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和磷化銦晶格常數匹配的砷化鎵銦有較小的有效質量，高電子移動率，高峰值速度和
大的γ-L谷分離等優點，可和磷化銦配合製作調變摻雜結構而應用於高速元件的設計
。且它具有直接能隙的結構，能隙為0.75ev(1.65μm) ，是用來製作光纖通訊系統中
操作波長範圍1.3∼1.5 μm光檢測器的理想材料。而砷化鋁銦和砷化鎵銦有很大的導
帶不連續，亦是非常吸引人的特點而可應用於元件的製作。本文即欲採用低壓有機金
屬氣相磊晶法成長與磷化銦晶格常數匹配的砷化鎵銦、砷化鋁銦薄膜，晶格匹配點的
成長條件找到後，再成長砷化鎵銦/ 磷化銦與砷化鎵銦/ 砷化鋁銦量子井結構，並應
用於元件之研製。
我們首先以三甲基銦與磷化氫成長磷化銦晶膜，再選擇三乙基鎵、三甲基銦、三甲基
鋁及砷化氫成長砷化鎵銦及砷化鋁銦晶膜，固定三甲基銦流量配合磷化銦之成長而調
變三乙基鎵與三甲基鋁流量來尋求匹配點，以X 光繞射分析觀察晶格匹配的程度，並
改變成長壓力、溫度、反應源流量來檢視其對特性之影響以尋求最佳成長條件。然後
分別以矽烷及二乙基鋅做n 型、p 型摻雜之研究。以光激放光技術及霍爾效應測試其
光電特性。磷化銦、砷化鎵銦、砷化鋁銦晶膜在室溫之移動率分別為4916.26 、9190
與2359.88 cm /V‧S, 10K 下PL測試信號之半高寬值則為8.32、5.63和85.68meV。
成長井寬漸變的量子井結構，由橫截面穿透式電子顯微鏡觀察確知異質接面陡峭，特
性良好；以光激放光技術來觀察能量躍遷值的變化，並和理論計算之結果做比較。最
後以砷化鎵銦/ 砷化鋁銦量子井結構研製雙障壁共振透二極體，峰值/ 谷值電流比達
1.22。
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