由於兼具製程簡單及高解析力等優點，雙層正型光阻劑（bi-layer positive photo-
resist）已成為目前積體電路，製程上研究開發的重點。以矽酸脂酚（silycic acid
ester of phenol）作成酚醛樹脂，並應用於雙層正型光阻劑，為本系列研究的最終
目地。而本文主要是以DSC 觀測矽改質前後之酚及Novolac 與六甲烯基四銨（Hexam-
ethylene-tetramine，以下簡稱Hexa）於硬化反應時的熱變化情形，並佐以IR及NMR
光譜來推測可能的途徑。除此之外，TGA 也被用來量測硬化過程中的重量變化及硬化
後的熱穩定性。由實驗結果發現：
（１）Novolac 與Hexa的硬化反應確為－〞兩段式〞反應（two-step reaction ）；
（２）酚與Hexa的反應同於Novolac 的硬化，也為－兩段式反應。且實驗中也發現架
橋反應只發生在被輕基所活化的鄰位及對位上；
（３）氫離子在反應中扮演著不可或缺的催化功能，因此在矽酸脂酚與Hexa的反應中
，必須加入催化量的酸才可使反應進行；
（４）經矽改質的酚醛樹脂於硬化後的穩定性較未改質前為佳。
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