|
REFERENCES1. R. Dingle, R. Shaklee, R. F. Leheny, R. B. Zetterstrom, Phys. Lett. 19, 5 (1971).2. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, Y. Toyoda, Appl. Phy. Lett. 48, 353 (1986).3. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phy. 28, L2112 (1989).4. S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phy. 31, 1258 (1992).5. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, Appl. Phy. Lett. 64, 1687 (1994).6. S. Nakamura, M. Senoh, A. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 70, 2753 (1997).7. S. Nakamura, M. Senoh, A. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, and H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 2014 (1998); 73, 832 (1998)8. J.-Y. Duboz, Phy. Stat. Sol. (a) 176, 5 (1999).9. J. I. Pankove, M. Leksono, S. S. Chang, C. Walker, B. Van Zeghbroeck, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 39 (1996).10. S. T. Sheppard, K. Doverspike, W. L. Pribble, S. T. Allen, J. W. Palmour, L. T. Kehias, T. J. Jenkins, IEEE Electron. Device Lett. 20, 161 (1999).11. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Hiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L627 (1998).12. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, T. Matsushita, T. Yamada, H. Hiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L226 (1999).13. I-h. Ho and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 69, 2701 (1996).14. Y. Narukawa, Y. Kawakami, Sz. Fujita, Sg. Fujita, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 55, R1938 (1997); Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, Sz. Fujita, Sg. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997).15. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996); 70, 2822 (1997).16. S. Satake, Y. Masumoto, T. Miyajima, T. Asatsuma, and M. Ikeda, J. Cryst. Growth. 189/190, 601 (1998).17. K. P. O’Donnell, R. W. Martin, and P. G. Middleton, Phys. Rev. Lett. 82, 237 (1999).18. P. G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 71, 569 (1997).19. Y.-H. Cho, G. H. Gainer, A. J. Fisher, J. J. Song, S. Keller, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 73, 1370 (1998).20. D. A. B. Miller, D. S. Chemla, T. C. Damen, A. C. Gossard, W. Wiegmann, T. H. Wood, and C. A. Burrus, Phys. Rev. Lett. 53, 2173 (1984); Phys. Rev. B 32, 1043 (1985).21. T. Takeuchi, S. Sota, M. Karsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L382 (1997).22. F. D. Sala, A. D. Carlo, P. Lugli, F. Bernadini, V. Fiorentini, R. Scholz, and J. M. Jancu, Appl. Phys. Lett. 74, 2002 (1999).23. G. Vaschenko,D. Patel, C. S. Menoni, S. Keller, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 78, 640 (2001).24. J. S. Im, H. Kollmer, J. Off, A. Sohmer, F. Scholz, and A. Hangleiter, Phy. Rev. B. 57, R9435 (1998)25. N .Grandjean, B. Damilano, S. Dalmasso, M. Leroux, M. Laügt, and J. Massies, J. Appl. Phys. 86, 3714 (1999).26. R. Clingolani, A. Botchkarev, H. Tang, H. Morkoç, G. Traetta, G. Coil, M. Lomascolo, A. Di Carlo, F. D. Sala, and P. Lugi, Phys. Rev. B 61, 2711 (2000)27. V. Fiorentini, F. Bernardini, F. D. Sala, A. D. Carlo, and P. Lugli, Phys. Rev. B 60, 8849 (1999).28. C. Wetzel, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, J. Appl. Phys. 85, 3786 (1999).29. C.-K. Sun, S. Keller, T.-L. Chiu, G. Wang, M. S. Minsky, J. E. Bowers, S. P. DenBaars, IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. 3, 731 (1997).30. P. Riblet, H. Hirayama, A. Kinoshita, A. Hirata, T. Sugano, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 75, 2241 (1999).31. K. Saarinen, T. Laine, S. Kuisma, J. Nissilä, P. Hautojärvi, L. Dobrzynski, J. M. Baranowski, K. Pakula, R. Stepniewski, M. Wojdak, A. Wysmolek, T. Suski, M. Leszczynski, I. Grzegory, and S. Porowski, Phys. Rev. Lett. 79, 3030 (1997)32. C. Y. Lai, T. M. Hsu, W.-H. Chang, K.-U. Tseng, C.-M. Lee, C.-C. Chuo, and J.-I. Chyi, J. Appl. Phys. 91, 531 (2002).33. J. H. Edger, Ed., Properties of Group III Nitrides (INSPEC, IEE, London), 1994.34. K.-H. Hellwege, Ed., Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, Landolt-Bornstein, New Series, Group III-V (Springer, Berlin, 1986), vol. 22a.35. S. H. Wei and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 69, 2719 (1996).36. M. Suzuki, T. Uenoyama, and A. Yanase, Phys. Rev. B 52, 8132 (1995).37. Y. C. Yeo, T. C. Chong, and M. F. Li, J. Appl. Phys. 83, 1429 (1998).38. V. W. L. Chin, T. L. Tansley, and T. Osotchan, J. Appl. Phys. 75, 7365 (1994).39. H. C. Yang, P. F. Kuo, T. U. Lin, Y. F. Chen, K. H. Chen, L.C. Chen, and J.-I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 76, 3712 (2000).40. H. Lee, W. Yang, and P. C. Sercel, Phys. Rev. B. 55, 9757 (1997).41. G. Saint-Girons, G. Patriarche, L. Largeau, J. Coelho, A. Mereuta, and J. M. Moison, Appl. Phys. Lett. 79, 2157 (2001).42. T. Wang, D. Nakagawa, J. Wang, T. Sugahara, and S. Sakai, Appl. Phys. Lett. 73, 3571 (1998).43. Y. P. Varshni, Physica 34, 149 (1967).44. W. Shan, T. J. Schmidt, X. H. Yang, S. J. Hwang, J. J. Song, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 66, 985 (1995).45. W. Shan, B. D. Little, J. J. Song, Z. C. Feng, M. Schurman, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 69, 3315 (1996).46. B. K. Meyer, G. Steude, A. Goldner, A. Hoffmann, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Stat. Sol. (b) 216, 187 (1999).47. I.-H. Tan, G. L. Snider, L. D. Chang, and E. L. Hu, J. Appl. Phys. 68, 4071 (1990).48. W. Götz and N. M. Johnson, in Gallium Nitride (GaN) II, edited by J. I. Pankove and T. D. Moustakas (Academic, New York, 1999), p. 188-190.49. B. Segall, in Proceedings of the IXth Conference on the Physics of Semiconductors, Moscow, 1968, edited by S. M. Ryvkin (Nauka, Leningrad, 1968), p. 425.50. M. Illegems,R. Dingle, and R. A. Logan, J. Appl. Phys. 43,3797 (1972).51. T. Azuhata, T. Sota, K. Suziki, and S. Nakamura, J. Phys.: Condens. Matter 7, L129 (1995).52. A. K. Viswanath, J. I. Lee, D. Kim, C. R. Lee, and J. Y. Leem, Phys. Rev. B 58, 16333 (1998).53. A. J. Fischer, W. Shan, G. H. Park, J. J. Song, D. S. Kim, D. S. Yee, R. Horning, and B. Goldenberg, Phys. Rev. B 56, 1077 (1997).54. A. J. Fischer, W. Shan, J. J. Song, Y. C. Chang, R. Horning, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 71, 1981 (1997).55. M. S. Skolnick, K. J. Nash, P. R. Tapster, D. J. Mowbray, S. J. Bass, and A. D. Pitt, Phys. Rev. B 35, 5925 (1987).56. J. P. Loehr and J. Singh, Phys. Rev. B 42, 7154 (1990).57. G. Traetta, R. Cingolani, A. D. Carlo, F. D. Sala, and P. Lugli, Appl. Phys. Lett. 76, 1042 (2000).58. P. Bigenwald, A. Kavokin, B. Gil, and P. Lefebvre, Phys. Rev. B 61, 15621 (2000).59. K. Osamura, S. Naka, and Y. Murakami, J. Appl. Phys. 46, 3432 (1975).60. M. D. McCluskey, L. T. Romano, B. S. Krusor, D. P. Bour, N. M. Johnson, and S. Brennan, Appl. Phys. Lett. 72, 1730 (1998).61. M. D. McCluskey, L. T. Romano, B. S. Krusor, N. M. Johnson, T. Suski, and J. Jun, Appl. Phys. Lett. 73, 1281 (1998).62. J.-S. Tsang, J.-D. Guo, S.-H. Chan, M.-S. Feng and C.-Y. Chang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 1728, 3 (1997).63. T. E. Schlesinger and T. Kuech, Appl. Phys. Lett. 49, 519 (1986).64. W. P. Gillin, D. J. Dunstan, K. P. Homewood, L. K. Howard, and B. J. Sealy, J. Appl. Phys. 73, 3782 (1993).65. S.-W. Ryu, B.-D. Choe, and W. G. Jeong, Appl. Phys. Lett. 71, 1670 (1997).66. S. Senz, U. Egger, M. Schultz, U. Gösele, and H. Ito, J. Appl. Phys. Lett. 84, 2546 (1998).67. L. L. Chang and A. Koma, Appl. Phys. Lett. 29, 138 (1976).68. S. A. Schwarz, T. Venkatesan, R. Bhat, M. Koza, H. W. Yoon, Y. Arakawa, and P. Mei, Proc. Mater. Res. Soc. 56, 321 (1986).69. J. C. P. Chang, J. M. Woodall, M. R. Melloch, I. Lahiri, D. D. Nolte, N. Y. Li, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 67, 3491 (1995).70. T. Yamamoto, M. Kasu, S. Noda, and A. Sasaki, J. Appl. Phys. 69, 5318 (1990).71. J. Crank, Mathematics of Diffusion (Clarendon, Oxford, 1957).72. A. Trampert, O. Brandt, and K. H. Ploog, in Gallium Nitride (GaN) I, edited by J. I. Pankove and T. D. Moustakas (Academic, New York, 1998), p. 173.73. K.-N. Tu, J. W. Mayer, L. C. Feldman, Electronic Thin Film Science For Electrical Engineers and Materials Scientists (Macmillan, New York, 1992), p. 60-74.74. L. H. Li, Z. Pan, W. Zhang, Y. W. Lin, Z. Q. Zhuo, and R. H. Wu, J. Appl. Phys. 87, 245 (2000).75. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 69, 503 (1996).76. K. B. Kahen, D. L. Peterson, G. Rajeswaran, and D. L. Lawrence, Appl. Phys. Lett. 55, 651 (1989).77. S. Y. Chiang and G. L. Pearson, J. Appl. Phys. 46, 2986 (1975).78. S. J. Xu, X. C. Wang, S. J. Chua, C. H. Wang, W. J. Fan, J. Jiang, and X. G. Xie, Appl. Phys. Lett. 72, 3335 (1998).79. H. P. Xin, K. L. Kavanagh, Z. Q. Zhu, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 74, 2337 (1999).80. W. M. Li, R. M. Cohen, D. S. Simons, and P. H. Chi, Appl. Phys. Lett. 70, 3392 (1997).81. W. D. Laidig, J. W. Lee, P. K. Chiang, L. W. Simpson, and S. M. Bedair, J. Appl. Phys. 54, 6382 (1983).82. B. I. Boltaks, Diffusion in Semiconductors (Academic Press, 1963).83. D. A. Porter and K. E. Easterling, Phase Transformations in Metals and Alloys, 2nd ed. (Chapman & Hall, 1992).84. S. J. Rosner, E. C. Carr, M. J. Ludowise, G. Girolami, and H. I. Erikson, Appl. Phys. Lett. 70, 420 (1997).85. S.-W. Ryu, I. Kim, and B. D. Choe, Appl. Phys. Lett. 67, 1417 (1995)86. D. Doppalapudi, S. N. Basu, K. F. Ludwig, Jr. and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 84, 1389 (1998).87. K. S. Kim, G. M. Yang, W.-H. Lee, Y. H. Song, J. W. Yang, C.-H. Hong, K. Y. Lim, H. J. Lee, H. K. Cho, and J. Y. Lee, Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conf. Series 1, 2000, p. 393.88. A. N. Alexeev and S. Yu. Karpov, J. Cryst. Growth 162, 15 (1996).89. S. Yu. Karpov, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 16 (1998).90. A. Tabata, L. K. Teles, L. M. R. Scolfaro, and J. R. Leite, A. Kharchenko, T. Frey, D. J. As, D. Schikora, K. Lischka, J. FurthmÜller and F. Bechstedt, Appl. Phys. Lett. 80, 769 (2002).91. V. Holy, A. A. Darhubre, G. Bauer, P. D. Wang, Y. P. Song, C. M. S. Torres, and M. C. Holland, Phys. Rev. B 52, 8348 (1995).92. Y.-S. Lin, K.-J. Ma, C. Hsu, S.-W. Feng, Y.-C. Cheng, C.-C. Liao, C. C. Yang, C.-C. Chuo, C.-M. Lee, and J.-I.n Chyi, Appl. Phys. Lett. 77, 2988 (2000).93. S. F. Chichibu, D. A. Cohen, M. P. Mack, A. C. Abare, P. Kozodoy, M. Minsky, S. Fleischer, S. Keller, J. E. Bouwers, U. K. Mishra, L. A. Coldren, D. R. Clarke, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 73, 496 (1998).94. C. A. Tran, R. F. Karlicek Jr., M. Schurman, A. Osinsky, V. Merai, Y. Li, I. Eliashevich, M. G. Brown, J. Nering, I. Ferguson, and R. Stall, J. Crystal Growth 195, 397 (1998).95. Y. Kaneko, R. Shioda, N. Yamada, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Stat. Sol. (a) 176, 137 (1999).96. G. Pozina, J. P. Bergman, B. Monemar, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, J. Appl. Phys. 88, 2677 (2000).97. M. J. Bergmann and H. C. Casey, Jr., J. Appl. Phys. 84, 1196 (1998).98. H. C. Casey, Jr., and M. B. Panish, Heterostructure Lasers, Part A: Fundamental Principles, (Academic, Lodon, 1978).99. G. A. Hockham, Electron. Lett. 9, 389 (1973)100. V. E. Bougrov and A. S. Zubrilov, J. Appl. Phys. 81, 2952 (1997).101. M. Onomura, S. Saito, K. Sasanuma, G.-i. Hatakoshi, M. Nakasuji, J. Rennie, L. Sugiura, S. Nunoue, J. Nishio, and K. Itaya, IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. 5, 765 (1999).102. M. A. Reshchikov, G.-C. Yi, and B. W. Wessels, Phys. Rev. B 59, 13176 (1999).103. T. Tanaka and A. Watanabe, H. Amano, Y. Kobayashi, I. Akasaki, S. Yamazaki and M. Koike, Appl. Phys. Lett. 65, 593 (1994).104. J. Li, T. N. Oder, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 80, 1210 (2002).105. E. L. Waldron, J. W. Graff, and E. F. Schubert, Apply. Phys. Lett. 79, 2737 (2001).106. A. Yasan, R. McClintock, S. R. Darvish, Z. Lin, K. Mi, P. Kung, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 80, 2108 (2002).107. K. Kumakura, T. Makimoto, and N. Kobayashi, J. Cryst. Growth 221, 267 (2000).108. T. Makimoto, K. Kumakura, and N. Kobayashi, J. Cryst. Growth 221, 350 (2000).109. M. Grundmann and D. Bimberg, Phys. Rev. B 55, 9740 (1997).110. R. T. Phillips, D. J. Lovering, G. J. Denton, and G. W. Smith, Phys. Rev. B 45, 4308 (1992).111. Y. Kawakami, Z. G. Peng, Y. Narukawa, S. Fujita, S. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 1414 (1996).112. C.-M. Lee, C.-C. Chuo, J.-F. Dai, X.-F. Zheng, and J.-I. Chyi, J. Appl. Phys. 89, 6554 (2001).113. T. Takeuchi, C. Wetzel, S. Yamaguchi, H. Sakai, H. Amano, I. Akasaki, Y. Kaneko, S. Nakagawa, Y. Yamaoka, and N. Yamada, Appl. Phys. Lett. 73, 1691 (1998).
|