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本研究使用雙電子槍鍍膜系統於n-GaAs晶片上製備Cr 60Al40,Cr30Al70,
Cr25Al75和Cr10Al90四種薄膜組成,經過400~900度20秒快速退火處理後,
分析界面微結構及電性 .分別以X光繞射儀(XRD),掃描式電子顯微鏡(
SEM),能量分散光譜分析(EDS),穿透式電子顯微鏡(TEM)和歐傑電子能譜分
析儀(AES)研究微結構及界面熱穩定性,並量測薄膜電阻係數及蕭基二極體
的電流-電壓特性曲線,以計算出能障高和理想因子,探討電性及界面結構
間的關係.結構分析上顯示Cr60Al40/GaAs在800度C時界面擴散反應形成,
而Cr10 Al90/GaAs在700度C,Cr25Al75/GaAs和Cr30Al70/GaAs在 800度C以
後,因兩合金相共存且開始有擴散現象,使得化學熱穩定性變差,表面出現
粗糙的現象,因此造成蕭基二極體電性劣化.四種薄膜組成中,以Cr60Al40/
n-GaAs二極體有較好的蕭基性質,在800度C20秒退火之後的理想因子等於
1.19,而能障高達0.93V,足以符合自對正閘極製程之需求.蕭基能障高隨退
火溫度升高之變化情形大都是遞增趨勢.
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