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研究生:張啟泰
研究生(外文):Chi-Tai Chang
論文名稱:在室溫下用不同氧分壓條件以離子束濺鍍製備氧化鋅薄膜之研究
論文名稱(外文):ZnO thin films deposited under various oxygen partial pressures by ion beam sputtering at room temperature
指導教授:徐進成
學位類別:碩士
校院名稱:輔仁大學
系所名稱:物理學系
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2009
畢業學年度:97
語文別:中文
中文關鍵詞:氧化鋅氧分壓離子束濺鍍
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近年來,氧化鋅透明材料吸引了許多注意,它具有好的半導體特性及壓電與強磁特性,因此可以應用在許多方面,如:半導體、微機電和光電產業等。鍍製氧化鋅薄膜的方法很多,有溶膠凝膠法、化學氣相沉積法、脈衝雷射沉積法、磁控濺鍍法與離子束濺鍍法等。氧化鋅薄膜沉積的過程中,許多加溫或改變結構的研究,甚少探討氧氣多寡在薄膜化合時對光、電與結構的特性之影響。故本研究將以離子束濺鍍系統在室溫下進行改變氧壓之氧化鋅薄膜研究。
本研究中,使用離子束濺鍍系統在室溫下於B270和矽基板上鍍製氧化鋅薄膜。研究發現,氧壓的多寡與氧化鋅薄膜光、電與結構特性密切相關。當氧分壓在1.0×10^(-4)torr以上,可見光穿透率皆在80%以上。使用X-ray繞射量測薄膜,發現當氧分壓在1.0×10^(-4)torr以上,(002)峰值隨著氧壓的多寡而變化。此外,在氧分壓為1.2×10^(-4)torr鍍製,氧化鋅薄膜有最低的電阻值約2.4×10^(-3)Ω-cm。經由晶粒大小分析結果發現,電阻主要受氧空缺影響,最後使用原子力顯微鏡量測薄膜表面粗糙度。由此實驗可知氧分壓不足的情況下,次氧化物形成影響到薄膜光、電特性。
目錄
中文摘要‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧i
英文摘要‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧ii
誌謝‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧iv
目錄‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧v
圖目錄‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧vii
表目錄‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧ix
第一章 緒論‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧1
第二章 實驗理論‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧4
2.1 ZnO材料特性‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧4
2.2 離子束濺鍍系統‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧6
2.3 薄膜沉積理論‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧12
第三章 實驗儀器與架構‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧14
3.1 實驗流程‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧14
3.2 實驗設置‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧14
3.2.1 實驗前準備‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧14
3.2.2 實驗參數設定‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧15
3.3 量測儀器‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧16
3.3.1 鍍膜速率與薄膜厚度量測‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧16
3.3.2 穿透光譜量測‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧19
3.3.3 光學特性量測‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧22
3.3.4 導電率量測‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧24
3.3.5 X光繞射量測‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧27
3.3.6 表面粗糙度量測‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧29
第四章 實驗結果與討論‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧32
4.1 氧分壓對鍍膜速率之影響‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧32
4.2 光學特性分析‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧33
4.2.1 氧分壓對穿透光譜之影響‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧33
4.2.2 氧分壓對光學係數之影響‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧35
4.3 氧分壓對電阻率之影響‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧37
4.4 結構特性分析‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧39
4.4.1 氧分壓對XRD特性之影響‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧39
4.4.2 氧分壓對表面微結構之影響‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧42
第五章 結論‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧46
參考文獻‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧48
參考資料
[1] H. L. Hartangel, A. L. Dawar, A. K. Jain, and C. Jagadish, Semiconducting Transparent Thin Films(Institute of Physics Publishing, London, 1995).
[2] G. Du, Y. Zhang, Y. Ma, X. Yang, B. Zhao, B. Liu, T. Yang, H. Yang, and D. Liu, “ZnO thin films grown by plasma-assisted metal-organic vapor phase epitaxy”,IEEE 03, 292-296, (2003).
[3] J. W. Park, J. K. Kim, and K. Y. Suh, “Fabrication of zinc oxide nanostructures using solvent-assisted capillary lithography”,Nanotechnol. 17, 2631-2635, (2006)
[4] Z. Y. Xiaoa, Y. C. Liu, D. X. Zhao, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, D.Z. Shen, and X. W. Fan, “Optical property of hexagonal nanocrystalline ZnO film on Si substrate prepared by plasma-enhanced CVD”, J. of Luminesc. 122–123, 822-824, (2007).
[5] E. Çetinörgü, S. Goldsmith, and R. L. Boxman, “The effect of annealing on filtered vacuum arc deposited ZnO thin films”, Surf. & Coat. Technol. 201, 7266-7272, (2007).
[6] P. Pant, J. D. Budai, R. Aggarwal, R. J. Narayan, and J. Narayan, “Structural characterization of two-step growth of epitaxial ZnO films on sapphire substrates at low temperatures”, J. of Phys. D: Appl. Phys. 42, 105409-105416, (2009) .
[7] A. O. Dikovska, P. A. Atanasov, T. R. Stoyanchov, A. T. Andreev, E. I. Karakoleva, and B. S. Zafirova, “Pulsed laser deposited ZnO film on side-polished fiber as a gas sensing element”, Appl. Opt. 46, No. 13, 2481-2485, (2007).
[8] P. Samarasekara, A. G. K. Nisantha, and A. S. Disanayake, “High Photo-Voltage Zinc Oxide Thin Films Deposited by DC Sputtering”, Chinese J. of Phys. 40, No. 2, 196-199, (2002).
[9] N. Ekem, S. Korkmaz, S. Pat, M. Z. Balbag, E. N. Cetin, and M. Ozmumcu, “Some physical properties of ZnO thin films prepared by RF sputtering technique”, Internat. J. of Hydrogen Energy, ,1-5, (2009).
[10] S. J. Young, L. W. Ji, S. J. Chang, S. H. Liang, K. T. Lam, T. H. Fang, K. J. Chen, X. L. Du, and Q. K. Xue, “ZnO-based MIS photodetectors”, Sensors and Actuators A 141, 225-229, (2008).
[11] H. M. Janust, “A room temperature ZnO acoustoelectric
microwave oscillator”, J. of Phys. D: Appl. Phys. 3, 1993-1998, (1970).
[12] W. Lihui, G. Guoyou, S. Jialin, and Y. Jikang, “Preparation and characterization of layered low-voltage ZnO varistors”, J. of Semicond. 30 No. 3 033002, 1-4, (2009).
[13] S. J. Park, “Growth of p-type ZnO and its application to ZnO LEDs”, OSA, (2006).
[14] J. Fallert, R. Dietz, F. Stelzl, H. Zhou, C. Klingshirn, and H. Kalt, “Gain Competition and Mode Shifts in ZnO Nanorod Lasers”, OSA, (2008).
[15] 楊明輝, 透明導電膜(藝軒圖書出版社, 台北市, 2006).
[16] H. R. Kaufman, Operation of broad-beam source, (Commonwealth Scientific Corporation, Alexandria Virginia, 1987).
[17] 李正中, 薄膜光學與鍍膜技術(藝軒圖書出版社, 台北市, 2006).
[18] 柯賢文, 表面與薄膜處理技術(全華圖書股份有限公司, 台北市, 2005 ).
[19] 陳進賢, “End-Hall 離子源輔助熱蒸鍍MgF2之研究”, 私立輔仁大學物理系碩士論文, 27-30, (2004).
[20] D. k. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization(A Wiley-Interscience Publication, Hoboken, 2006).
[21] 盧天惠, X光繞射與應用(滄海書局, 台中市, 2002).
[22] 伍秀菁, 汪若文, 林美吟, 光學元件精密製造與檢測(國家實驗研究院儀器科技研究中心, 新竹市, 2007).
[23] C. C. Lee, J. C. Hsu, and D. H. Wong, “The characteristics of some metallic oxides prepared in high vacuum by ion beam sputtering.”, Appl. Surf. Science, 171, 151-156, (2001).
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