臺灣博碩士論文加值系統

摘要
以現今電子元件的微小化過程，被動元件也隨著主動IC需要進入微縮的領域，而跟隨著微縮的過程掌控著被動元件中尺寸的關鍵因素便是電鍍，因此如何達到有效的電鍍尺寸控制在這領域變得相對重要。
在本篇論文中探討的是針對已知的沖流場模擬結果，並搭配2007年勤益科技大學蕭韶皇研究的論文主題”沖流式電鍍流場對鍍層膜厚均勻性研究”中得知在使用沖流式錐形流場反應器是以錐狀角度β=3∘情況下可以得到在圓形銅片上可得到較好的均勻度基礎上應用在更微小的被動元件尺寸領域裡，而在本篇論文主要使用的是DOE(Design of Experiment)的方式去設計出適合方形晶片使用的電鍍槽體，以期待能夠找出更穩健的電鍍槽設計，而經過DOE的方式先行篩選出重要的因子選擇，並經由田口實驗設計法參數設計的八大基本原則，找出最佳的組合，經過實驗驗證結果，由原本擺盪式電鍍槽S/N ratio為15.2，經過DOE優化變更為沖流式電鍍機構大幅提升其S/N ratio為25.99，更有效的提升電感元件電鍍時的晶片均勻性。

Abstract
Electronic components miniaturization process now, passive component also need to enter the miniature field with active IC, And the key factor that control passive components following the miniaturization process is electroplating. Therefore, how to achieve plating size control effective is most important thing.
In this paper study, we discuss the simulation result for known flush fields, from 2007 paper by Shau-Huang, Shiau “Study on the uniformity of coating thickness of the plated electroplating flow field”, we known using entire angle (β=3∘) cone-shaped flow field, it is possible to get better a uniformity on a circular copper sheet, which is applied in the field of smaller passive component size, In this paper, mainly method is DOE (Design of Experiment) used to design a plating bath suitable for square wafers, and finding more robust plating design, from DOE method, first to select important factor selections, and find out best combination through eight basic principles of Taguchi experiment design parameter to find out best combination, after experimental verification, the S/N ratio of the original swing bath is 15.2, and from the DOE optimization is flush plating mechanism has great increase S/N ratio to 25.99,which is more effective to improve the wafer plating thickness uniformity

目 錄
中文摘要 ………………………………………………… i
英文摘要 ………………………………………………… ii
誌謝 ………………………………………………… iii
目錄 ………………………………………………… iv
表目錄 ………………………………………………… vi
圖目錄 ………………………………………………… viii
第一章、 緒論…………………………………………… 1
第二章、 文獻回顧與理論……………………………… 5
2-1 電鍍基礎理論………………………………… 5
2-2 電化學極化理論……………………………… 6
2-3 電鍍質傳反應機制…………………………… 7
2-4 影響電鍍的因素……………………………… 8
2-5 實驗設計法…………………………………… 10
第三章、 研究目的與方法……………………………… 16
3-1 研究目的………………………………………. 16
3-2 研究方法………………………………………….. 17
3-2-1 DOE實驗計畫法步驟………………………. 17
3-2-2 實驗藥品………………………………………. 19
3-2-3 儀器設備………………………………………. 19
3-2-4 分析統計軟體…………………………………. 21

第四章、 實驗結果與討論……………………………… 22
4-1 實驗目標為線圈掛鍍均勻性改善…………… 22
4-1-1 擺盪式葉片電鍍QFD品質機能展開特性要因圖 23
4-1-2 篩選因子實驗結果……………………………… 24
4-1-3 優化因子(L9)實驗結果………………………… 26
4-2 新式沖流式電鍍槽DOE篩選因子定義因子條件 28
4-2-1 L12篩選因子實驗結果………………………… 30
4-2-2 篩選因子陰極遮板距離mapping結果………… 32
4-2-3 篩選因子噴頭離陰極距離mapping結果……… 33
4-3 DOE優化因子(L9) &實驗結果因子反應圖…… 35
4-4 DOE再現性確認 ……………………………… 37
第五章、 結論 ………… ……………………………… 38
參考文獻 …………………………………………………. 40

參考文獻
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