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外文摘要
目次
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研究生:
賴裔澄
研究生(外文):
Yi Cheng Lai
論文名稱:
合金金屬之熱退火效益於CIGS光電池效能之分析
論文名稱(外文):
The effect of thermal treatment for metal alloys on CIGS solar cells
指導教授:
鄭光煒
指導教授(外文):
K. W. Cheng
學位類別:
碩士
校院名稱:
長庚大學
系所名稱:
化工與材料工程學系
學門:
工程學門
學類:
化學工程學類
論文種類:
學術論文
論文出版年:
2010
畢業學年度:
98
論文頁數:
92
中文關鍵詞:
合金歐姆接觸
、
退火
、
傳輸線模型
外文關鍵詞:
alloyed ohmic contact
、
anneal
、
transmission line model
、
CIGS
、
AZO
相關次數:
被引用:0
點閱:329
評分:
下載:0
書目收藏:0
薄膜太陽能電池由於在成本上的優勢,包括材料的節省、製程簡單化、可大面積生產等特點,相對於傳統矽晶太陽能電池具有較大的潛能成為下一代太陽能電池的主流,而薄膜太陽能電池中早期較偏重矽薄膜之發展,但轉換效率一直無法提升,近期另一型銅銦鎵硒(Copper Indium Gallium Selenide,CIGS)薄膜太陽能電池漸受矚目,此材料具有以下幾項優勢(1)成本低(2)製程能源需求低(3)大面積元件效率高(4)量產成品良率高(5)基材應用範圍廣泛(玻璃基板、不銹鋼、塑膠聚合物、錫箔等可撓式基板)。在眾多種類薄膜太陽能電池中,CIGS 薄膜太陽能電池穩定性及轉換效率都已經相當優異,相信是未來薄膜太陽能電池發展的主流。
在本研究中,吾人嘗試在導電膜氧化鋅鋁 (Al-doped zinc oxide,AZO)上蒸鍍二種不同的金屬組成,分別為Ni/Ag、Ni/Au,將試片分成數批經歷不同的退火條件,接著利用傳輸線模型(Transmission line model,TLM)量測其金屬材料和導電膜AZO之間的歐姆接觸特徵電阻(ρc) ,其中以Ni/Au金屬組成在導電膜AZO上,熱退火350℃以下皆可獲得最佳的熱穩定性。
本研究亦將特徵電阻效應及穩定性最佳的Ni/Au金屬組成蒸鍍在銅銦硒(Copper Indium Selenide,CIS)薄膜太陽能電池上,同樣獲得相同的結果,由此實驗證明,Ni/Au金屬組成在CIS薄膜太陽能電池上,可以獲得較佳的熱穩定性。
Due to the features of saving material, simple process, large-scale fabrication, etc., the thin film solar cell is a potential candidate of low cost solar energy product. Among the thin film solar cell products, amorphous silicon attracts more intention and has been developed. However, there is a barrier for the improvement of efficiency by using this material. In recent years, another thin film material, Copper Indium Gallium Selenide (CIGS), becomes the a interesting material due to its advantages, such as : (a) low fabrication cost, (b) low energy requirement for manufacture, (c) large area device with higher efficiency, (d) high production yield and (e) flexible usage of substrate (ex. glass, stainless, polymer, tin foil, etc.) It is believed that the CIGS will be the main stream of thin film solar cell.
In this study, we try to deposit various metal materials on Al-doped zinc oxide (AZO) conduction film. The metal materials include Ni/Ag and Ni/Au in this study. After deposition of metal alloy, the samples were annealed with different annealed temperature in the range of 200~400℃. We use the transmission line model (TLM) method to analyze the ohmic contact resistivity of samples.
In addition, this study also deposited the optimized metal materials/AZO on Copper Indium Selenide (CIS) thin film solar cell. Then the samples were processed with different annealing conditions. The efficiency stability of solar cell is also analyzed.
目 錄
指導教授推薦書……………………………………………………
口試委員會審定書………………………………………………………
授權書………………………………………………………………….
誌謝……………………………………………………………………iv
中文摘要…………………………………………………………………v
英文摘要……………………………………………………………….vi
目錄……………………………………………………………………vii
附圖目錄………………………………………………………………ix
附表目錄………………………………………………………………xii
第一章 緒論…………………………………………………………..1
1.1 前言……………………………………………………………1
1.2 研究背景與動機………………………………………………1
第二章 理論介紹…………………………………………………..3
2.1 CIGS太陽電池介紹……………………………………………3
2.2太陽電池之理論………………………………………………6
2.3太陽電池分類…………………………………………………11
2.4歐姆接觸理論…………………………………………………15
2.5電流傳導機制…………………………………………………17
2.6傳輸線模型……………………………………………………18
2.7氧化鋅鋁(Al-doped zinc oxide,AZO)透明導電薄膜………21
2.8四點探針法……………………………………………………22
第三章 實驗內容……………………………………………………….24
3.1歐姆接觸製程…………………………………………………24
3.2特徵接觸電阻(ρc)的量測……………………………………26
3.3 AZO導電膜在不同退火溫度條件下之片電阻變化關係……28
3.4相關儀器設備…………………………………………………28
3.4.1 微影製程……………………………………………………28
3.4.2蒸鍍機………………………………………………………32
第四章 結果分析與討論……………………………………………35
4.1 AZO導電膜之片電阻量測比較………………………………35
4.2 TLM量測比較…………………………………………………37
4.2.1 TLM數據整理及特徵電阻ρc值計算……………………37
4.2.2各種退火條件TLM數據整理及特徵電阻ρc值計算……39
4.2.3各種退火條件特徵電阻ρc值整理…………………………59
4.2.4數據結果分析………………………………………………59
4.3 Ni/Au 合金金屬在CIS 太陽能電池上效應分析……………62
第五章 結論與建議…………………………………………………81
參考文獻…………………………………………………………….…82
附圖目錄
第二章 理論介紹…………………………………………
2.1 CIGS 太陽電池結構圖…………………………………………4
2.2 CIGS材料對光吸收之吸收係數………………………………5
2.3 太陽光譜圖……………………………………………………6
2.4 AMm示意圖……………………………………………………7
2.5 太陽電池工作原理……………………………………………8
2.6 太陽電池I-V特性曲線圖………………………………………10
2.7 太陽電池之等效電路圖………………………………………11
2.8 太陽電池以材料不同之區分圖………………………………12
2.9 金屬與重摻雜N型半導體界面之能帶圖……………………16
2.10 電流傳導機制………………………………………………18
2.11 傳輸線模型的等效電路……………………………………20
2.12 傳輸線模型的電阻值與距離關係圖………………………21
第三章 實驗內容
3.1 傳輸線模型之尺寸示意圖……………………………………27
3.2 元件製程流程圖………………………………………………27
3.3 正負光阻示意圖………………………………………………30
3.4 旋轉塗佈示意圖………………………………………………30
3.5 高溫蒸鍍機系統………………………………………………33
3.6電子束蒸鍍機…………………………………………………33
3.7 合金金屬在CIS太陽能電池上之效應分析流程圖……….…34
第四章 實驗結果
4.1 AZO片電阻與溫度關係圖……………………………………36
4.2 Ni/Ag-A點(25℃)電阻值與距離關係圖………………………39
4.3 Ni/Ag-B點(25℃)電阻值與距離關係圖………………………40
4.4 Ni/Ag-C點(25℃)電阻值與距離關係圖………………………40
4.5 Ni/Ag-A點(200℃)電阻值與距離關係圖………………………41
4.6 Ni/Ag-B點(200℃)電阻值與距離關係圖………………………42
4.7 Ni/Ag-C點(200℃)電阻值與距離關係圖………………………42
4.8 Ni/Ag-A點(250℃)電阻值與距離關係圖………………………43
4.9 Ni/Ag-B點(250℃)電阻值與距離關係圖………………………44
4.10 Ni/Ag-C點(250℃)電阻值與距離關係圖……………………44
4.11 Ni/Ag-A點(300℃)電阻值與距離關係圖……………………45
4.12 Ni/Ag-B點(300℃)電阻值與距離關係圖……………………46
4.13 Ni/Ag-C點(300℃)電阻值與距離關係圖……………………46
4.14 Ni/Ag-A點(350℃)電阻值與距離關係圖……………………47
4.15 Ni/Ag-B點(350℃)電阻值與距離關係圖……………………48
4.16 Ni/Ag-C點(350℃)電阻值與距離關係圖……………………48
4.17 Ni/Au-A點(25℃)電阻值與距離關係圖………………………49
4.18 Ni/Au-B點(25℃)電阻值與距離關係圖………………………50
4.19 Ni/Au-C點(25℃)電阻值與距離關係圖………………………50
4.20 Ni/Au-A點(200℃)電阻值與距離關係圖……………………51
4.21 Ni/Au-B點(200℃)電阻值與距離關係圖……………………52
4.22 Ni/Au-C點(200℃)電阻值與距離關係圖……………………52
4.23 Ni/Au-A點(250℃)電阻值與距離關係圖……………………53
4.24 Ni/Au-B點(250℃)電阻值與距離關係圖……………………54
4.25 Ni/Au-C點(250℃)電阻值與距離關係圖……………………54
4.26 Ni/Au-A點(300℃)電阻值與距離關係圖……………………55
4.27 Ni/Au-B點(300℃)電阻值與距離關係圖……………………56
4.28 Ni/Au-C點(300℃)電阻值與距離關係圖……………………56
4.29 Ni/Au-A點(350℃)電阻值與距離關係圖……………………57
4.30 Ni/Au-B點(350℃)電阻值與距離關係圖……………………58
4.31 Ni/Au-C點(350℃)電阻值與距離關係圖……………………58
4.32 Ni/Ag特徵電阻ρc (Ω-cm2) 與溫度關係圖…………………65
4.33 Ni/Au特徵電阻ρc (Ω-cm2) 與溫度關係圖…………………66
4.34 Ni/Ag 退火前金屬表面………………………………………67
4.35 Ni/Ag 退火200℃ 後金屬表面………………………………68
4.36 Ni/Ag退火250℃ 後金屬表面………………………………69
4.37 Ni/Ag退火300℃ 後金屬表面………………………………70
4.38 Ni/Ag退火350℃ 後金屬表面………………………………71
4.39 Ni/Ag退火400℃ 後金屬表面………………………………72
4.40 Ni/Au 退火前金屬表面………………………………………73
4.41 Ni/Au 退火200℃ 後金屬表面………………………………74
4.42 Ni/Au退火250℃ 後金屬表面………………………………75
4.43 Ni/Au退火300℃ 後金屬表面………………………………76
4.44 Ni/Au退火350℃ 後金屬表面………………………………77
4.45 Ni/Au退火400℃ 後金屬表面………………………………78
4.46 Class A One sun (100mw/cm2) 量測CIS太陽能電池電流-電壓(I-V)關係圖……………………………………………………80
附表目錄
第四章 實驗結果………………………………………………………..
4.1 AZO片電阻與溫度關係表……………………………………36
4.2 Ni/Ag TLM (25℃)數據………………………………………38
4.3 Ni/Ag TLM (200℃)數據………………………………………41
4.4 Ni/Ag TLM (250℃)數據………………………………………43
4.5 Ni/Ag TLM (300℃)數據………………………………………45
4.6 Ni/Ag TLM (350℃)數據………………………………………47
4.7 Ni/Au TLM (25℃)數據………………………………………49
4.8 Ni/Ag TLM (200℃)數據………………………………………51
4.9 Ni/Ag TLM (250℃)數據………………………………………53
4.10 Ni/Ag TLM (300℃)數據……………………………………55
4.11 Ni/Ag TLM (350℃)數據………………………………………57
4.12 Ni/Au TLM特徵電阻ρc (Ω-cm2)……………………………63
4.13 Ni/Au TLM特徵電阻ρc (Ω-cm2)……………………………64
4.13 Class A One sun (100mw/cm2) 量測CIS太陽能電池數據……………………………………………………………………54
[1]N. Stavitski,1 M. J. H. van Dal,2 R.A.M. Wolters,1,3 A.Y. Kovalgin,1 J. Schmitz1,,“Specific Contact Resistance Measurements of Metal-Semiconductor Junctions”, Proceedings of the IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), 6-9 Mar 2006, Austin, TX, USA. pp. 13-17.
[2]L K Makt, C M Rogersi and D C Northrop,” Specific contact resistance measurements on semiconductors”, J. Phys. E: Sci. Instrum. 22 (1989) P317-321.
[3]劉旺林, 〈CIGS太陽能電池製程設備介紹〉, 財團法人精密機械研究發展中心,民國98年.
[4]ITRI,〈CIGS薄膜太陽能電池的近況應用發展〉,材料與化工所,民國97年.
[5]季法文,〈CIGS太陽電池技術現況與發展趨勢〉,中山科學研究院材料暨光電研究所,民國98年.
[6]廖曰淳,〈銅銦鎵硒薄膜太陽能電池技術與應用趨勢〉,工研院材料與化工研究所,民國97年.
[7]S. O. Kasap, “ Optoelectronics and photonics principles and practices “, Prentice Hall,(2003) P 286-305.
[8]李岳穆,〈在矽基板上研製砷化鎵太陽能電池〉,大葉大學電機研究所,碩士論文, 民國96年.
[9]葉翳民,〈電化學沉積CIGS太陽能電池〉,吳鳳技術學院,民國98年.
[10]郭家豪,〈成長於砷化鎵基板之砷化銦鎵太陽能電池之研究〉,國立中興大學,碩士論文,民國98年.
[11]陳立千,〈p型氮化鎵低電阻歐姆接面微結構研究〉,國立清華大學,博士論文,民國89年.
[12]Y.T.Liao,〈4-point probe user manual〉,國科會南區微系統研究中心,民國94年.
[13]H. G. Hnry,” Characterization of Alloyed AuGeINilAu Ohmic Contacts to n-Doped GaAs by Measurement of Transfer Length and Under the Contact Sheet Resistance”, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 36(1989) P-1-1.
[14]張景學,吳昌崙,《半導體製程技術》,文京圖書有限公司, (2000) P195-208.
[15]吳昇樺,〈利用熱脫附法分析氧化鋅摻鋁薄膜的熱穩定性〉,崑山科技大學,碩士論文,民國98年.
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