本論文的目的在建立一套自行設計的PECVD系統，並對系統的性能進行測
試以對系統設計的優缺點有完整的了解及掌握。系統的建立分為(一)反應
氣體管路系統，(二)真空腔體系統， (三)真空抽氣系統，(四)製程控制
箹統，及(五)周邊支援系統等五個部分，分別說明其架構及功能。系統的
測試分為(一)真空度測試，(二)N2電漿放電測試，及 (三)本質a-Si:H薄
膜沈積測試實驗。測試結果分別為(1)系統真空度可達8.4*10-7 torr
，(2)反應氣體導流用的氣流導管，其噴嘴不等距開孔造成薄膜上下的厚
度不均勻，(3)適當的氣流擋板可使氣體之分流平均，改善薄膜厚度的均
勻性，(4)遮蔽電場擋板的位置影響電場的分佈與薄膜厚度的均勻性，以
及(5)薄膜中針孔產生的原因是由真空腔體內黏著力不大的微細粉塵落至
試片表面所造成。本質a-Si:H薄膜沈積測試實驗是將試片分不同位置以厚
度(X)，光、暗電流(Iph、ID)，UV-Vis穿透曲線及FTIR紅外光譜吸收曲線
等作分析比較。
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