臺灣博碩士論文加值系統

奈米碳管因為其唯一且獨特的性質，在多元化的應用中，一直受到很多矚目。其中最重要的就是因為奈米碳管的較高的長徑比 ( high aspect ratio)使得在低電場 ( macroscopic field )下就擁有很好的場發射性質。我們利用微波電漿輔助化學氣相沉積系統(MPECVD)成長出奈米碳管。此論文利用電漿離子佈植系統( Plasma Immersion Ion Implantation, PIII )在欲成長奈米碳管之試片先做前處理、表面改質，藉著改變轟擊時間、轟擊偏壓來觀察生長奈米碳管之性質是否有所不同以及其場發射性質提升的原因。利用場發射量測系統以及原子力顯微鏡、掃描式電子顯微鏡、ESCA化學分析儀，去分析並且討論不同轟擊參數的場發性質以及其表面粗糙度、CNT的形貌和各元素的含量。

摘要 ……………………………………………………………… 0

第一章 介紹 ……………………………………………………… 1
1.1 奈米碳管的簡介 ……………………………………………… 1
1.2 場發射的介紹 ..……………………………………………….. 5
1.2.1 場發射之原理 ………………………………………….. 5
1.2.2 場發射之基本理論 …………………………………… 5
1.3 電漿離子佈植 ………………………………………………… 9
1.4 論文結構 ………………………………………………………11

第二章 實驗方法與步驟 …………………………………………12
2.1 實驗流程 ……………………………………………………...12
2.2 實驗設備系統 ………………………………………………...13
2.2.1 ICP電漿離子佈植系統 ………………………………...13
2.2.2 微波電漿輔助化學氣相沉積系統 ……………………..17
2.2.3 場發射二極量測 ………………………………………..19
2.3實驗方法與實驗參數 ………………………………………....20
2.4 實驗分析 ……………………………………………………...22

第三章 實驗結果與分析 ………………………………………25
3.1 離子轟擊對場發射之影響 …………………………………...25
3.2 離子轟擊對試片表面形貌之影響 …………………………...28
3.3 離子轟擊對奈米碳管樣貌之影響 …………………………...32
3.4 離子轟擊與元素改變的關係 ………………………………...42

第四章 結論 ……………………………………………………44
參考文獻 …………………………………………………………45

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