與磷化銦晶格匹配的砷化鋁銦/ 砷化鎵銦異質結構目前已被廣泛研究，由於本結構具
有大的導電帶邊緣的不連續，此外在砷化鎵銦存在高的移動率與高的電子飽和速度。
在本文中，我們成功地以低壓有機金屬氣相沉積法成長砷化鋁銦/ 砷化鎵銦/ 磷化銦
異質結構，並且研製成元件。
三族的來源採用三甲基銦，三乙基鎵與三甲基鋁，至於五族的來源則採用砷化氫與磷
化氫。負型摻雜源則採用矽烷。為了使成長出的晶膜能夠應用於元件，因此高品質的
晶膜是必須的。未摻雜與負型晶膜特性是藉著表面型態，霍爾效應測試，X-光繞射分
析儀及光激放光技術....等等。
二維電子雲的電子移動率是7570 cm /v‧s 在室溫下與15580 cm /v‧s在77K 下，並
具有1.72×10 cm 的薄層電子密度。我們使用此結構研製成異質介面場效電晶體。
此異質介面場效電晶體的能障高度是0.54ev，並由電流－電壓特性得知其互導值為47
mS/mm與汲極電流密度為104 mA/mm 在室溫下，和在77K 下其互導值為75 mS/mm與汲
極電流密度為91 mA/mm。
磷化銦磊晶膜的最佳移動率在室溫下可達4916 cm /v‧s ，濃度為3.52×10 cm ，
並且光激光頻譜的半高寬為8.32 mev在10 K下。砷化鎵銦與砷化鋁銦的最佳移動率在
室溫下分別可達9190與2360cm /v‧s，濃度分別為6×10 與4.77×10 cm ，而且
光激放光頻譜的半高寬分別為5.63 mev與84 mev。
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