臺灣博碩士論文加值系統

本文中介紹一套統計和分析法。主要是用來處理並探討二元和三元合金等
半導體之實驗數據及其物理意義。其數學關係式同時包含了組成成份 X
和溫度T 兩種影響因素。此種統計學上的反覆逼近方法, 主要是最小平方
方法的重覆使用但在每一次的逼近的過程中,必須考慮與三元合金相關之
二元合金的實驗值,將其結果與實驗驗經驗式比較,可定量上決定出拋物參
數C 與溫度的關係。其結果符合早期理論所定的範圍。低溫光頻譜分析,
亦可參考本文中與溫度有關的參數。如果吾人想進一步去研討溫度對費米
能階的影響,必須計算在能帶邊緣的電洞和電子之等效質量比,其間的關係
可用質量作用定律來表示。由結果分析,我們可得知溫度對不攙雜質的三
五族半導體在半能隙與費米能階上的影響是相似的。溫度效應中非線性的
部份對能帶結構中的能隙及費米能階之影響是非常小的。數值大小約為線
性部份的千分之一至萬分之一。由本文中的分析,使得半導體材質能帶結
構理論擴展了許多實用上的價值。然而若在半導體材質中,摻入少量及大
量的雜質以增加元件設計的多元性;此時必也增加了理論計算的複雜性。
但吾人以為可嘗試將雜質所形成的庫倫場效應,利用等效質量比來含蓋則
複雜的問題可加以減化並進而得到解決。

A detail fitting method of the metastable semiconductors alloys
presented.Alloy composition and temperature are simul-
taneously considered together by combined empirical formula of
composition and modified temperature terms. This fitting method
is based on the least-square technique scheme,and therefore,
necessitates known values of the experi- mental data for the
related binaries at two ends (for composi- tion;X=0 and X=1) of
ternary alloy,which taken as the input data during performing
iteration processes.One can decide quantitily that the
resultant value of the bowing parameter for band gap is
temperature dependence also. If one hopes to study temperature
influences on the fermi leevel,it is necessary to calculate the
ratio of effective mass of hole and electron at the band edges.
In conclusion,it found that temperature influence on the half
of the energy band gap and the fermi level for undoped
semiconductors are similar to each other.