臺灣博碩士論文加值系統

太陽能電池主要的材料為矽，其反射率為30%，表示入射的太陽能光，能量有30%的損失，導致入射光在太陽能電池的光學反射相當大的損失，並造成太陽能電池效率過低，故頇沉積抗反射膜才能有效地降低光在電池表面的反射損失，進而提升入射光至電池內部的機會。如此亦能將光做更有效地利用，進而提升太陽能電池之轉換效率。
本論文主要改善單晶矽(single-crystalline)太陽能電池抗反射層結構，本研究主要利用雙層抗反射膜(Double Layer Anti-Reflection Coating )做為抗反射層，也就是利用電漿輔助化學氣相沉積機台(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)蒸鍍第一層折射率為2.5，厚度為60 nm的 SiNx，以及第二層折射率為1.2，厚度為100 nm的SiO2，並與傳統抗反射層折射率為1.8，厚度為85 nm的SiNx做比較，並利用薄膜測厚儀量測其厚度及折射率。
在使用PECVD製作抗反射層時，由於SiNx質地過於鬆散，容易造成後面燒結製程時會被燒穿造成晶片損傷，因此本實驗嘗試改變PECVD氣體流量比例以及溫度，再利用薄膜特性分析儀量測其薄膜厚度，最後再做成元件，量測其電流電壓特性。

The main material of solar cell- Silicon has 30% reflectance, mean while there will lose 30% energy when solar rays illuminated through the cell. It not only causes a lot of lost, but also prevents the cell from efficiency enhancement. In order to use the solar rays more efficient and improve the conversion efficiency of solar cell, it is necessary to use antireflection layer to reduce the losses of solar reflection on its surface.
This thesis presents the application of solar cell antireflection layer. The influence of antireflection layer was DLARC (Double Layer Anti-Reflection Coating) was used for antireflection layer of the solar cell. We deposit refractive index=2.5, thickness=60 nm SiNx, then deposit refractive index=1.2, thickness=100 nm SiO2. And measure it by n&;k analyzer.
Because of junction damage by sintering process, we change the recipe of PECVD . Finally, we packaging it and testing it’s I/V curve.

第一章 緒論
1-1概述 1
1-2 研究目的動機 6
第二章 太陽能電池基本製成
2-1 基本原理 8
2-2 基本參數 10
第三章 太陽能電池製作流程
3-1 太陽能電池製作流程 17
3-2 製程設備簡介 22
3-3 製程設備簡介二 32
第四章 結果與討論
4-1 電漿輔助化學氣相沉積參數調整
34
4-2 光激螢光量測 (量子效應) 35
4-3 反射率量測 36
4-4 電流電壓量測 37
第五章 結論與未來展望 39
參考文獻 40

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