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研究生:柯雲龍
研究生(外文):Yung-Long Ko
論文名稱:濺鍍法製造熱電偶運用於絲線銲接過程之溫度量測
論文名稱(外文):Thin-film Thermocouple Fabricated by Sputtering Deposition in Application to Contacted Temperature Measurement during Ultrasonic Wire Bounding
指導教授:何正榮
指導教授(外文):Jeng-Rong Ho
學位類別:碩士
校院名稱:國立中正大學
系所名稱:機械系
學門:工程學門
學類:機械工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2000
畢業學年度:88
語文別:中文
論文頁數:73
中文關鍵詞:薄薄膜熱電偶濺鍍接觸溫度量測超音波銲線
外文關鍵詞:Thin-filmThermocoupleSputteringContactTemperature MeasurementUltrasonic Wire Bounding
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銲線製程為電子封裝流程的一部份,其主要功能是負責元件與元件間的訊號傳遞,因此良好的銲線品質可確保正確且有效的訊號傳遞。依銲線材質的不同,銲線的接合方式可區分為熱壓銲線、熱音波銲線和超音波銲線三種。雖然這三種銲線方式已被使用許久,但對於銲線的接合機理仍有不同的論述,其中有的理論認為:由於金屬表面快速摩擦、生熱,使金屬熔融而產生鍵結;也有認為是因金屬原子具有不飽和電子殼層結構,當其與其它金屬原子互相接觸時,可形成金屬之鍵結結合,且並無達到熔融的狀態。但究竟接合的機理為何,則並無直接的實驗證明。其關鍵在結合過程中表面的溫升,若接合的過程中,溫度足以形成局部的熔化,則銲接過程應為熔化後再凝固的相變化所形成;反之,若溫度上升不足以形成相變化,則其接合機理可能為後者。因此,絲線銲接過程中,接觸面表面溫度的變化情形是推測結合機理的重要依據。
在已有的文獻中,有關絲線與接觸面間的溫度量測結果顯示,溫度不超過80℃;這樣的結果可能肇因於溫度感測器本身的靈敏度不足與尺寸太大。因此,本研究以濺鍍的方式自製較小的熱電偶,藉由自製的小熱電偶重新量測銲線接觸時表面溫度的變化。本研究的自製K-type熱電偶目前的線徑約為80μm。量測結果顯示,溫升可至170℃左右。由此推測再將感測器之尺寸縮小應可更精確地獲得絲線結合過程之表面溫升。
Wire bonding, mainly responsible for electricity and signal delivery among devices, is a critical process in electronic package. Depending on the materials to be connected, the three often-used boding techniques are the thermocompression, ultrasonic, and thermosonic wire bondings. Although these techniques have been used for years, the detailed bonding mechanism is still unclear. Some researchers believed that the boding is due to re-solidification of melting that is induced by heat generation from friction caused by the fast relative motion between wire and metal surface. Others, however, thought the metallic bonding was formed due to free electrons exchanged during fast friction process and no melting occurred. So far no direct experimental evidence is obtainable for the bonding mechanism. The time history of contact temperature is a good indicator for this understanding. During the bonding process, if the contact temperature was higher than the melting temperature, the melting and re-solidification should be a reasonable mechanism. Otherwise, the mechanism could be the latter.
From the literature, the available experimental study showed that the contact surface temperature was about 80oC. This low temperature might be due to using an oversized and insensible temperature sensor. In the present study a thin-film, K-type thermocouple, 80m in width, fabricated by sputtering deposition is used to measure the transient temperature during the bonding process. Result shows that the contact temperature was up to 170oC. Thus it is reasonable to conjecture that contact temperature can be even higher if a more smaller temperature sensor is used.
摘要……………………………………………………………………………Ⅰ
目錄……………………………………………………………………………Ⅳ
表目錄…………………………………………………………………………Ⅶ
圖目錄…………………………………………………………………………Ⅷ
第一章 緒論……………………………………………………………………1
1-1 前言…………………………………………………………………….…1
1-2 研究的目的與動機……………………………………………………….2
1-3 溫度感測器之選用…………………………………………………….....3
第二章 文獻回顧………………………………………………………………6
第三章 量測原理………………………………………………………………11
3-1 熱電偶的基本構造……………………………………………………….11
3-2 熱電偶的工作原理……………………………………………………….12
3-3 濺鍍原理………………………………………………………………….17
3-4 SEM與EDS量測原理…………………………………………………….20
第四章 實驗方法及步驟………………………………………………………23
4-1 實驗之架構……………………………………………………………….23
4-2 實驗儀器與材料………………………………………………………….25
4-3 量測步驟………………………………………………………………….28
4-4 試片的製作……………………………………………………………….29
4-4.1 熱電偶材質之選用………………………………………………..30
4-4.2 遮蔽物之設計圖…………………………………………………..32
4-4.3 熱電偶的濺鍍製作步驟…………………………………………..33
第五章 結果與討論……………………………………………………………35
5-1 T-type熱電偶的量測方面……………………………………………….35
5-1.1 T-type的反應時間………………………………………………….35
5-1.2 電壓與溫度的關係…………………………………………………36
5-1.3 量測結果……………………………………………………………37
5-2 自製熱電偶方面………………………………………………………….41
5-2.1 材質的選擇………………………………………………………..41
5-2.2 自製熱電偶反應時間的計算……………………………………..48
5-2.3 遮蔽物的製作……………………………………………………..49
5-2.4 影響濺鍍品質的參數設定………………………………………..50
5-2.5 自製熱電偶濺鍍過程及成品………………………………………56
5-2.6 自製熱電偶溫度和電壓的關係………………………………….59
5-2.7 自製熱電偶的量測結果………………………………………….60
5-3綜合討論…………………………………………………………..64
第六章 未來研究工作………………………………………………………..69
參考文獻………………………………………………………………………71
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