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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:高建綱
研究生(外文):Kao Chien-Kang
論文名稱:電漿對雷射鍍類鑽石薄膜之電子場發射所產生的影響
論文名稱(外文):Effect of Plasma-to-film Interaction on Electron Field Emission Properties of Pulsed Laser Doposited Diamond-like Carbon Films
指導教授:賴再興
指導教授(外文):Lai Tzay-Shing
學位類別:碩士
校院名稱:中原大學
系所名稱:應用物理研究所
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1998
畢業學年度:86
語文別:中文
中文關鍵詞:電漿脈衝式雷射沈積法類鑽石薄膜電子場發射
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在本文中,我們利用準分子雷射(excimer laser)鍍膜方法,合成類鑽石(diamond-likeCarbon, DLC)薄膜,研究不同氣體物種(Ar,N_2,O_2)在射頻(radio frequency, RF)系統中產生的電漿,與薄膜表面之間的作用,以探討處理前後,薄膜之物理特性與電特性的改變,進而了解對電子場發射特性的影響。 雷射鍍成之類鑽石薄膜係屬於非晶相(amorphous)結構,含高比例之sp^3鍵結,有別於化學氣相沉積法(CVD)所合成之鑽石薄膜。而sp^3鍵結和sp^2鍵結之比例,與造成電子場發射之電場大小及發射行為間有一定的關係,然而,經由電漿與類鑽石之間的交互作用後,我們以拉曼光譜(Raman Spectrum)及原子力顯微鏡(AFM)來對薄膜作結構分析,結果發現氬電漿(argon plasma),經由離子轟擊造成表面型態(morphology)的轉變,進而改變薄膜的其它特性,而氮電漿(nitrogen plasma)與氧電漿(oxygen plasma)在薄膜表面產生化學作用,使得sp^3與sp^2的比例改變,造成了類鑽石薄膜電子場發射的不同,這些不同取決於電漿密度的變化。並發現類鑽石薄膜的基板(Cr/Si)溫度在200℃時,會有較好的場發射特性(電流密度為45 uA/cm^2,起始電場為7.2 V/um,經電漿處理薄膜表面後,場發射電流密度提升到942 uA/cm^2,而起始電場也下降為6.8 V/um。 由實驗結果,我們可以得到: 1.當雷射鍍鑽石薄膜時,基板溫度在250℃~200℃時,會有較好的電子場發射特性薄膜;且sp^3/sp^2的比值對電子場發射有絕對的影響性。 2.氬電漿會對薄膜造成物理的離子轟擊,氧電漿及氮電漿會在薄膜表面產生化學作用,進而改變薄膜的表面結構,大幅提昇場發射電流密度。  雖然不同電漿對非晶性(amorphous)碳膜,產生不同的表面作用(從AFM可知),但都對其場發射特性有所影響,雖然不清楚真實機制為何,但的確造成了薄膜表面結構上的改變。

We synthesize the diamond-like carbon(DLC) films using pulsed laser deposition(PLD) process. And then post-treat the films using plasma, which is induced by radio frequency(RF). We are going to examine the effect of the plasma-to-film interaction on the physical and electrical properties of the DLC films. The characteristics of plasma; which includes Ar, N_2 or O_2 species, will be systematically varied in order to further understand their influence on electronfield emission. It is known that pulsed laser deposited DLC films contain high sp^3/sp^2 ratio, which significantly influences the electron field emission properties of the DLC films. We expect that plasma-to-film interaction will markedly modify the sp^3/sp^2 ratio and thus pronouncedly alter the field emission properties of thefilms. We systematically examine modifications on the post-treated films using Raman spectroscopy and atomic force microscopy. We found that the argon plasma modifies the characteristics of the DLC films mainly through the ionic bombardment, resulting in significant damage on the DLC films. By contrast, thenitrogen and oxygen-plasma interact with the DLC films chemically such that thesp^3-to-sp^2 bond ratio is altered. The modification on the electron field emission of the DLC films is proportional to the density of the plasma. The DLC/Cr/Si films (0.4 um) deposited at 200℃ possess good emission current density (J_e)=45 uA/cm^2, with turn-on field (E_0)=7.2 V/um, and the emission properties increase to (J_e)_Ar=942 uA/cm^2, with turn-on field (E_0)_Ar=6.8 V/um, after plasma treatment.

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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