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。中文提要：
我們利用含IPA的KOH溶液，在矽晶片上非等向蝕刻出約200微米的U型槽。
在此U型槽上鍍金之後，再將約100微米高的半導體雷射放入所蝕刻出來的
槽中 利用所蝕刻出U型槽的側面 (111)或(110)面作為反射面，來反射
半導體雷射二 極體所發出來的光而做為面射型雷射。
在實驗過程中，會探討不同蝕刻的條件對蝕刻出的面平整度所造成的影響
。我們所蝕刻出最佳的反射面，其反射效率能達 87%。此外還利用一些微
成型 技術的技巧來蝕刻出光纖槽，將光纖透鏡置於半導體雷射與反射
面中間，改變 光行進方向與雷射光場型，因而改善面射型雷射光的特
性。
。英文提要：
We use the KOH solution containing IPA to anisotropically etch
200um depth U-groove on silicon wafer.After coating gold
film on the silicon wafer, we can put laser diode about
100um high on U-groove.The side surface (111) or
(110)can be used to reflect laser beam in order to
fabricate surface emitting laser.In this experiment proess, we
will discuss the relation about the roughnessof
etching surface and the etch- hing condition.By change the
condition we can etch the reflection the surface which
reflection effeciency can reach 87%.We alsoo etch V-groove
to put rod lens to change the direction of laser beam and laser
beam pro- file to improve the characteristics of surface
emitting laser.
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