構圖………………………………………………………... 3
圖1-4 穿透式X光顯微鏡(TXMs)成像機制………………………………. 3
圖1-5 掃瞄式穿透X光顯微鏡(STXMs)成像機制………………………… 3
圖1-6 (a)反射式光柵之幾何圖示 (b)穿透式光柵之幾何圖示….………... 4
圖2-1 反射式光柵之形式。(a)非遮罩式光柵,(b)部分遮罩式光柵及(c)完全遮罩式光柵……………………………………………………...
10
圖2-2 利用中心擋環及軸孔徑阻障零級次及高級次的繞射光波………... 13
圖2-3 四階集光型菲涅耳波帶片…………………………………………... 15
圖2-4 四階集光型菲涅耳波帶片表示式的標示圖………………………... 16
圖2-5 利用AFM探針形成局部氧化的電化學反應…………………………. 18
圖2-6 AFM探針與試片距離所形成的電場………………………………. 19
圖2-7 氧化物形成步驟……………………………………………………… 20
圖2-8 濕式化學蝕刻法的基本反應機制…………………………………... 21
圖2-9 方向相依非等向式化學濕式蝕刻(a)<100>方向矽蝕刻後所形成之圖案(b)<110>方向矽蝕刻後所形成之圖案……………………...
22
圖3-1 反射式繞射光柵之完全遮罩形式…………………………………... 23
圖3-2 當入射波長為13.42nm與入射角為8時,光柵結構中凹谷高度與第一級次繞射效率的關係圖…………………………………….…..
25
圖3-3 當入射波長為13.42nm時,不同入射角度對應到不同光柵線寬的關係圖………………………………………………...………………
27
圖3-4 當入射波長為13.42nm與光柵結構中凹谷的高度為96nm時,不同入射角與第一級次繞射效率的關係圖…………………………...
27
圖3-5 當入射光能量為700eV時,各種波帶材料的厚度與第一級次繞射效率的關係圖………………………………………………………...
29
圖3-6 各種波帶材料形成相位移動p時的厚度與不同入射光能量的關係圖…………………………………………………………………...
29
圖3-7 各種波帶材料形成相位移動p時的第一級次繞射效率與不同入射光能量的關係圖…………………………………………………...
30
圖3-8 以Ni為波帶材料,波帶厚度為形成p相位移的厚度,在不同入射光能量時,阻障比與第一級次繞射效率的關係圖………………
30
圖3-9 阻障比為0.47,不同波帶材料與波帶厚度為形成p相位移的厚度,在不同入射光能量時與第一級次繞射效率的關係圖…………
31
圖3-10 理想集光型菲涅耳波帶片的階數與第一級次繞射效率的關係圖... 34
圖3-11 當入射光能量為8keV時,集光型菲涅耳波帶片的階數與第一級次繞射效率的關係圖………………………………………………...
34
圖3-12 當入射光能量為20keV時,集光型菲涅耳波帶片的階數與第一級次繞射效率的關係圖………………………………………………...
35
圖3-13 四階集光型菲涅耳波帶片下,入射光能量與第一級次繞射效率關係圖…………………………………………………………………...
35
圖4-1 原子力顯微鏡(AFM)的探針SEM圖……………………………. 37
圖4-2 原子與原子間的凡得瓦爾力與距離的特性曲線…………………... 38
圖4-3 原子力顯微鏡(AFM)的簡略示意圖……………………………… 39
圖4-4 Auto Probe M5機型原子力顯微鏡系統圖………………………….. 40
圖4-5 Leica Weprint200電子束微影系統…………………………………. 43
圖4-6
(a) 為上廣域標記示意圖 (b)為下廣域標記示意圖,尺寸大小同上廣域標記 (c)為元件標記示意圖………………………………
44
圖4-7 (a)元件佈局圖。元件標記分佈於四個角落,內部區域為元件設計繪製區與元件標記屬不同層級 (b)左下方的元件標記。將左下角點坐標設為(0,0),右側100*200m矩形為P-10深度掃瞄儀的測試區塊 (c) 右上方的元件標記。………………………………………
45
圖4-8 晶粒於6吋晶片上的分布,並標示零層標記的位置。晶粒尺寸為14000m的正方形,間距為18000m,為5*5的陣列分布………
46
圖4-9 掃瞄式探針微影技術之機制………………………………………... 47
圖4-10 (110)-oriented矽晶片切割示意圖…………………………………... 48
圖4-11 固定探針掃瞄速度與探針-試片表面施加力時,場效-感應氧化層高度與探針施加偏壓的關係圖……………………………………...
49
圖4-12 固定探針施加偏壓與探針-試片表面施加力時,場效-感應氧化層高度與探針掃瞄速度的關係圖……………………………………...
50
圖4-13 固定探針施加偏壓與探針掃瞄速度時,場效-感應氧化層高度與探針-試片表面施加力的關係圖…………………………………….
50
圖4-14 不同的蝕刻時間下,Si wafer的蝕刻深度變化…………………… 51
圖4-15 反射式繞射光柵結構製作流程……………………………………... 52
圖4-16 以掃瞄式探針顯微術在(110) Si wafer上產生場效-感應氧化層圖案……………………………………………………………………..
53
圖4-17 場效-感應氧化層圖案經過濕式蝕刻後轉移成光柵結構…………. 53
圖4-18 (a)經乾式蝕刻後的光柵結構 (b)側面剖面影像圖………………… 55
圖4-19 (a)經乾式蝕刻後的光柵結構 (b)側面剖面影像圖………………… 56
圖4-20 (a)經乾式蝕刻後的光柵結構放大圖 (b)側面剖面影像圖………… 57
圖4-21
(a)間距0.4μm的氧化層 (b)經乾式蝕刻後的光柵結構圖 (c)側面剖面影像圖…………………………………………………………...
58
圖4-22 (a)間距0.2μm的氧化層 (b)經乾式蝕刻後的光柵結構圖 (c)側面剖面影像圖…………………………………………………………...
59
圖4-23 間距0.1μm的氧化層經乾式蝕刻後的光柵結構圖………………. 60
圖4-24 (a)不同的探針施加偏壓所產生的場效-感應氧化層 (b)側面剖面影像圖 (c)場效-感應氧化層的高度與探針施加偏壓的關係 (d)場效-感應氧化層的寬度與探針施加偏壓的關係…………………….
63
圖4-25 (a)不同的探針施加偏壓所產生的場效-感應氧化層深度 (b)側面剖面影像圖 (c)場效-感應氧化層的深度與探針施加偏壓的關係...
64
圖4-26 (a)不同的探針施加偏壓所產生的場效-感應氧化層試片泡入濃度為34﹪的KOH溶液中作濕式蝕刻 (b)側面剖面影像圖………….
65
圖4-27 (a)不同的探針掃瞄速度所產生的場效-感應氧化層 (b)場效-感應氧化層的高度與探針掃瞄速度的關係 (c)場效-感應氧化層的寬度與探針掃瞄速度的關係……………………………………………..
66
圖4-28 (a)不同的探針掃瞄速度所產生的場效-感應氧化層深度 (b)側面剖面影像圖 (c)場效-感應氧化層的深度與探針掃瞄速度的關係...
67
圖4-29 (a)不同的探針-試片表面施加力所產生的場效-感應氧化層 (b)場效-感應氧化層的高度與探針-試片表面施加力的關係 (c)場效-感應氧化層的寬度與探針-試片表面施加力的關係…………………..
68
圖4-30 (a)不同的探針-試片表面施加力所產生的場效-感應氧化層深度 (b)側面剖面影像圖 (c)場效-感應氧化層的深度與探針-試片表面施加力的關係………………………………………………………...
69
圖4-31 不同的濕度下所產生的場效-感應氧化層(a)濕度為31%的氧化層(b)濕度為41%的氧化層 (c)濕度為65%的氧化層 (d)濕度為84%的氧化層 (e)場效-感應氧化層的高度與濕度的關係 (c)場效-感應氧化層的寬度與濕度的關係…………………………………...
71
圖4-32 反射式繞射光柵結構製作流程……………………………………... 72
圖4-33 (a)氮化矽薄膜經乾式蝕刻後的光柵結構圖 (b)側面剖面影像圖… 73
圖4-34 (a)經乾式蝕刻後的光柵結構放大圖 (b)側面剖面影像圖………… 74
圖4-35 (a)經濕式蝕刻後的光柵結構放大圖 (b)經乾式蝕刻後的光柵結構放大圖…………………………………………………………………...
75
圖4-36 波帶片結構製作流程………………………………………………... 80
圖4-37 (a) Global Mark在金屬濺鍍前與濺鍍後的情形(b) Chip Mark在金屬濺鍍前與濺鍍後的情形…………………………………………...
81
圖4-38 將E-Beam系統的Mark數加多,防止無法對準的情形產生……. 82
圖4-39
使用劑量5μC/cm2電子束直寫相位型波帶片(a)光學顯微鏡影像圖(b)低倍率SEM影像圖 (c)紅線圈起處利用高倍率觀察的影像圖……………………………………………………………………...
84
圖4-40 (a)相位型波帶片內圈的SEM圖 (b)相位型波帶片最內圈(innermost)與中心檔環的間距為203nm (c)相位型波帶片最內圈的線寬為200nm……………………………………………………..
85
圖4-41 (a)相位型波帶片外圈的SEM圖 (b)相位型波帶片最外圈(outmost)兩環的間距為102nm (c)相位型波帶片最內圈的線寬為90nm………………………………………………………………….
86
圖4-42 劑量8.4μC/cm2的電子束所寫出來的圖案 (a)光學顯微鏡影像 (b) SEM圖 (c)可以清楚看到有近接效應(Proximity Effect)的產生…..
87
圖4-43 劑量9.8μC/cm2的電子束所寫出來的波帶片圖案的光學顯微鏡影像……………………………………………………………………...
88
圖4-44 在劑量5μC/cm2的電子束所寫出來的圖案,有一些是有呈現曝光不足的現象,波帶間有黏滯的現象產生…………………………...
88
圖4-45 由於金屬對Si的黏著性並不好,進行Lift-off的製程後,造成金屬脫落的現象……………………………………………………………...
88
圖4-46 在Cr膜上使用劑量5.6μC/cm2電子束直寫相位型波帶片(a)光學顯微鏡影像圖 (b)SEM影像圖 (c)紅線圈起處利用高倍率觀察的影像圖…………………………………………………………………...
89
圖4-47 在TEOS膜上使用劑量5μC/cm2電子束直寫相位型波帶片(a) SEM影像圖 (b)紅線圈起處利用高倍率觀察的影像圖 (c)藍線圈起處利用高倍率觀察的影像圖…………………………………………...
90
圖4-48 在TEOS膜上使用劑量5.2μC/cm2電子束直寫相位型波帶片(a)SEM影像圖 (b)紅線圈起處利用高倍率觀察的影像圖 (c)在波帶圓弧的地方有曝光不連續的現象………………………………..
91
圖4-49 在TEOS膜上使用劑量6.4μC/cm2電子束直寫相位型波帶片(a)SEM影像圖 (b)相位型波帶片最外圈(outmost) (c)相位型波帶片最內圈的線寬為98nm…………………………………………….
92
圖4-50 使用劑量5μC/cm2電子束直寫相位型波帶片經Lift-off製程後(a)SEM影像圖 (b)中心檔環的金屬有脫落的現象 (c)濺鍍在波帶上的金屬也有脫落的現象…………………………………………...
95
圖4-51 使用劑量6.4μC/cm2電子束直寫相位型波帶片經Lift-off製程後(a)SEM影像圖 (b)濺鍍在波帶邊緣上的金屬有脫落的現象 (c)最內圈的線寬約為105nm,但金屬有被振偏的情形…………………
96
圖4-52 使用劑量7.6μC/cm2電子束直寫相位型波帶片經Lift-off製程後(a)SEM影像圖 (b)紅線圈起處利用高倍率觀察的影像圖(c)由於近接效應的影響,大多數金屬並沒有附著上去……………………
97
圖4-53 使用劑量6.4μC/cm2電子束直寫相位型波帶片經濺鍍Ni與Lift-off製程後最內圈波帶(a)SEM影像圖 (b)紅線圈起處利用高倍率觀察的影像圖…………………………………………………...
98
圖4-54 使用劑量6.4μC/cm2電子束直寫相位型波帶片經濺鍍Ni與Lift-off製程後(a)最內圈波帶線寬約為168nm (b) 最內圈波帶間距寬約為224nm……………………………………………………...
99
圖4-55 使用劑量6.4μC/cm2電子束直寫相位型波帶片經濺鍍Ni與舉離(lift-off)製程後(a)最內圈波帶的SEM圖(b)最內圈波帶的放大圖………………………………………………………………...
100
圖4-56 使用劑量6.4μC/cm2電子束直寫相位型波帶片經濺鍍Ni與舉離(lift-off)製程後(a)中間波帶的SEM圖(b)中間波帶的放大圖(c)紅線圈起處的波帶圖………………………………………….
101
圖4-57 使用劑量6.4μC/cm2電子束直寫相位型波帶片經濺鍍Ni與Lift-off製程後最外圈波帶(a)SEM影像圖 (b)紅線圈起處利用高倍率觀察的影像圖…………………………………………………...
102
圖4-58 使用劑量6.4μC/cm2電子束直寫相位型波帶片經濺鍍Ni與Lift-off製程後(a)最外圈波帶線寬約為105nm (b)最外圈波帶間距寬約為98nm………………………………………………………….
103
圖4-59 使用劑量6.4μC/cm2電子束直寫相位型波帶片經濺鍍Ni與舉離(lift-off)製程後(a)最外圈波帶的SEM圖(b)最外圈波帶的放大圖………………………………………………………………...
104

[1] 謝行恕,賈成芝,同步輻射X射線顯微成像,聯經,台北(1995)。
[2] Chris Jacobsen, “Soft X-ray Microscopy”, Cell Biology, vol. 9, pp.44-47(1999)..
[3] Mark L. Schattenburg, Robert C. Fleming, Ralf Heilmann, Edward Murphy, Claude R. Canizares, Henry I. Smith, “Super-smooth X-ray Reflection Gratings”, Annual report 2000, Nano Structures Laboratory, Massachusetts Institute of Technology.
[4] Steven J. Spector, Diffractive Optics for Soft X Rays, State University of New York (1997).
[5] Timothy A. Savas, James M. Carter, Edward Murphy, Mark L. Schattenburg Henry I. Smith, “Transmission Gratings for X-ray and Atom-Beam Spectroscopy and Interferometry”, Annual report 2000, Nano Structures Laboratory, Nano Structures Laboratory, Massachusetts Institute of Technology.
[6] G. Schmahl, D. Rudolph, G. Schneider, J. Thieme, T. Schliebe, B. Kaulich, “Diffraction Optics for X-ray Imaging”, Microelectronic Engineering, vol. 32, pp.351-367(1995).
[7] Alan Michette, Slawka Pfauntsch, X-rays The First Hundred Years(1996).
[8] David Halliday, Robert Resnick,基本物理學下冊,侯瑞琳譯,新陸書局,台北(1993)。
[9] Hiroshi Fukuda, Tsuneo Terasawa, 1995, “Design and Analysis of Diffraction Mirror Optics for EUV Projection Lithography”, Microelectronic Engineering, vol. 27, pp.239-242.
[10] A. Franks, K. Lindsey, J. M. Bennett, R. J. Speer, D. Turner, D. J. Hunt, “The Theory, Manufacture, Structure and Performance of N.P.L. X-ray Gratings”, Philosophical Transacficns of Royal Society of London, Ser. A, pp.503-543 (1975).
[11] Zheng G. Chen, Lithography Based Microfabrication: Diffractive Optics and ULSI Nanostructures, University of Wisconsin-Madison(1998).
[12] J. T. Sheu, M. H. Chiang, S. Su, “The Fabrication of Pi-phase Shift X-ray Zone Plates”, Proc. Natl. Sci. Counc. ROC(A), vol. 21, pp.611-615(1997).
[13]
E. Di Fabrizio, M. Gentili, L. Grella, M. Baciocchi, et al., “High-performance multilevel blazed x-ray microscopy Fresnel zone plates: Fabricated using x-ray lithography”, J. Vac. Sci. Technol. B, vol. 12, pp.3979-3985(1994).
[14]
W. Yun, B. Lai, A. A. Krasonperova, et al., “Development of zone plates with a blazed profile for hard x-ray application”, REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, vol. 70, pp.3537-3541(1999).
[15] 林淑雯,氮化矽薄膜之場制氧化機制及應用,國立清華大學,碩士論文(2000)。
[16] J. A. Dagata, J. Schneir, H. H. Harary, C. J. Evans, M. T. Postek, J. Bennett, “Modification of Hydrogen-passivated Silicon by a Scanning Tunneling Microscope Operation in Air”, Applied Physics Letters, vol. 56, pp.2001-2003(1990).
[17] Elain S. Fu, Xue-sen Wang, Ellen D. Williams, “Characterization of Structures Fabricated by Atomic Force Microscope Lithography”, Surface Science, vol. 438, pp.58-67(1999).
[18] Hiroyuki Sugimura, Nobuyuki Nakagiri, “Area Selective Deposition of Gold on Silicon Surface Patterned by Tip-induced Anodization in Scanning Probe Microscopy”, Applied Physics Letters, vol.66, pp.1430-1431(1995).
[19] S. Gwo, C. L. Yeh, P., F. Chen, Y. C. Chou, T. T. Chen, “Local Electric-field-induced oxidation of Titanium Nitride Films”, Applied Physics Letters, vol. 74, pp.1090-1992(1998).
[20] Dawen Wang, Liming Tsau, K. L. Wang, “Nanofabrication of Thin Chromium Film Deposited on Si(110) Surfaces by Tip Induced Anodization in Atomic Force Microscopy”, Applied Physics Letters, vol. 67, pp.1295-1297(1995).
[21] 許鉦宗,吳家豪,行政院同步輻射研究中心技術報告(2001)。
[22] J. T. Sheu, C. H. Wu, K. S. You, and K. M. Chang, “Linearity of Scanning Probe Lithography on (110) Silicon Wafer.”, Proceeding of the 2001 1st IEEE Conference on Nanotechnology, p.23(2001).
[23] 鄭文龍, 軟X光光學元件之研製,國立雲林科技大學,碩士論文(2001)。
[24] C. N. Chang, C. I. Chen, Y. F. Song, P. C. Tseng, L. R. Huang, The Specifications for the Optical Components of the 6M SGM Beam Line at SRRC, SRRC, Taiwan(1989).
[25] 吳永俊,劉正財,宋金龍,使用Leica Weprint200電子束直寫微影系統製作0.1 um MOS元件的技術,毫微米通訊刊物八卷一期(2000)。
[26] A. G. Michette, C. J. Buckley, X-ray Science and Technology(1993).
[27] B. Niemann, T. Schliebe, R. Plontke, O. Fortagne, I. Stolberg, M. Zierbock, “A Special method to Create Gratings of Variable Line Density by Low Voltage Electron Beam Lithography”, Microelectronic Engineering, vol. 30, pp.49-52(1996).
[28] J. T. Sheu, W. L. Cheng, C. H. Wu, and H. T. Chou, “Fabrication of Soft X-Ray Grating on (100) Silicon Probe Lithography”, Symposium on Nano Device Technology 2001, p.74(2001).
[29] V. K. Dwivedi, R. Gopal, S. Ahmad, “Fabrication of Very Smooth Walls and Bottoms of Silicon Microchannels for Heat Dissipation of Semiconductor Devices”, Microelectronics Journal, vol. 31, pp.405-410(2000).
[30] F. S. S. Chien, C. L. Wu, Y. C. Chou, T. T. Chen, S. Gwo, “Nanomachining of (110)-oriented Silicon by Scanning Probe Lithography and Anisotropic Wet Etching”, Applied Physics Letters, vol. 75, pp.2429-2431(1999).
[31] Hiroyuki Sugimura, Tatsuya Uchida, Noboru Kitamura, Hiroshi Masuhara, “Tip-induced Anodization of Titanium Surface by Scanning Tunneling Microscopy: A Humidity Effect on Nanolithography”, Applied Physics Letters, vol. 63, pp.1288-1290(1993).
[32] H. Jungblut, D. Wille, H. J. Lewerenz, “Nano-oxidation of H-terminated p-Si(100): Influence of the Humidity on Growth and Surface Properties of oxide islands”, Applied Physics Letters, vol. 78, pp.168-170(2001).
[33] K. Morimoto, Francesc Pérez-Murano, J. A. Dagata, “Density Variations in Scanned Probe Oxidation”, Applied Surface Science, vol. 158, pp.205-216(2000).
[34]
Kazuo Sato, Mitsuhiro Shikida, Yoshihiro Matsushima, Takashi Yamashiro, “Characterization of Orientation-dependent Etching Properties of Single-crystal Silicon: Effects of KOH Concentration”, Sensors and Actuators A:Physical , vol. 64, pp.87-93(1998).
[35] 張俊彥、鄭晃忠,積體電路製程及設備技術手冊,中華民國產業科技發展協進會、中華民國電子材料與元件協會,台北(1997)。
[36] S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices,2nd ed, Wiley, New York, p.852 (1981).
[37] F. S. -S. Chien, J. -W. Chang, S. W. Lin, Y.-C. Chou, T. T. Chen, S. Gwo, T. —S. Chao and W.-F. Hsieh, “Nanometer-scale conversion of Si3N4 to SiOx”, Appl. Phys. Lett. volume 76, p.360(2000).
[38] S. D. Collin, Semiconductor Micromachining, edited by S. A. Campbell and H. J. Lewerenz, Wiley, Chichester, Vol. 2, Chap. 2(1998).
[39] W. van Gelder and V. E. Hauser, J. Electrochem. Soc. 114, pp.869, (1967).
[40] Zheng G. Chen, Lithography Based Microfabrication: Diffractive Optics and ULSI Nanostructures, University of Wisconsin-Madison (1998).
[41] W. Leitenberger, T. Weitkamp, M. Drakopoulos, I. Snigireva, A. Snigirev, “Microscopic Imaging and Holography with Hard X-rays using Fresnel Zone-plate”, Optics Communications, vol. 180, pp.233-238(2000).
[42] M. Peuker, G. Schneider, D. Weiss, “High Resolution Phase Zone Plates for Water Window Wavelengths”, Part of the SPIE Conference on X-Ray Microfocusing: Applications and Techniques, vol. 3449, pp.118-128(1998).
[43] S. J. Spector, C. J. Jacobsen, “Process Optimization for Production of Sub-20 nm Soft X-ray Zone Plates”, Journal of Vacuum Science and Technology B, vol. 15, pp.2872-2876(1997).

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