臺灣博碩士論文加值系統

製程中殘留下來的污染物對於我們元件的性質也造成極大的傷害，尤其金屬雜質對於氧化層的初始介電崩潰的影響。本論文利用現皆段進步的中子活化分析( NAA )針對金屬雜質鎳、銅、鈣、鐵、鋅、在晶片中的含量做定性定量的分析，再配合康普吞抑制系統對中低活性的核種做準確的量測，並以此實驗得知系統量測的極限。是一個結合半導體製程，核儀電子及中子活化分析技術，對金屬雜質的含量所做的量測，和為雜質分析提供一個更新，更精準的研究。

In the IC process, the residual contaminant is extremely harmful to our device characteristic, especially the effect of metal contaminant to the initial dielectric breakdown of silicon oxide layer. In this study we use the method of neutron activation analysis (NAA) to find out the content of metal contaminant include nickel copper calcium iron zinc in the silicon chip. Then we use Compton suppression system to measure the medium-low activity radiation source with accuracy and in our experiment we can know the limit of the system. In this research, we combine semiconductor process, nuclear electronics and NAA technology to measure the content of metal contaminant in the silicon chip, this provide a newer and more accurate research for contaminant analysis.

目 次
第一章 前言………………………………………………1
1-1文獻回顧………………………………………………1
1-2研究的目的及範圍……………………………………4
第二章 量測系統………………………………………6
2-1偵檢器的架設…………………………………………6
2-1-1 HPGe偵檢器……………………………………...6
2-1-2 BGO偵檢器………………………………………7
2-1-3 屏蔽………………………………………………11
2-2 康普吞抑制電路………………………………………13
2-3 系統測試………………………………………………19
2-3-1 脈波測試…………………………………………19
2-3-2 以伽馬標準射源測試………………………..…..23
第二章 中子活化分析……………………………………32
3-1量測條件………………………………………………..32
3-1-1 雜質的性質………………………………………33
3-1-2 量測系統效率……………………………………36
3-1-3 照射時間估算……………………………………38
3-2量測結果……………………………………………….39
3-2-1 背景值的量測……………………………………39
3-2-2 定性定量分析….…………………………………39
3-2-3 受不乾淨光阻污染後的晶片量測………………58
3-2-4 CMP完清洗過後的晶片量測…………………….61
3-3TXR分析技術…………………………………………..65
第四章 結論和建議……………………………………..67
4-1結論……………………………………………………..67
4-2建議……………………………………………………..68
參考文獻( References)……………………………………….69
附 錄………………………………………………………71

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