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研究生:

謝宜璋

研究生(外文):

XIE, YI-ZHANG

論文名稱:

金氧半場效體之數值分析

論文名稱(外文):

Numerical analysis of MOS transistors

指導教授:

郭雙發

指導教授(外文):

GUO, SHANG-FA

學位類別:

碩士

校院名稱:

大同工學院

系所名稱:

電機工程研究所

學門:

工程學門

學類:

電資工程學類

論文種類:

學術論文

論文出版年:

1986

畢業學年度:

語文別:

中文

中文關鍵詞:

金氧半場效電晶體、電晶體、數值、有限差分法

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本篇論文以數值分析方法模擬金氧半場效體的電流一電壓曲線，利用有限差分法將耦
合的半導體基本微分方程式離散成一組代數差分方程式。這是一組高度非線性的方程
式，為了節省計算機的記憶空間，我們用牛頓逐行過鬆馳法求解，此一數值分析方程
式可以模擬金氧半場效體在各操作條件下的特性。

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