本文之目的主要在研究金氧半電容元件其氧化層電場與輻射效應之關係。在無外加偏
壓時，經佃端電壓的測量可以發現，元件本身漏阻會影響到輻射時氧化層內部電場之
大小，進而影響其輻射結果。在文中，除了提出一個簡單的模型，來描述輻射過程中
氧化層電場與漏阻之關係外，也從實驗結果觀察到，包裝是造成漏阻的主要原因。當
在輻射過程中有外加偏壓存在時，輻射效應很明顥地會受到偏壓的方向及大小而有所
影響，至於輻射後的MOS 電容器，在經過外加偏壓的作用後，其氧化層內界面電荷也
會依電場大小及方向，而來回移動並相互轉換電荷型態。
由於殘餘電荷所造成之界面電場會嚴重影響退火行為，因此，在研究金氧半電容元件
輻射後的退火行為時，我們提出平能帶退火處理，以減低因界面電場所引起之額外電
荷效應，進而求出無電壓效應的退火行為。此外，幾種不同製程的元件其抗輻射能力
的強弱，在文中也作了簡短的探討，並經平能帶退火處理，求出其界面陷阱能階的活
化能分佈，並比較其差異。
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