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研究生:崔芙潔
研究生(外文):Tsui, Fu-Chieh
論文名稱:從切削泥的回收碳化矽粉末作為燒結基板之研究
論文名稱(外文):A study on recycling silicon carbide powders as a sintering substrate from wire-saw slurry.
指導教授:李英杰李英杰引用關係
指導教授(外文):Lee, Ying-Chieh
口試委員:葉均蔚李勝隆向性一李文熙
口試日期:2017-07-04
學位類別:碩士
校院名稱:國立屏東科技大學
系所名稱:材料工程研究所
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2017
畢業學年度:105
語文別:中文
論文頁數:89
中文關鍵詞:碳化矽基板切削廢液回收
外文關鍵詞:SiCSubstrateCutting waste recycling
相關次數:
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本研究將切削廢液裏之碳化矽有效的再利用於電子產業之高溫燒結承載基板。大量切削廢液主要是含有矽泥的切削油,這些矽泥中含有碳化矽、矽及氧化矽。如果可以有效進行回收,不僅可以有效利用這些廢棄物並減少切削廢液處理的成本,亦能將碳化矽與矽回收再利用來降低對環境的衝擊。高溫燒結承載基板是以回收碳化矽為基板,在表面覆蓋一層釔安定氧化鋯。本實驗利用粉末自體研磨來減少粉末粒徑與銳角,經過造粒後成功將回收的碳化矽粉末製作成基板,碳化矽錠經高溫燒結1400 °C ~ 1550 °C後,分析其顯微結構、相結構、成分分析與熱膨脹率等。然後使用溶膠凝膠法製備SiO2中間層,利用旋轉塗佈法將SiO2凝膠塗佈在碳化矽基材上,塗佈轉速分別為500 rpm、1000 rpm、1500 rpm、2000 rpm,熱處理溫度分別為1050 °C、1200 °C、1350 °C,分析塗佈轉速對塗佈厚度的影響,及熱處理溫度對組成成分與顯微結構之影響。再將ZrO2披覆於碳化矽基板上,再燒結1450 °C使其附著於SiC錠,製作出SiC/ZrO2 複合陶瓷基板。本研究引入SiO2中間層成功改善ZrO2披覆層與碳化矽基板匹配性問題。本實驗亦使用電漿噴塗將ZrO2直接噴塗在碳化矽錠上,去比較傳統噴塗與電漿噴塗ZrO2兩者之間的差異。
In this study, we effectively reused recycling SiC powders which are came from cutting waste oil in the electronics industry. The main purpose is to make recycling SiC powders as high temperature substrates. Waste oil mainly contains silicon mud which includes the silicon carbide, silicon and silicon oxide. If silicon mud can be reused effectively, the treatment cost should be decreased, and environment impacting should be also reduced. High temperature sintering substrate is made by recycling SiC powders, then coating a layer of yttrium stabilized zirconia on the surface. In the experiment, the powders self-grinding were carried out in order to reduce the particle size and the acute angle. After self-grinding, SiC powders were successfully made into a substrate. The SiC disc was sintered at a high temperature from 1400 °C to 1550 °C. The specimens were analyzed such as phase evolution, microstructure, component, thermal expansion rate etc. The SiO2 was coated by sol-gel method as middle layer.We used spin coating to coat the SiO2 sol-gel, spin coating speed is 500 rpm, 1000 rpm, 1500 rpm and 2000 rpm. The middle layer’s heat treatment temperature is 1050 °C, 1200 °C and 1350 °C. The Y-ZrO2 layer was coated on the SiC substrates. SiO2 middle layer was successfully to improve the mismatch between ZrO2 coatings and SiC substrates. In this study, ZrO2 was also sprayed on SiC by using plasma spraying. We compared the difference between the plasma spraying and the spraying.
目錄
摘要 I
Abstract II
誌謝 IV
目錄 V
表目錄 VIII
圖目錄 IX
第 1 章 緒論 1
1.1 前言 1
1.2 研究動機與目的 4
第 2 章 文獻回顧 5
2.1 碳化矽的介紹[11] 5
2.2 氧化鋯的介紹 8
2.2.1 氧化鋯基本性質 8
2.2.2 氧化鋯的應用 10
2.2.3 固相燒結 11
2.2.4 液相燒結 13
2.3 溶膠凝膠法 14
2.3.1 溶膠凝膠法簡介 14
2.3.2 溶膠凝膠法的合成程序 14
2.3.3 金屬醇鹽與醇鹽的水解與縮合反應[22] 15
2.3.4 溶膠凝膠的老化過程 16
2.3.5 溶膠凝膠法的相關應用 16
2.4 薄膜披覆方法 17
2.4.1 浸鍍法 17
2.4.2 旋轉塗佈法 18
2.4.3 噴霧法 18
2.5 電漿噴塗 19
2.5.1 電漿原理 19
2.5.2 電漿熔射[28] 21
第 3 章 實驗方法 24
3.1 實驗材料 24
3.1.1 碳化矽粉末製備 24
3.1.2 氧化矽溶液製備 24
3.1.3 氧化鋯粉末製備 26
3.2 實驗流程 27
3.2.1 碳化矽塊材製備 27
3.2.2 旋轉塗佈中間層SiO2製程 28
3.2.3 傳統噴塗ZrO2複合塊材製程 29
3.2.4 電漿噴塗ZrO2複合塊材製程 29
3.3 實驗設備 30
3.3.1 球磨機 30
3.3.2 手動壓模機 31
3.3.3 旋轉塗佈機 32
3.3.4 傳統噴塗槍 33
3.3.5 電漿噴塗機 34
3.3.6 高溫燒結爐 35
3.4 分析儀器 36
3.4.1 燒結密度分析(體密度) 36
3.4.2 能量分散X射線螢光光譜儀(XRF) 37
3.4.3 熱機械分析儀(Thermo Mechanical Analysis , TMA) 38
3.4.4 X光繞射儀(X-ray diffraction, XRD) 39
3.4.5 掃描式電子顯微鏡 (SEM) 40
3.4.6 雙束型聚焦離子束(DB-FIB) 41
3.4.7 穿透式電子顯微鏡(TEM) 42
3.4.8 維克氏硬度儀 43
3.4.9 熱傳導分析儀 44
第 4 章 結果與討論 45
4.1 SiC粉末分析 45
4.1.1 相結構分析 45
4.1.2 顯微結構 47
4.1.3 熱機械分析儀Thermomechanical Analysis (TMA) 50
4.2 不同燒結溫度對SiC塊材之研究 51
4.2.1 緻密性(體密度) 51
4.2.2 相結構分析 52
4.2.3 顯微結構 53
4.2.4 維克氏硬度 60
4.2.5 熱傳導率分析 61
4.3 中間層(SiO2)塗佈條件之研究 62
4.3.1 轉速對塗佈厚度之影響 62
4.3.2 熱處理溫度對SiO2塗佈層組成成份、顯微結構之影響 65
4.4 噴塗ZrO2塗層之研究 68
4.4.1 中間層披覆厚度對機械性質之影響 68
4.4.2 熱衝擊對相結構、機械性質之影響 72
4.5 電漿噴塗ZrO2塗層之研究 76
4.5.1 披覆厚度對機械性質之影響 76
4.5.2 熱衝擊對相結構、機械性質之影響 80
第 5 章 結論 83
參考文獻 85
作者簡介 89
參考文獻
[1] 聯合新聞網,產經新聞,2016,"太陽能電池廢棄物可煉鋼",台南。
[2] 宋國榮,2011,太陽電池產業晶柱切割製程廢切削液回收研究,碩士論文,國立中央大學,環境工程研究所,桃園。
[3] 林士育,2006,利用竹碳製作碳化矽/金屬複合材料,碩士論文,大同大學,材料工程研究所,台北。
[4] D.J.Lloyd, S.K.Das, C.P.Ballard, and F.Marikar, 1991, "Particulate reinforcement composites pro duced by molten metal mixing in High Perforcement Composites for the 1990’s.", Miner. , Met. Mater. Soc., pp. 33–45.
[5] R.Cheung, 2006, "Silicon carbide microelectromechanical systems for harsh environments.", Imp. Coll. Press., no. 3.
[6] H.Morkc, S.Strite, G. B.Gao, M. E.Lin, B.Sverdlov, and M.Burns, 1994, "Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies.", J. Appl. Phys., vol. 76, no. 3, pp. 1363–1398.
[7] Andrievski, R A, 2009, "Synthesis structure and properties of nanosized silicon carbide.", Rev.Adv.Mater.Sci, vol.22, pp.1–20.
[8] M.Bhatnagar and B. J.Baliga, 1993, "Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for Power Devices.", IEEE Trans. Electron Devices, vol. 40, no. 3, pp. 645–655.
[9] R. C.Garvie, 1965, "The occurrence of metastable tetragonal zirconia as a crystallite size effect.", J. Phys. Chem., vol. 69, no. 4, pp. 1238–1243.
[10] 台灣科敏股份有限公司,2017,"電漿噴塗",Available at : www.versa-tech.com.tw/thermal/kind/thermal_e_kind.asp.
[11] 陳姿樺,2007,製備多孔性碳化矽陶瓷之研究,碩士論文,國立成功大學,資源工程學系,台南。
[12] 黃忠良,1993,工程陶瓷,復漢出版社。
[13] K.Yamada and M.Mohri, 1991, "Properties and applications of silicon carbide", Silicon Carbide Ceram., pp. 13–44.
[14] 石宗鵬,2009,二異丙醚在CeO2/ZrO2觸媒上的分解反應,碩士論文,國立台灣科技大學,化學工程系,台北。
[15] 羅卓卿,2008,應用二氧化鈦及氧化鋯光觸媒還原二氧化碳之研究,博士論文,國立中山大學,環境工程研究所,高雄。
[16] 楊宗銘,2005,正方相氧化鋯多晶體承受張力壓力之循環負載,碩士論文,國立臺灣科技大學,機械工程系,台北。
[17] 陳偉,黃世震,林偉,黃兆新,李成泉,孫吉,2004,「奈米ZrO2基燒結型雙敏元件的研究」,傳感技術學報,第3期,第472-476頁。
[18] 汪建民,1999,陶瓷技術手冊(上),粉末冶金協會。
[19] M.Langlet, M.Burgos, C.Coutier, C.Jimenez, C.Morant, and M.Manso, 2001, "Low temperature preparation of high refractive index and mechanically resistant sol-gel TiO2 films for multilayer antireflective coating applications.", J. Sol-Gel Sci. Technol., vol. 22, no. 1–2, pp. 139–150.
[20] C. J.Brinker, G. C.Frye, A. J.Hurd, and C. S.Ashley, 1991, "Fundamentals of sol-gel dip coating.", Thin Solid Films, vol. 201, no. 1, pp. 97–108.
[21] 江志偉,張莉毓,2009,以三嵌段兩性共聚物輔助溶膠-凝膠法製備介孔二氧化鈰,碩士論文,國立屏東科技大學,機械工程學系,屏東。
[22] X.DuMin, X.Orignac, and R. M.Almeida, 1995, "Striation-Free, Spin-Coated Sol-Gel Optical Films.", J. Am. Ceram. Soc., vol. 78, no. 8, pp. 2254–2256.
[23] 陳慧英,黃定加,朱秦億,1999,「溶膠凝膠法在薄膜製備上之應用」,無機膜之製備與應用專輯,第152–167頁。
[24] 羅文雄,蔡榮輝,鄭岫盈,2003,半導體製造技術,培生教育出版股份有限公司。
[25] S. H.Joo, J. Y.Park, C.-K.Tsung, Y.Yamada, P.Yang, and G. A.Somorjai, 2009, "Thermally stable Pt/mesoporous silica core–shell nanocatalysts for high-temperature reactions.", Nat. Mater., vol. 8, no. 2, pp. 126–131.
[26] 洪昭南,郭有斌,2001,「電漿反應器與原理」,化工技術與電子工業製程專輯,第156-176頁。
[27] B.Eliasson and U.Kogelschatz, 1991, "Nonequilibrium Volume Plasma Chemical Processing.", IEEE Trans. Plasma Sci., vol. 19, no. 6, pp. 1063–1077.
[28] 酈唯誠,李裕文,張為傑,1999,「奈米材料之熔射技術與應用」, 奈米材料與技術專題,工業材料153期,第124-129頁。
[29] 盧玠玲,張莉毓,呂俊成,陳珀璋,2010,「利用溶膠-凝膠法合成奈米介孔五氧化二鉭」,Proceeding Nanometer-Scale Technol. Mater. Symp。
[30] 維基百科,2016,"球磨機",Available at : zh.wikipedia.org/wiki/球磨機。
[31] 廣錸儀器股份有限公司,2016,"手動壓模機",Available at : www.cometech.com.tw/cht/rubber-plastic-testing-machine/QC-601B.html。
[32] 悅民科技股份有限公司,2012,"旋轉塗佈機",Available at : www.younme.com.tw/spin coaters.html。
[33] 百度文庫,2010,"有氣噴塗工具及方法",Available at : wenku.baidu.com/view/fe14650d844769eae009edcc。
[34] 台灣維基,2013,"高溫燒結爐",Available at : www.twwiki.com/wiki/高溫爐。
[35] 維基百科,2017,"密度",Available at : zh.wikipedia.org/wiki/密度。
[36] TechMark Precision Instrument Co., Ltd., 2011, "Principle of Thermal Mechanical Analyzer", Available at : www.techmark-asia.com/document/file/5-do-th1.html.
[37] 國立屏東科技大學研發處貴重儀器中心,"掃描式電子顯微鏡/Scanning Electron Microscope (SEM)",Available at : pic.npust.edu.tw/files/16-1163-20173.php?Lang=zh-tw。
[38] 楊舜傑,2008,聚焦離子束於石英玻璃奈米結構加工之探討,碩士論文,國立中山大學,機械與機電工程學系,高雄。
[39] 維基百科,2017,"維氏硬度試驗",Available at : zh.wikipedia.org/w/index.php?title=%E7%BB%B4%E6%B0%8F%E7%A1%AC%E5%BA%A6%E8%AF%95%E9%AA%8C&oldid=44042552。
[40] 林志朋,溫紹炳,申永輝,陳姿樺,2016,「製備多孔性碳化矽陶瓷之研究」,鑛冶,第94–107頁。
[41] R. A.Andrievski, 2009, "Synthesis, structure and properties of nanosized silicon carbide.", Rev.Adv.Mater.Sci, vol. 22, pp. 1–20.
[42] S.K.Milonjic', L.S.Cerovic', and D.P.Uskokovic', 1999, "Sol-gel synthesis of silicon carbide and silicon nitride powders and their surface properties.", Materials Science of Carbides, Nitrides and Borides, vol. 68, pp. 343–358.
[43] 洪煌生,2016,選修化學(上),康寧泰順書坊,第5章,第三節。
[44] 周秋生,李小斌,熊翔,劉業翔,2000,「SiC材料氧化行為研究進展」,材料科學與工程,第18卷,第3期,第110-114頁。
[45] J.Almer, M.Odén, L.Hultman, and G.Håkansson, 2000, "Microstructural evolution during tempering of arc-evaporated Cr–N coatings.", J. Vac. Sci. Technol. A Vacuum, Surfaces, Film., vol. 18, no. 1, pp. 121–130.
[46] 蔡育源,李英杰,2012,氧化鋯在高溫還源氣氛穩定性之研究,碩士論文,國立屏東科技大學,材料工程所,屏東。
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