結晶型的螢光粉經機械粉碎後，其發光強度會下降，此現象稱為Tribo-Quenching 。
本篇主要探討此種發光強度下降與載體結晶歪效應、非結晶層之形成、賦活劑氧化、
散射效應的關係。實驗發現LA螢光粉[3Cd3（Po4）2、CdCl2：Mn] 表面所形成之非結
晶層是引起發光強度下降的主因，此非結晶層是非發光的，故激發光源需通過此dead
-layer才能到達發光中心，故其量子效率自然隨之降低。此外，賦活劑氧化及散射效
應實際上都會引起發光強度的下降，但對LA螢光粉的影響不大。LA螢光粉經粉碎後，
其diffraction pattern並未有brodening的現象發生，故我們可知其內部晶格，並未
受損。LA螢光粉不像ZnS及Zn2SiO4系螢光粉之粉碎效果那樣顯著，這是由於其化學便
是針對V3 100小時粉碎之螢光粉，研究其經粉碎後之種種物性。
螢光粉的粒度大小及分佈是映管著幕成功與否的主因，故適當的選取粒徑是著幕工程
中的首要課題，且由實驗發現在著幕前先將LA螢光粉碎一段時間（3-15小時），可得
到強度較佳的著幕膜。
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