臺灣博碩士論文加值系統

為了探討在單晶矽晶片上生長薄氧化矽膜，我們提出一修正的理論模式，以深入分析
薄氧化矽膜在斜坡電壓加壓與固定電流激發下所呈現的特性。此一模式包括下述重要
效應，動態陷阱（即捕捉與釋放電子）效應，撞擊游離引發的正電荷產生效應，以及
由弱點所引發的局部發射效應。利用此模式，可從薄氧化矽膜的斜坡電壓加壓下電流
－電壓測，量數據與固定電流激發下電壓－時間測量數據中獲取重要的物理參數，如
整體陷阱密度，陷阱捕捉截面積，陷阱產生速率，復合捕捉截面積，與介電崩潰電壓
。此外，基於弱點區域可聚集撞擊游離產生之正電荷的假設，此一模式亦可正確的預
測氧化矽膜在固定電流激發下與時間相關的介電崩潰。
此一模式經電腦模擬與分析後指出，若薄氧化矽膜的陷阱效應愈嚴重，則其在斜坡電
壓加壓下的漏電愈小且崩潰電壓愈大，但在固定電流激發下活期愈短。此外，若陷阱
的平均位置愈靠近陽極，正電荷的復合捕捉截面積愈小，或弱點區占有較大的面積，
則薄氧化矽的活期愈長。

目錄
研究生個人資料
口試合格証明
中文摘要
ABSTRACT
ACKNOWLEDGEMENTS
FIGURE CAPTOINS
TABLE CAPTIONS
CHAPTER 1. INTRODUCTION
1-1 Background of Previous Researches
1-2 Organization of the Thesis
CHAPTER 2. THIN THERMAL Sio2 FILMS GROWN ON SILICON SUBSTRATE
2-1 Theoretical Model
2-2 Computer Simulations and Discussions
2-3 Sample Preparations and Measurements
2-4 Experimental Results and Discussions
2-5 Conclusions
CHAPTER 3. THERMAL OXIDE AND NITRIDIZED OXIDE FILMS GROWN ON POLYCRYSTALLINE SILICON
3-1 Theoretical Model
3-2 Computer Simulations and Discussions
3-3 Experimental Procedure and Measurements
3-4 Experimental Results and Computer Simulations
3-5 Conclusions
CHAPTER 4. A NEW MODEL FOR CHARACTERIZING AND SIMULATING THE FLOTOX EEPROM''S
4-1 Theoretical Model
4-2 Computer Simulations and Discussiions
4-3 Experimental Results and Computer Simulations
4-4 Conclusions
CHAPTER 5. SUMMARY
5-1 Major Contributions of the Thesis
5-2 Proposed Future Research
REFERENCES
APPENDIX