本研究採取電極高週波電漿化學氣相沉積法進行鑽石培育，氣體種類有氫氣、甲烷、
一氧化碳和二氧化碳，預期能在矽基板上成長鑽石晶體。
在儀器設備所能達到的範圍內，以傳統的甲烷與氫氣進行各種不同條件的實驗，成果
並不令人滿意，於是改通一氧化碳與二氧化碳取代甲烷的角色，終於因氧原子的效應
，成功地在矽基板上成長鑽石。
鍍層的結晶性質、表面形態、元素相對含量、雜質多寡等性質以XRD、SEM、AES
、RAMAN 等方法進每分析與鑑定，發現有些試至之AES 分析出現鐵元素，可能來自鋼
質材料的電極板，加上既使XRD 分析顯示鍍層結晶性質良好，其SEM 照片上晶形亦不
佳，此乃歸因於本套系統有強烈的離子濺射現象，而本研究之鑽石培育條件如此嚴苛
，離子濺射也是一主要原因。
|