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本研究範圍是先對矽晶片作好前處理, 再進行無電鍍鎳凸塊。凸塊之 以
大小均勻、位置精確為主，故用高精度之正光阻劑，以影像轉移方 圖形
並以均勻性佳之無電鍍鎳製成內應力小的凸塊，凸塊的高低與之厚度、鍍
的時間長短、鍍液之控制有關。關於鎳粉的無電鍍銅。在鎳粉無電鍍一層
薄薄的銅，目的是要利用鎳粉的磁性及薄層無電鍍銅的高導電率，將其攙
入膠後，再將此導電膠敷在已凸塊化的晶粒上，利用磁場聚集導電膠內的
金屬粉粒於凸塊處。當聚集的金屬粉粒愈多，則有助於提高導電膠之良率
及導電能力。此聚集金屬粉技術可應用在表面黏著元件與印刷電路板間接
合，而 COG技術可應用怕高讀犒q子產品如LCD 。單向導電膠的技術可製
造高密度電路板，促進半導升級。
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