臺灣博碩士論文加值系統

本論文是利用體微加工技術，在n-type 矽晶圓上製作出隔膜(Diaphragm)，並於隔膜上利用離子佈植法植入硼以製作壓電阻，壓電阻則佈局成惠司通電橋的形式。當隔膜受到應力後，壓電阻的阻值產生變化，再加上惠司通電橋將其訊號放大，藉由量測其輸出電壓的變化，間接可得知所受的壓力大小。
於隔膜設計方面，為了使元件有良好的靈敏度，故必須同時兼顧隔膜的特性與壓阻體的性質，為了達到此要求，所以本實驗分別利用了氮化矽與複晶矽來製作隔膜，以得知不同材料的隔膜，對感測器靈敏度的影響，並採用單晶矽來做壓阻體，使其經由退火方式，讓受離子佈植破壞後的晶格回復，讓壓阻性質變好，以提升靈敏度。並利用深度尺的設計與等速蝕刻的特性，來控制隔膜的厚度。
在阻擋層的研究方面，使集結式電漿輔助化學氣相沈積系統(PECVD)所長出來的氮化矽薄膜，經由不同溫度的退火，並做蝕刻阻擋測試，利用化學分析電子儀(ESCA)與多功能掃描探針顯微鏡(AFM)，來分析及觀察造成其阻擋蝕刻性質改變的原因。
吾人以佈植的濃度為51013 cm-2來製作壓阻體，分別各置於5m﹑10m﹑15m的隔膜上，比較其靈敏度的變化。

總目錄………………………….……….….Ⅰ
表目錄…………………………………..….Ⅲ
圖目錄………………………….……….….Ⅳ
第一章 緒論………………………………1
第一節 前言…………………………..1
第二節 理論架構…………………...…4
第三節 研究動機…………………..…11
第二章 實驗內容…………………...……13
第一節 實驗設計……………………13
第二節 儀器設備與裝置………..……18
第三節 實驗步驟……………………22
第三章 結果與討論…………………...…29
第一節 壓阻區的離子佈植與退火…….29
第二節 KOH對Si的蝕刻特性……..….32
第三節 蝕刻阻擋層的性質討論………34
第四節 製程問題與改良……………..37
第五節 測量結果……………………38
第四章 結論……………………………..40
參考文獻…………………………………...42

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