臺灣博碩士論文加值系統

因經濟與工業的快速發展，非再生能源（石油、煤、天然氣等）大量的使用，消耗了地球有限的資源，而本研究中所使用的就是再生能源中的熱電材料。熱電材料是一種可以將電能與熱能互相做轉換的材料，除了可作為再生能源材料、使用於溫差發電外，也可做成致冷晶片。而近年來，半導體產業發展快速，為突破效能，製程尺寸越做越小，所以材料的散熱非常重要，因此熱電薄膜材料在此方面之應用研究亦越蓬勃發展。本研究中以長有二氧化矽(SiO2)之矽(Si)基板為主要基材，再使用射頻磁控濺鍍系統沉積Ag25Sb25Se5Te45薄膜在基材上，透過改變製程參數後對於Ag25Sb25Se5Te45薄膜的影響。場效發射掃描式電子顯微鏡(Field emission scanning electron microscope，FE-SEM)觀察薄膜表面與截面再量測薄膜厚度，後以X光繞射儀(X-ray diffraction，XRD)檢測Ag25Sb25Se5Te45薄膜表面結晶相，並藉由薄膜分析塞貝克效應(Seebeck effect)然後計算功率因數(Power factor)，再以霍爾量測儀(Hall effect analyzer)測量電阻率(Resistivity)、載子濃度(Carrier concentration)及載子遷移率(Mobility)，以找尋實驗中射頻功率、沉積時間、製程壓力及反應氣體流量最佳的參數。

Due to rapid economic and industrial development, high usage of non-renewable resources (petroleum, coal, natural gas…etc.) deplete those limited resources on Earth, and the resource used in this research is thermoelectric material, which is a kind of renewable resources. Thermoelectric material is a type of material which can help electrical and thermal energy transform with each other. Apart from being renewable resource material and used in thermoelectric generation, it can also be used to make cooling wafer. In recent years, as semiconductor industry grows rapidly, to increase efficiency, the size of output processing becomes smaller and smaller. This leads to the increasing importance of radiating of materials, so the study of usage of thermoelectric thin films material also develop vigorously.
The antimony-telluride Ag25Sb25Se5Te45 thermoelectric thin films were deposited on SiO2/Si substrates by using the sputtering method. The effects of deposition power on the microstructures and thermoelectric properties of the Ag25Sb25Se5Te45 thin films were investigated. The crystal structure and surface morphology of the Ag25Sb25Se5Te45 thin films were characterized by X-ray diffraction analysis and field emission scanning electron microscope. We found that the Ag25Sb25Se5Te45 thin films showed the amorphous structure.

摘要
Abstract
致謝
目錄
圖目錄
第一章 緒論
1.1 簡介
1.2 研究動機及目的
第二章 文獻回顧
2.1 熱電原理
2.1.1 Seebeck效應
2.1.2 Peltier效應
2.1.3 Thomson效應
2.1.4 熱電優值
2.2 熱電材料發展
2.3 薄膜技術
2.3.1 射頻磁控濺鍍法
2.3.2 真空蒸鍍法
2.3.3 有機金屬化學氣相沉積法
2.3.4 分子束磊晶成長法
2.3.5 電化學沉積法
2.3.6 脈衝雷射沉積法
第三章 實驗方法與步驟
3.1 實驗流程
3.2 薄膜製備
3.3 性質分析
3.3.1 X光繞射分析
3.3.2 場發射掃描式電子顯微鏡
3.3.3 霍爾分析儀
3.3.4 塞貝克係數量測儀
第四章 結果與討論
4.1 X-ray結構分析
4.2 FE-SEM微結構
4.3 Hall分析
4.4 Seebeck分析
4.5功率因子分析
第五張結論
參考文獻
研討會證明

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