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在本文之中,由於SiGe的材料特性與Si不同,所以我們用其作為多孔結構發 光機制的研究,且可藉著不同結構,厚度及 Ge含量的多孔SiGe薄膜,而發現 許多不同的發光特性,其中SiGe薄膜是藉著ultrahigh vacuum/chemical vapor deposition (UHV/CVD)設備成長於P型矽晶片上,並使用電化學陽極 反應來進行蝕刻,由以上的實驗結果,我們認為多孔結構發光原因應該是量 子效應與Si-H鍵在多孔結構表面的passivation效果所造成的,最後由PL光 譜與EL照片中可看出其發光波長不大相同,我們認為這可能是由於發光區 域的不同所造成的
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