1. 吳文演,奈米材料與技術在紡織產業上之應用,台灣科技大學。2. R. P. Feynman, American Phys. Soc.. 1959.
3. 王建義,薄膜工程學. 2004.
4. Mulder, M., Basic Principles of Membrane Technology. Kluwer Academic. 2nd ed. 1996.
5. 李正中,漫談光學薄膜技術,光電科技雜誌. 2005.
6. C. K. Chiang, C. R. Fincher, Jr., Y. W. Park, and A. J. Heeger,H. Shirakawa, E. J. Louis, S. C. Gau, and Alan G. MacDiarmid, Phys. Rev. Lett., 1977, 39, 1098–1101.
7. S. Lefrant, L. S. Lichtman, M. Temkin, D. C. Fichten, D. C. Miller, G. E. Whitwell and J. M. Burlich, Solid State Commun., 1979, 29, 191.
8. G. B. Street, T. C. Clarke, R. H. Geiss, V.Y. Lee, A. Nazzal, P. Pflunger and J. C.Scott, J. Phys. (Paris), 1983, C3, 599.
9. T. A. Skotheim, R. L. Elsenbaumer, and J. R. Reynolds, Handbook of Conducting Polymers, 2nd ed., 1998, Marcel Dekker, New York.
10. H. S. Nalwa, Handbook of Organic Conductive Molecules and Polymers, vol. 1-4, 1997, Wiley, Chichester, England.
11. P. M. S. Monk, R. J. Mortimer, and D. R. Rosseinsky, Electrochromism: Fundamentals and Applications, 1995, VSH, Weinheim, Germany.
12. K. K. Kanazawa, A. F. Diaz, M. T. Krounbi and G.. B. Street, Synth. Met., 1981, 4, 119.
13. A. F. Diaz and J. A. Logan, J. Electroanal. Chem., 1980, 111, 111.
14. G. Tourillon and F. Garnier, J. Electroanal Chem., 1982, 135, 173.
15. T. P. McAndrew, TRIP., 1997, 5, 7.
16. Fichou, D. Handbook of Oligo- and Polythiophenes, 1999, Wiley-VCH, Weinheim.
17. Tracht, U.;Kirchmeyer, S. 5th International Symposium on Functional pi-Electron System, 2002, Ulm, Germany.
18. Leeuw, D. M. d.; Kraakman, P.A.;Bongaerts, P.F.G.; Muysaers, C.M.J.; Klaassen, D.B.M., Syn. Met., 1994, 66, 263.
19. AG, B. US Patent 5 792 558, 1996.
20. F. Jonas, G. Heywang, W. Schmidtberg, J. Heinze, and M. Dietrich, U.S. Patent, 5,035,926, 1991.
21. F. Jonas and L. Schrader, Synth. Met., 1991, 831, 41-43.
22. G. Heywang and F. Jonas, Adv. Mater., 1992, 116, 4.
23. J. C. Carlberg and O. Inganas, J. Electrochem. Soc., 1997, L61, 144.
24. M. Granstrom, M. Berggren, and O. Inganas, Science, 1995, 267, 1479.
25. A. Elschner, F. Bruder, H. W. Heuer, F. Jonas, A. Karbach, S. Kirchmeyer, S. Thurm, and R. Wehrmann, Synth. Met., 2000, 139, 111.
26. Y. Saito, T. Kitamura, Y. Wada, and S. Yanagida, Syn. Met., 2002, 185, 131.
27. Y. Saito, N. Fukuri, R. Senadeera, T. Kitamura, Y. Wada, and S. Yanagida, Electrom. Commun., 2004, 71, 6.
28. Hupe, J.; Wolf, G. D.; Jonas, F. Galvanotechnik 1995, 86, (10), 3404
29. H. W. Heuer, R. Wehrmann, and S. Kirchmeyer, Adv. Func. Mater., 2002, 89, 12.
30. H. W. Heuer and R. Wehrmann, U.S. Patent, 6,403,741, 2002.
31. H. W. Heuer and R. Wehrmann, U.S. Patent, 9,452,711, 2002.
32. Z. L. Pei, C. Sun, M. H. Tan, J. Q. Xiao, D. H. Guan, R. F. Huang,and L. S. Wen, J. Appl. Phys., 2001, 90, 3432-3436.
33. C. Agashe, O. Kluth, J. Hupkes, U. Zastrow, B. Rech, and M. Wuttig, J. Appl. Phys., 2004, 95, 1911-1917.
34. R.S. Wanger, W. C. Ellis, Appl.Phys. Lett., 1964, 4, 89.
35. X. F. Duan, C. M. Lieber, Adv. Mater., 2000, 12, 298.54
36. X.F. Duan, C. M. Lieber, J. Am. Chem. Soc., 2000, 122, 188.
37. H. J. Fan, R. Scholz, F. M. Kolb, M. Zacharias, Appl. Phys. Lett., 2004, 85, 4142.
38. G. W. Sears, Acta. Met., 1955, 4 361.
39. W. I. Park, D. H. Kim, S.-W. Jung, Gyu-Chul Yi, Appl. Phys. Lett., 2002, 80, 4232.
40. C. C. Chen, C. C. Yeh, Adv. Mater., 2000, 12, 738.
41. Z. G. Bai, D. P. Yu, H. Z. Zhang, Y. Ding, X. Z. Gai, Q. L. Hang, G. C. Xiong, S. Q. Feng, Chem. Phys. Lett., 1999, 303, 311.
42. Y. Wu, P. Yang, Chem. Mater., 2000, 12, 605.
43. Tokumoto, M. S.; Pulcinelli, S. H.; Santilli, C. V.; Briois, V. Phys. Chem. B, 2003, 107, (2), 568-574.
44. Z. W. Pan, Z. R. Dai, Z. L. Wang, Science, 2001, 291, 5510, 1947.
45. Lu, C. H.; Yeh, C. H., Ceram. Inter., 2000, 26, 351-357.
46. Noshir, P. S.; Kathleen, S. J.; Peter, S. C., Phys. Chem. B, 2003, 107, (38), 10412-10415.
47. Guo, M.; Diao, P.; Cai, S. Appli. Surf. Sci., 2005, 249, 71-75.
48. Yi, S. H.; Choi, S. K.; Jang, J. M.; Kim, J. A.; Jung, W. G., Coll.and Interf. Sci., 2007, 313, 705-710.
49. Lu, C. H.; Hwang, W. J.; Godbole, S. V., Mate. Resea. Soc., 2005, 20, (2), 464-471.
50. Lepot, N.; Bael, M. K. V.; Rul, H. V. D.; D''Haen, J.; Peeters, R.; Franco, D.; Mullens, J. Mate. Lett., 2007, 61, 2624-2627.
51. R. G. Pearson, J. Am. Chem. Soc., 1963, 85, 3533.
52. F. Ciardelli, E. Tsuchida, D. Wohrle, Berline: Springer, 1996.
53. Gregor, Ind. Eng. Chem., 1952, 44, 2834.
54. J. Bartulin, H. Zunza, M. L. Parra and B. L. Rivas, Poly. Bulle., 1986, 16, 293.
55. C. C. Wang, C. Y. Chen, C. C. Huang, C. Y. Chen and J. F. Kuo, J. Membr.Sci., 2000, 177.
56. K. A. K. Ebraheem, S. T. Hamdi, React. & Funct. Polym., 1997, 34, 5.
57. A. Denizli, G. Ozkan, M.Y. Arica, J. Appl. Polym. Sci., 2000, 78, 81.
58. C. Y. Chen and C Y. Chen, J. of Appli. Poly. Sci., 2002, 86, 1986.
59. Ha, Y.-H.; Nikolov, N.; Pollack, S. K.; Mastrangelo, J.; Martin, B. D.; Shashidhar, R., Adv. Func. Mate., 2004, 14, (6), 615-622.
60. Kyung, H. H.; Kyung, W. O.; Tae, J. K., Appl. Poly. Sci., 2005, 97, 1326-1332.
61. Jang, J.; Chang, M.; Yoon, H., Adv. Mater., 2005, 17, 1616-1620.
62. S. Vaddiraju, K. K. Gleason, Nanotechnology, 2010, 21, 125503.
63. J. H. Chen, C. A. Dai, W. Y. Chiu, J. Poly. Sci. A., 2008, 46, 1662-1673.
64. 謝閔琪,具 pH 緩衝之導電功能性PEDOT/ZnO 奈米複合薄膜之合成及性質研究,台大化工碩士論文,2008。