我們利用磷化銦鎵蕭特基接觸的電流－電壓特性來研究硫化銨溶液處理磷
化銦鎵半導體表面的特性。另外，硫化銨溶液處理過的試片表面以Ｘ光光
電子光譜儀分析其組成及化學鍵結情形。我們比較未經硫化處理及硫化處
理後以氮氣吹乾或用純水清洗的蕭特基二極體特性，其結果顯示硫化處理
後蕭特基位障高度具有明顯的效果。接著比較不同溫度及時間的硫化處理
，其結果顯示在60℃／30分鐘時可得到蕭特基位障高度1.06 eV理想因
子1.09。而由蒸鍍金及鋁可見經過硫化處理後，表面能態密度降低了，且
蕭特基位障高度會因蒸鍍的金屬不同而有所變化。應用Ｘ光光電子光譜儀
分析未經硫化處理及硫化處理後的試片可見到鎵－硫（化學位移1.7eV ）
的化學鍵結。此外，硫化處理的時間愈久則可見到鎵－硫的鍵結量愈大，
且鎵－氧（化學位移~ 1.0eV)的鍵結量變少在硫化處理75分鐘時。最後，
應用相同的硫化處理在磷化銦鎵／砷化鎵金屬－半導體－金屬光檢測器上
，元件製作完成後及硫化處理後的暗電流並無多大差異，而光電流在偏壓
大於20伏特可見到明顯效果，其響應度經過硫化處理後較處理前線性多了
（0.41安培／瓦，偏壓在25伏特時）。
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