I-III-VI族三元黃銅礦(Chalcopyrite)半導體在非線性光學及光電元件上具有極大
潛力，而其中又以二硫化銅銦(CulnS2)為本文所研究的重點，因其非常適合用來當
做太陽電池。
CulnS2直接能隙為1.53電子伏特，在不需摻雜的情形下即可由控制在銅和硫中退火
(anealed) 來得到良好的n 型和p 型導電態，且其太陽電池轉換效率已達到>10%，
因此近年來I-III-Vl族半導體成為被各界研究並探討的焦點。
由於三元化合物半導體本身所具有的複雜性，因此我們先建立一個系統化的理論來
探討CulnS2之化學計量組成(stoichiometry) 和光電特性之間的關係，來預測並將
CulnS2薄膜的組成偏差與光電特性聯結起來。但由於組成上的化學計量偏差所引起
的本質缺陷與複合缺陷，深深的影響了化合物半導體的光電特性，因此在應用上增
添了些許困難。
我們研究激子放射、近緣放射和寬能帶放射，同時也研究它們在缺陷化學上的相關
性( 或化學計量上的偏差 )。以缺陷化學為基礎，PL的頻譜與與組成偏差的變化有
極為密切的相關性，也是CulnS2晶體非化學計量的一項實驗證明。
主宰缺陷會造成CulnS2晶體的近緣放射和寬能帶放射，且能夠被鑑定出來，並可由
自由激子放射基態的能量來計算CulnS2的能隙，我們找出並計算出在2K時其能隙為
~1.556 eV。比較由寬能帶放射推論的游離能，激子放射也能被指出。
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