本研究針對固態銀與液態銦反應生成介金屬化合物之型態、成長速率及潤濕行為進行
研究；並探討銀基板與含飽和銀之液態銦界面反應，觀察其型態及介金屬化合物成長動力
學；另外，界面反應生成之介金屬化合物之配製及以銀基板蒸鍍銦薄膜進行接合反應，亦
是研究重點。
針對銀銦界面反應
實驗結果顯示溫度在200℃到400℃，界面生成介金屬化合物Ag2In，其成長遵循拋物線定
律可視為擴散控制，求得此界面反應之活化能為Q=41.55 kJ/mole。銦液滴在銀基板之潤
濕性研究中，溫度高於300℃之潤濕效果較溫度低於300℃之潤濕效果佳。對於含飽和銀之
液態銦與銀基板之界面反應，溫度在200℃到400℃間，介金屬化合物之成長亦為擴散控制
，且其界面反應活化能為Q=50.85 kJ/mole。利用真空封管熔煉配製介金屬化合物Ag2In，
其破斷面為脆性穿晶劈裂。另外，以銦薄膜進行銀片的接合，接合條件在溫度300℃、350
℃及400℃，時 5分鐘時，接合情形良好。
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