臺灣博碩士論文加值系統

本研究以薄膜式電晶體型液晶顯示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)廢玻璃混合煉鋼產業之副產品轉爐石(Basic Oxygen Furnace Slag，BOF slag)重量比7:3，添加15 wt% 氧化鎂及15 wt% 氧化鋁以不同粒徑成形：D1(D50:11 μm)、D2(D50:25 μm)、D3(D50:59 μm)及不同持溫時間：0.5小時、1小時、2小時，燒結成玻璃陶瓷。討論粒徑及持溫時間對玻璃陶瓷物理、介電、熱學性質及抗折強度影響，並決定符合絕緣玻璃陶瓷規範之最適熱處理條件。本研究析出晶相為頑火輝石(enstatite，MgSiO3)、鈣長石(anorthite，CaAl2Si2O8)、矽灰石(wollastonite，CaSiO3)及鎂橄欖石(forsterite，Mg2SiO4)。
小粒徑D1及燒結時間2小時，使試樣於較低溫緻密及結晶，且能提升抗折強度；此外，燒結2小時提升D1之抗折強度幅度較D2及D3高。
介電性質影響則分為結晶前與結晶後。結晶前D1因試樣較緻密，介電常數及品質因子(250)較高；但結晶後，不同粒徑之介電常數無差異，約介於9-10，然而品質因子皆大幅下降近80%。隨著溫度上升，高品質因子晶相大量析出後，品質因子才些微上升。於900°C燒結2小時品質因子較0.5及1小時低，推測是燒結2小時產生較多頑火輝石之故，且較多頑火輝石也使熱脹係數相對較高。故延長燒結時間改變晶相強度，而影響玻璃陶瓷性質。
以符合絕緣玻璃陶瓷性質規範而言，最適操作條件為D1燒結900°C，持溫0.5小時，該抗折強度158.8MPa，介電常數10.2，品質因子100.1；燒結2小時雖能提高抗折強度至約200 MPa，但品質因子並不符合。較小粒徑D1具較優良抗折強度及品質因子；而延長燒結時間雖提高抗折強度，但無法提升品質因子。依再利用而言，於廢棄物燒結成玻璃陶瓷，降低粒徑較延長燒結時間更具效益性及應用性。

The study aims to decide the optimal heat treatment for reusing the glass ceramics in insulating. Influence of particle size: D1(D50:11 μm), D2(D50:25 μm), D3(D50:59 μm) and sintering time: 0.5 hour, 1 hour, 2 hours on physical properties, dielectric properties and bending strength are considered. The glass ceramics sintered from TFT-LCD waste glass (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display) mixed BOF slag (Basic Oxygen Furnace Slag) with weight ratios 7:3, adding 15 wt% MgO and 15 wt% Al2O3. The main crystalline are enstatite(MgSiO3), anorthite(CaAl2Si2O8), wollastonite(CaSiO3) and forsterite(Mg2SiO4).
Results show that glass ceramics of D1 and sintering 2 hours ocurr densification, crystallization and higher bending strength at lower temperature.
Before crystallization, dielectric constant and quality factor (Q factor) of D1 is higher because glass ceramics of D1 are much denser. After crystallization, there are no effects of particle size on dielectric constant, but Q factor decreases about 80%. However, as sintering temperature rise and crystalline having high Q factor appear, Q factor increases smoothly. Moreover, longer sintering time causes the occurrence of enstatite, which lead to Q factor drops and coefficient of thermal expansion increase.
On the effect of particle size, D1 performe better in bending strength and Q factor than D2. On sitering time, though longer sintering time lead to higher bending strength, Q factor cannot increase during temperature rising. As a result, D1, 900°C, 0.5hour which have well bending strength 158.8MPa, dielectric constant 10.2 and Q factor 100.1 is the most suitable heat treatment for insulating glass ceramics.
On the aspect of reusing, smaller particle is more effective and economics than longer sintering time.

摘要 I
目錄 III
圖目錄 VI
表目錄 IX
第一章 研究緣起與目的 1
　1.1 研究緣起 1
　1.2 研究目的與內容 2
第二章 文獻回顧 3
　2-1 TFT-LCD 3
　　2-1-1製程 3
　　2-1-2 廢棄物 4
　　2-1-3 廢玻璃之資源再利用 5
　2-2 轉爐石 7
　　2-2-1 轉爐石組成 8
　　2-2-2 轉爐石之資源再利用 9
　2-3 玻璃陶瓷 11
　　2-3-1 廢棄物製成玻璃陶瓷 11
　2-4黏滯燒結機制 14
　　2-3-3 燒結操作因子 15
　2-4 介電性質 20
　　2.4.1 介電常數 20
　　2.4.2 介電損失 21
　2-5 熱膨脹係數 23
第三章 研究設備與方法 25
　3.1 實驗材料 25
　3.2 實驗設備 26
　3.3 實驗流程 28
　3.4 分析方法 30
　　3.4.1 廢棄物成分分析 30
　　3.4.2 熱差分析 30
　　3.4.3 粒徑分析 30
　　3.4.4 晶相鑑定 30
　　3.4.5 微結構觀察 31
　　3.4.6 基本物理性質量測 31
　　3.4.7 介電分析 32
　　3.4.8 抗折強度測試 33
　　3.4.9 熱膨脹分析 34
第四章 結果與討論 35
　4.1 成分分析 35
　4.2 粒徑分析 37
　4.3 熱差分析 38
　4.4 粒徑與燒結時間對晶相析出之影響 39
　4-5 微結構觀察 46
　4.6 粒徑及燒結時間與物理性質之關聯性分析 52
　　4.6.1 視孔隙率 52
　　4.6.2 體密度 55
　　4.6.3 線性收縮 58
　4.7 抗折強度測試 61
　4.8 粒徑及燒結時間對介電性質影響 64
　　4.8.1 介電常數 64
　　4.8.2 品質因子 65
　4.9 熱膨脹係數與晶相之關聯性 69
第五章 結論與建議 71
　5.1 結論 71
　5.2 建議 72
參考文獻 73

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