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研究生:陳彥宏
研究生(外文):Yann-hong Chen
論文名稱:FTFN元件特性參數量測電路
論文名稱(外文):The characteristc parameter extracting circuit of FTFN elements
指導教授:侯俊禮侯俊禮引用關係
指導教授(外文):Chun-Li Hou
學位類別:碩士
校院名稱:中原大學
系所名稱:電子工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2001
畢業學年度:89
語文別:中文
論文頁數:76
中文關鍵詞:電流傳輸器四端浮接nullor砷化鎵金半場效電晶體特性參數
外文關鍵詞:Characteristic ParametersCurrent ConveyorGaAs MESFETFTFN
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本篇論文主要討論FTFN(Four-Terminal Floating Nullor)幾個重要特性參數的模擬與量測方法,且提出一個簡單有效的測試電路,然後利用幾個現成的FTFN電路對此測試電路進行模擬,模擬結果證實了由此測試電路可以簡單有效地取得FTFN的幾個重要特性參數,而且可以模擬量測出其電壓輸入端的漏電流,進而得到較準確的電流響應。
接著討論砷化鎵金半場效電晶體(GaAs MESFET)在電流式電路上的應用;首先設計出高增益的GaAs MESFET 運算放大器,並且利用設計出的運算放大器外加電阻器,組成一個負型第二代電流傳輸器,並應用在一個濾波器的實例上,驗證了電路的可行性。

This research has been focused on the simulation circuit of a single four-terminal floating nullor (FTFN) element. A simple and efficient simulation circuit was developed. Three physical FTFN circuits were illustrated and simulated to demonstrate the feasibility of the developed circuit. When this circuit was employed, the simulation results showed that it was able to sense the leakage current of the terminal x of the FTFN, and then the accuracy of the current response of the FTFN circuit has been improved.
Next a negative-type second-generation current conveyor (CCII-) consisting of gallium arsenide metal-semiconductor field-effect-transistor (GaAs MESFET) operational amplifiers and resistors was presented. The presented CCII- was applied to a physical filter to verify the practicality of the presented CCII-.

中文摘要 i
英文摘要 ii
目錄 iii
圖表目錄 vi
第一章 緒論 1-1
1-1 研究背景 1-1
1-2 論文編排 1-2
第二章 元件介紹 2-1
2-1 Nullor模型表示法 2-1
2-2 Nullor模型的應用 2-3
2-3 電流傳輸器(Current Conveyor;CC) 2-5
2-3-1 第一代電流傳輸器(CCI) 2-5
2-3-2 第二代電流傳輸器(CCII) 2-6
2-4 電流回授放大器(Current Feedback Amplifier;CFA) 2-8
2-5 四端浮接式nullor(Four-Terminal Floating Nullor;FTFN) 2-10
2-6 砷化鎵金半場效電晶體(GaAs MESFET) 2-11
2-6-1 基本原理 2-11
2-6-2 元件特性及模型 2-16
第三章 FTFN 元件特性參數模擬電路 3-1
3-1 簡介 3-1
3-2 基本測試模型 3-3
3-2-1 電壓追隨誤差 3-5
3-2-2 電流追隨誤差 3-6
3-2-3 工作頻寬 3-6
3-2-4 x與y端之漏電流 3-7
3-2-5 直流電壓輸入範圍 3-7
3-3 三個FTFN電路 3-8
3-4 模擬結果 3-13
第四章 以砷化鎵金半場效電晶體運算放大器來實現第二代電流傳輸器 4-1
4-1 常見的類比GaAs MESFET電路建造方塊 4-1
4-1-1 反相放大器 4-1
4-1-2 源極追隨器(The source follower) 4-4
4-1-3 位準調整電路(The level shifting circuits) 4-7
4-2 高增益GaAs MESFET運算放大器之設計 4-9
4-2-1 靴帶式主動負載 4-9
4-2-2 單級差動運算放大器 4-12
4-2-3 雙級差動運算放大器 4-14
4-3 第二代電流傳輸器之實現 4-17
4-4 使用單一個第二代電流傳輸器來實現濾波器 4-23
4-4-1 低通濾波器 4-23
4-4-2 帶通濾波器與高通濾波器 4-24
4-4-3 模擬結果 4-25
第五章 結論與展望 5-1
參考文獻 Ref-1
作者簡歷 Author

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