本論文提出一多層δ- 摻雜GaAS能帶間共振穿透二極體結構(n+ -δn+ - i - δp+ -
i -δn+ -n+) ，並針對此元件結構，工作的原理做一理論的探討。首先吾人採用Se
lf-consistent 的理論方法，研究δ- 摻雜二維濃度，空間擴展，二維電子雲濃度，
背景濃度及溫度變化時，對δ- 摻雜所形成V 型量子井的影響，建立多層δ- 摻雜分
析的理論依據。
其次，吾人提出具能帶間共振穿透元件的結構(n+ - δn+ - i - δp+ - i - δn+ -
n+)，且對元件結構的基本原理提出說明，並探求不同參數結構下，元件具有負電阻
現象的可能性，接著以K‧P的理論模式(two band model)，研究在不同的結構參數，
δ- 摻雜的二維濃度，本質GaAs的厚度，及δ- 摻雜的實際空間擴展，對元件的能帶
結構，輕電洞價帶子能階，穿透係數，峰值電流密度及峰值電位有何影響。
最後，吾人利用MBE 法實際成長了二片δ- 摻雜GaAs能帶間共振穿透二極體的樣品，
並針對元件的I-V 特性及理論預測結果做一比較，同時藉由定性的描述對谷值電流密
度的機構做適度的說明，最後對元件結構設計的原則提供些許建議。
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