本實驗採用溫度梯度溶液長晶法(Temperature Gradient Solution
Growth)，以碲當溶劑(Te-rich)成功地由元素材料合成全系列的碲化鋅鎘
晶體。此外，在碲化鋅鎘晶體成長過程中，我們也嘗試摻雜氯(Cl)或釩(
V)來補償鎘空位(Cd-vacancy)，以獲得可製作輻射偵檢器的高阻值碲化鋅
鎘晶體。 由X-ray 繞射量測所定出晶格常數，我們已經確定由Te-
rich的溫度梯度溶液長晶法，的確可以合成全系列的碲化鋅鎘晶體。利用
光激螢光( PL)量測發現以溫度梯度溶液長晶法所成長的碲化鋅鎘晶體，
縱向組成存在有鋅的偏析效應，徑向組成則相當均勻；而且在光激螢光譜
上，可發現數種不同型態的激子躍遷所放出的光譜。全系列的碲化鋅鎘晶
體為P-type，載子移動率為50∼70 cm^2／V．sec ，腐蝕坑洞密度為10^4
∼10^5／ cm^2。由於低的長晶溫度(900℃)及大溫度梯度(>20℃／cm^2)
的特點，故在晶體所做傅利葉轉換紅外光譜量測(FTIR)中，可斷定垂直式
布里茲曼法所成長的晶體具有較低的鎘空位，並且在鋅莫耳分率小於0.6
的晶體中看不出有大量碲沉積(Te-precipitate)的存在。藉由氯或釩摻雜
所成長的晶體，我們從光激螢光量測上可看出的確達到補償鎘空位的效果
。在製成光導式輻射偵檢元件後，對Am(原子量241)輻射源59.5keV能量解
析的半波高寬(FWHM)：對CdTe:Cl(300ppm)為4.97 keV，而對鋅莫耳分
率0.04的CdZnTe:Cl(1000ppm)為4.53keV。對Co(原子量57)輻射源122keV
能量解析的半波高寬：CdTe:Cl(300ppm)為6.66keV，對鋅莫耳分率0.04的
CdZnTe:Cl(1000ppm)為6.04keV皆已達商用水準。
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