跳到主要內容

臺灣博碩士論文加值系統

::: 網站導覽| 首頁| 關於本站| 聯絡我們| 國圖首頁| 常見問題| 操作說明
English |FB 專頁 |Mobile
  • 一般民眾
  • 研究人員
  • 校院系所及研究生

    功能切換導覽列

  • 論文查詢
  • 排行榜
  • 影音圖像
  • 主題館(另開新視窗)
  • 我的研究室
  • NDLTD查詢(另開新視窗)
(216.73.216.81) 您好！臺灣時間：2025/10/04 04:41
字體大小： 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果 :::

詳目顯示
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁
/1
我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:許孟尹
研究生(外文):Hsu, Meng-Yin
論文名稱:相容於邏輯製程下結合淺溝槽絕緣電阻式隨機存取記憶體之非揮發性靜態隨機存取記憶體
論文名稱(外文):Shallow Trench Isolation Sidewall edge Resistive Random Access Memory Integrated Nonvolatile Static Random Access Memory
指導教授:金雅琴
指導教授(外文):King, Ya-Chin
口試委員:林崇榮、蔡銘進
口試委員(外文):Lin, Chrong Jung、Tsai, Ming-Jinn
口試日期:2017-06-13
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:電子工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2017
畢業學年度:105
語文別:中文
論文頁數:70
中文關鍵詞:半導體記憶體、靜態隨機存取記憶體、電阻式記憶體、邏輯相容
外文關鍵詞:Semiconductor Memory、SRAM、RRAM、Logic Compatible
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:226
  • 評分評分:
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
論文目次隱藏中
參考文獻隱藏中
連結至畢業學校之論文網頁點我開啟連結
註: 此連結為研究生畢業學校所提供，不一定有電子全文可供下載，若連結有誤，請點選上方之〝勘誤回報〞功能，我們會盡快修正，謝謝！
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
  簡易查詢 | 進階查詢 | 熱門排行 | 我的研究室
本系統(Web1)共收集：論文已授權全文：801825 筆、書目與摘要：1500898 筆
目前上線人數：9165 ／ 訪客人次（自99年6月）：742426935 ／ 檢索次數（自99年6月）：6492879989 ／ 指導單位： 教育部
國家圖書館著作權聲明 Copyright © 2010 All rights reserved.
本館地址：100201 臺北市中山南路20號 電話：02-2361-9132 （本系統服務窗口請轉分機 172、870）
本網站最佳瀏覽解析度為 1600 x 900
無障礙網站