以磁控電漿中的低能量離子蝕刻矽晶片，利用一種非破壞性，非接觸性的光調制紅外
線吸收技術，測量蝕刻過之矽晶片，其載子在表面再結合之速率，來鑑定低能量離子
蝕刻對晶子所造成的傷害。鑑定結果：氬離子磁控電漿PF-200W （離子能量約30eV）
和RF-400W （離子能量約70 eV ）蝕刻過之矽晶片的表面再結合速率，分別為未經蝕
刻者之四倍及二十三倍，此結果說明：一、30eV低能量氬離子雖不能濺射矽原子，但
仍可造成表面矽原子之位移，形成傷害。二、70eV低能量因為可以濺射矽原子，故能
使晶片表面之矽原子形成較多之未飽合鍵或產生較大之位移，所以使傷害程度增加。
三、光調制紅外線吸收技術可以有效地鑑定出不同能量之氬離子蝕刻所造成的原始性
傷害，其鑑定結果可作為改進離子蝕刻之參考。
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