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自從1989年起,各個不同的研究群體分別先後在核磁共振'電子比熱'中子 散射'電荷傳導'光電子發射等許多實驗結果中,觀察到了高溫超導體銅氧 化合物在低摻狀態下的異常行為,也就是說在高於Tc的溫區內觀察到了激 發譜上自旋能隙的形成,及載子的配對行為可以在高於超導態溫度時發生. 上述的研究方向中,電荷傳導是我們注意的重點.目前在電荷傳導方面已經 有的研究結果,主要是取自於釔鋇銅氧(123)與釔鋇銅氧(124)的單晶量測, 用氧含量的調變作為低摻雜狀態的調控因數.我們選擇了銪鋇銅氧與釹鋇 銅氧塊材系統為研究對象並且分別以三價的Eu或Nd來部份取代二價的Ba 作為摻雜狀態的調控因子.進行Rietveld精算法彌合X光粉末繞射實驗數據 時,我們發現,銪離子或鋇離子確實是有部份取代銅離子,實驗結果顯示品 質均勻的塊材也可以作為自旋能隙的研究對象,三價與二價原子的代換也 可以作為調控載流子的因子.而銪鋇銅氧與釹鋇銅氧低摻雜狀態之超導塊 材系列,所做的電性量測結果顯示,均可用RVB平均場理論之相圖解釋我們 的實驗結果.對於傳統的BCS理論而言,超導能隙與相轉變是同時發生的.希 望能藉由我們的實驗,對於超導機制理論探索能有些許的幫助.
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