臺灣博碩士論文加值系統

在此論文中，我們以「有機金屬化學氣相沉積法」成長AlGaAsGaAs通道摻場效電晶體。此外，我們使用了Au與Pt/Au做為閘極金屬，並使用硫化溶液對材料表面進行披覆處理，並研究不同的閘極(Gate)金屬與硫化對元件特性所造成的影響。
在室溫(300 K)下，閘極尺寸為1.0 x 100 μm2時，使用Au做為閘極金屬的元件，其最大汲極飽和電流為244.4 mA/mm，最大轉導為84.6 mS/mm，閘-汲極兩端崩潰電壓為-14 V。使用 Pt/Au做為閘極
金屬並做硫化處理的元件，其最大汲極飽和電流為349.2 mA/mm，最大轉導為121.4 mS/mm，閘-汲極兩端崩潰電壓為-17 V。
與無硫化保護層的DCFET元件比較，採用硫化處理成長硫化保護層的DCFET可以明顯的提升元件的特性。

In this thesis, we propose AlGaAs/GaAs Doped-Channel Heterostructure FETs (DCFETs) grown by metalorganic chemical- vapor deposition (MOCVD). The DCFETs with different gate alloys, including Au and Pt/Au. Moreover, using the (NH4)2x solution to from the AlGaAs surface passivation are studied and demonstrated.
For AlGaAs material, the surface recombination velocity and surface states are reduced by sulfur passivation. Hence, the well-behaved interfaces between the epitaxial semiconductor and Schottky metals can be obtained.
The gate dimensions of DCFETs are 1.0 x 100

誌謝

摘要

總目錄

圖目錄

表目錄

第一章 研究動機

第二章 通道摻雜電晶體之介紹

第三章 元件結構與元件製程

第四章 實驗結果與討論

第五章 結論

參考文獻

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