[1]Gordon E. Moore, “Cramming more components onto integrated circuits”, Electronics 38 (1965) 114-117.
[2]https://www.ctimes.com.tw/DispArt/tw/Probecard/%E6%B8%AC%E8%A9%A6%E7%B3%BB%E7%B5%B1%E8%88%87%E7%A0%94%E7%99%BC%E5%B7%A5%E5%85%B7/0408041659L5.shtml
[3]http://www.ledinside.com.tw/news/20170417-34096.html
[4]http://www.3dmgame.com/hardware/201507/3510910.html/
[5]莊鴻緯,影響後超臨界二氧化碳電鍍鎳之因子與機械性質之研究,碩士論文,國立台北科技大學製造科技研究所,台北,2013.[6]吳尚祁,台灣半導體產業3D IC技術選擇模式,碩士論文,國立交通大學管理學院科技管理學程,新竹,2012.[7]http://zh.wikipedia.org/wiki/%E4%B8%89%E7%B6%AD%E6%99%B6%E7%89%87
[8]http://www.soccentral.com/results.asp?CatID=488&EntryID=34804
[9]M. Schlesinger and M. Paunovic, Modern Electroplating, Wiley-Interscience, (2000).
[10]http://www.2cm.com.tw/coverstory_content.asp?sn=0902250007
[11]M.I.J. Beale, J.D. Benjamin, M.J. Uren, N.G. Chew and A.G. Cullis, “An experimental and theoretical study of the formation and microstructure of porous silicon”, Journal of Crystal Growth 73 (1985) 622-636.
[12]M.I.J. Beale, N.G. Chew, M.J. Uren, A.G. Cullis and J.D. Benjamin, “Microstructure and formation mechanism of porous silicon”, Applied Physics Letters 46 (1985) 86-88.
[13]蘇癸陽,實用電鍍理論與實際,復文書局,1990.
[14]李鴻年、張紹恭、張炳乾、宋子玉,實用電鍍工藝,國防工業出版社,北京市,1990.
[15]http://www.cc.ntut.edu.tw/~aplab/3_instru/index.php
[16]曾志雄,以複合電鑄製備Co/Al2O3複合鍍層之微結構與磁性研究,南台科技大學機械工程系碩士論文,台北,2006。[17]http://www.omega-hc.com/plating/book4.htm#4.3 硫酸銅鍍浴(Copper Sulfate Baths)
[18]翁崇文,單層 /多層原子晶片的開發與製作應用於物理領域,碩士論文,國立臺北科技大學機電整合研究所,台北,2012.
[19]江典諺,新型智慧型探針卡之製作,碩士論文,國立臺北科技大學機電整合研究所,台北,2014.[20]吳丞祥,以光輔助電化學蝕刻技術結合超臨界電鍍製程製作陣列式微銅柱結構,碩士論文,國立臺北科技大學機電整合研究所,台北,2016.[21]楊聰仁,電鍍鎳與無電鍍鎳實驗,台中市,逢甲大學材料科學與工程學系.