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研究生:
詹世偉
研究生(外文):
ZAN, SHI-WEI
論文名稱:
利用直接蒸鍍金屬銦與錫成長之氧化銦錫特性與製作
論文名稱(外文):
Preparation and characterization of Indium-Tin-Oxide deposited by direct thermal evaporation of metal Indium and Tin
指導教授:
李嗣涔
指導教授(外文):
LI, SI-CEN
學位類別:
碩士
校院名稱:
國立臺灣大學
系所名稱:
電機工程研究所
學門:
工程學門
學類:
電資工程學類
論文種類:
學術論文
論文出版年:
1986
畢業學年度:
74
語文別:
中文
中文關鍵詞:
銦
、
錫
、
氧化銦錫
、
蒸鍍
相關次數:
被引用:
2
點閱:324
評分:
下載:0
書目收藏:1
本論文之目的乃在製造氧化銦錫透明導電薄膜。真空蒸鍍法被用來製造氧化銦錫薄膜
。在氧氣環境中,置於鉬製蒸鍍船中的金屬銦與金屬錫被加熱而蒸發,而巷在上方的
加熱基板上成長出氧化銦錫薄膜。
降低氧化銦錫薄膜電阻率的關鍵在適當調整金屬錫對金屬銦的重量比至一最佳值。根
據所需的薄膜厚度而適當調整金屬銦的重量亦能使蒸鍍速率保持穩定。
以此種簡單的蒸鍍法所製造出的氧化銦錫薄膜有著良好的品質。電阻率低達1.8×10-
4Ω-cm的薄膜可被重覆地製造出來。
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