SOI 提供了一種高密度、高功能、特殊用途的技術，廣泛的應用在積體電路的製作以
解決目前技術發展所遇到的瓶頸。直接黏合技術克服了傳統SOI 的缺點，成為最有潛
加發展的SOI 技術。本論文首先探討熱生長二氧化矽對矽晶片所產生應力對晶片彎曲
度的顯響，實驗發現１０５０℃生長的二氧化矽膜具有最小的應力，利用此溫度生長
的二氧化矽晶片來作直接黏合，在黏合溫度高於１０００℃得到最佳黏合狀況。用此
條件黏合一n／p＋與一n 晶片，再利用一蝕刻溶液對雜質濃度不同時，蝕刻速率不同
的特性作選擇性蝕刻，得到一高品質的SOI 基片。電性分析結果顯示，在SOI 上製作
的二極體特性與在傳統晶片上所製得者不相上下。
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