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利用物理氣相傳輸法及熱蒸鍍系統, 製成鉍在銅晶界上偏析的薄膜電鏡試
片, 使用配有兩個成份分析工具: 能量過濾器及X-射線能量分析儀的場發
射槍穿透電子顯微鏡來觀察, 而場發射槍電鏡之電子束可以縮至0.5 nm大
小, 因此我們可以得到納米級分辨率的成份訊息.本文得到五項重要結
果: (1) 僅有幾百ppm 個的鉍擴散至銅膜裡, 任可由X 射線能譜儀和電子
能損譜分析儀偵測到鉍偏析在晶界. 而能量過濾器得到鉍在晶界上偏 析
的能損過濾影像, 但礙於繞射對比效應仍無法作完整探討. (2) 可用電子
束與試片作用體積和解迴旋積技巧, 由X 射線能譜儀來定量分析鉍在晶界
上濃度. (3) 鉍在不同的晶界有不同的偏析量. (4) 相同晶界, 鉍的偏析
量也隨晶界位置不同而不同. (5) 使用X 射線能譜儀無法偵側到欒晶鉍的
訊號, 但電子能量過濾器 , 可以得到鉍偏析的能量過濾影像, 但此偏析
的影像可能是彈性散射的襯度.
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