臺灣博碩士論文加值系統

本論文主要研究二氧化鈦奈米管的一維結構的條件下，光誘導電子在半導體層的擴散速度和其影響因素。選擇不同長度的二氧化鈦奈米管進行探究，並研究二氧化鈦奈米管的製程、染料吸附量和電解液厚度等變因是否會影響光電子的擴散速率。
首先，在二氧化鈦奈米管的製程實驗中，發現在相同製程條件、奈米管長度相似和染料吸附量相似之下，其光電轉換效率、電子的擴散係數和電子生命期的大小皆為相似，表示本研究的控制變因和再現性佳。其次，在染料吸附量的研究中，發現染料吸附量的增加會導致開路電壓的上升，以及奈米管表面覆蓋率的提高，使得電子生命期增長；但對於電子的擴散速率無明顯影響。再者，在不同電解液厚度的研究中，電解液厚度會影響奈米管上的能態密度分布與提升最低能態，使得電解液厚度的增加會造成開路電壓上升。但是，增加電解液厚度會使染敏電池在450 nm以下的光電轉換效能下降，導致短路電流減小。最後，在不同奈米管長度的研究中，發現當奈米管長度越長時，其能態密度分布曲線變窄。同時奈米管長度增加代表染料吸附量也隨之增加，造成光電子注入二氧化鈦增加，使得最費米能階隨著奈米管長度增加而越接近導帶。費米能階的上升造成光誘導電子從局限能態擴散至導帶的速率增加，因此使得電子擴散速率變快。

For studying the charge transfer process of array titanium oxide’s(ATO) microstructure, we measured measured the photovoltaic parameters with IV, IPCE, transient photocurrent and photovoltage under various TiO₂ tube length. In addition, the effects of dyeloading and thickness of electrolyte of ATO were also investigated.
The diffusion rate and electron lifetimes are almost the same under similar length of TiO₂ tube. The molecular dyeloading desnity on TiO₂ surface influences the open-circuit voltage and electron lifetime, but the dyeloading does not influence the electron diffusion rate. When we modified the thickness of electrolyte, the thickness of electrolyte alters the distribution of density of trapped states and the potential of band edge on TiO₂. However, the thickness of electrolyte does not affect the diffusion rate. According to the prior results, the dyeloading and thickness of electrolyte don’t influence the electron diffusion rate. It is important to realize the dependance of diffusion rate and length of TiO₂ tube when the thick TiO₂ film generates the higher current density. The diffusion rate becomes faster on the longer TiO₂ tube under the same current density.

目錄
摘要 ------------------------------------------------------------------------------------------------- I
Abstract -------------------------------------------------------------------------------------------- II
目錄 ----------------------------------------------------------------------------------------------- III
表目錄 ----------------------------------------------------------------------------------------- ----V
圖目錄 -------------------------------------------------------------------------------------------- VI
第一章 緒論 -------------------------------------------------------------------------------------- 1
1.1. 文獻回顧 -------------------------------------------------------------------------------- 1
1.1.1. 太陽能電池的發展 ----------------------------------------------------------------- 1
1.1.2. 染料敏化太陽能電池的原理 ----------------------------------------------------- 5
1.1.3. 染料敏化太陽能電池的材料 ----------------------------------------------------- 8
1.1.4. 電子在二氧化鈦上傳遞的相關研究 ------------------------------------------ 20
1.1.4.1. 電子在二氧化鈦上的傳遞原理 --------------------------------------------- 20
1.1.4.2. 電子在二氧化鈦上傳遞速率的測量以及分析方法 --------------------- 24
1.1.4.3. 二氧化鈦上化學電容的研究 ------------------------------------------------ 26
1.2. 研究動機 ------------------------------------------------------------------------------ 29
第二章 實驗 ------------------------------------------------------------------------------------ 30
2.1. 實驗儀器設備 ------------------------------------------------------------------------ 30
2.2. 陽極處理製備二氧化鈦奈米管 --------------------------------------------------- 32
2.2.1. 鈦基材前處理 --------------------------------------------------------------------- 32
2.2.2. 以陽極處理法制被二氧化鈦奈米管陣列 ------------------------------------ 32
2.2.3. 二氧化鈦奈米管之後處理 ------------------------------------------------------ 35
2.3. 鉑電極製備 --------------------------------------------------------------------------- 35
2.4. 電解液製備 --------------------------------------------------------------------------- 36
2.5. 光敏染料吸附量之檢測 ------------------------------------------------------------ 36
2.6. 測量 ----------------------------------------------------------------------------------- 37
2.6.1. 電流-電壓特性曲線(I-V curve) ------------------------------------------------ 37
2.6.2. 光電轉換效率(Incident photon-to-current conversion efficiency, IPCE) 37
2.6.3. 瞬態光電流與光電壓測量(Photocurrent and photovoltage transient) --- 38
2.6.4. 化學電容測量 (Chemical Capacirance) -------------------------------------- 41
第三章 結果與討論 -------------------------------------------------------------------------- 43
3.1. ATO製程間的影響 ---------------------------------------------------------------- 44
3.2. 染料吸附量的影響 ----------------------------------------------------------------- 49
3.3. 電解液厚度的影響 ----------------------------------------------------------------- 55
3.4. ATO厚度的影響 ------------------------------------------------------------------- 64
第四章 結論 ----------------------------------------------------------------------------------- 74
第五章 參考文獻 ----------------------------------------------------------------------------- 76

表目錄
表2. 1 二氧化鈦奈米管染料敏化太陽能電池效率測量之電解液配方F’ ......................... 36
表3. 1 對於不同次ATO製程的ATO-DSSC的實驗結果，N719的吸附密度與其相關I-V特性係數。 .................................................................................................................. 46
表3. 2 對於改變染料吸附量的ATO-DSSC的實驗結果，N719的吸附密度與其相關I-V特性係數。 .................................................................................................................. 52
表3. 3 對於改變電解液厚度的ATO-DSSC的實驗結果，N719的吸附密度與其相關I-V特性係數。 .................................................................................................................. 57
表3. 4 電解液厚度與2MM樣品槽的光徑長度比較表。 .................................................... 59
表3. 5 對於改變ATO厚度的ATO-DSSC的實驗結果，N719的吸附密度與其相關I-V特性係數。 .................................................................................................................. 66

圖目錄
圖1. 1 染料敏化太陽能電池工作原理示意圖。15 ................................................................. 6
圖1. 2 AM-1.5G照射下的太陽光譜圖19。 ............................................................................ 9
圖1. 3 以RU金屬為中心的撮合物染料結構，(A)為N3，(B)為N719，(C)為BLACK DYE。TBA= TERT-BUTYLAMMONIUM。23 ............................................................................ 10
圖1. 4 應用於染料敏化太陽能電池的有機染料結構：(A) INDOLINE (9 %)27、(B) PORPHYRIN (7.1 %)28、(C) PHTHALOCYANINE (3.5 %)29、(D) SQUARINE (4.5 %)30、(E) COUMARIN (6.5 %)31與(F) HEMICYANINE (5.2 %)32。 ................................................. 11
圖1. 5 各種製作對電極觸媒層材料的比較35。 .................................................................. 12
圖1. 6 開路電壓的修正策略42。 .......................................................................................... 14
圖1. 7 MEOTAD 結構圖45。 ................................................................................................ 15
圖1. 8 DSSC陽極半導體材料之能階圖46。 ....................................................................... 15
圖1. 9 典型 NP-DSSC示意圖50。 ....................................................................................... 16
圖1. 10一維TIO2奈米結構； (A) WIRE51、(B) TUBE50、(C) ROD56與(D) FIBER56。 .......... 17
圖1. 11 陽極處理 TNT之 SEM顯微結構：(A) 1M H2SO4/ 0.15 WT.% HF水溶液68；(B) 0.5 WT.% NH4F/ GRYCEROL 電解液69。 ................................................................. 18
圖1. 12 背照式NT-DSSC 元件示意圖70。 ........................................................................ 19
圖1. 13 陽極處理法製備 TNT陣列之電化學過程競爭反應示意圖。 ............................. 20
圖1. 14 DSSC中電子在傳遞過程中重要的參數與路徑示意圖75。 ................................. 22
圖1. 15 波長514NM探測雷射照射到電池後電池電流的提升情形。 .............................. 24
圖1. 16 以脈衝雷射微擾所得到的瞬帶電流變化圖，虛線是以擴散方成是擬合的結果，所得的擴散係數分別是(A)10、(B)3.2、(C)4.0×10-5 CM2S-1。84 ............................. 25
圖1. 17 使用輸出電壓可調式雷射所得到的(A)瞬態光電流變化圖，(B) 瞬態光電壓變化圖。 ........................................................................................................................... 26
圖1. 18 奈米結構二氧化鈦電極行為的電子能量示意圖91。 ............................................ 27
圖1. 19 化學電容實驗與擬合結果91。 ................................................................................ 29
圖2. 1 陽極處理製備ATO的實驗裝置示意圖。 ................................................................ 33
圖2. 2 陽極處理定電壓法之電壓參數控制示意圖。 .......................................................... 33
圖2. 3 陽極處理混合法之電壓與電流密度參數控制示意圖。 .......................................... 34
圖2. 4 以定電壓法進行陽極處理之陽極處理時間與ATO厚度的關係圖。 .................... 34
圖2. 5 二氧化鈦奈米管燒結升溫條件 .................................................................................. 35
圖2. 6 瞬態光電流與光電壓測量光路圖(一) ....................................................................... 39
圖2. 7瞬態光電流與光電壓測量光路圖(二) ........................................................................ 40
圖2. 8 瞬態光電流與光電壓對時間的關係圖。(A)與(B)分別為使用脈衝雷射得到的瞬態光電流與光電壓對時間的關係圖，(C)與(D)分別為使用連續波雷射得到的瞬態光電流與光電壓對時間的關係圖。 .................................................................... 41
圖3. 1 不同次奈米管製程的奈米管的實際厚度圖。 .......................................................... 44
圖3. 2 以0.1M NAOH(AQ)脫附不同次奈米管製程的ATO的吸收光譜圖。 ...................... 45
圖3. 3不同次奈米管製程的DSSC的I-V特性曲線圖。 ................................................... 45
圖3. 4 不同次奈米管製程的的DSSC在不同波長下的IPCE圖。 ................................... 46
圖3. 5 不同次奈米管製程的的DSSC在532 NM下的電子流量與光通量的關係圖。 .... 47
圖3. 6 不同次奈米管製程的的DSSC在不同強度的532 NM雷射下的擴散係數與短路電流關係圖。 ............................................................................................................ 48
圖3. 7 不同次奈米管製程的的DSSC在不同強度的532 NM雷射下的擴散係數與光通量關係圖。 ................................................................................................................ 48
圖3. 8 不同次奈米管製程的的DSSC在不同強度的532 NM雷射下的電子生命期與開路電壓關係圖。 ........................................................................................................ 49
圖3. 9 不同染料吸附量的奈米管的實際厚度圖。 ............................................................. 50
圖3. 10 以0.1M NAOH(AQ)脫附不同染料吸附量的ATO的吸收光譜圖。 ....................... 50
圖3. 11 不同染料吸附量的DSSC的I-V 特性曲線圖 ....................................................... 51
圖3. 12 不同染料吸附量的DSSC的開路電壓、短路電流、填充率與效率對染料吸附量的關係圖 ............................................................................................................... 51
圖3. 13 不同染料吸附量的DSSC在不同波長下的光電轉換效率(IPCE)圖。 ................ 53
圖3. 14 不同染料吸附量的DSSC在532 NM下的電子流量與光通量的關係圖。 .......... 53
圖3. 15 不同染料吸附量的DSSC在不同強度的532 NM雷射下的擴散係數與短路電流關係圖。 ................................................................................................................... 54
圖3. 16 不同染料吸附量的DSSC在開路電路時，在不同強度的532 NM雷射下的電子生命期與開路電壓關係圖。 ................................................................................... 55
圖3. 17 不同電解液厚度的DSSC奈米管的實際厚度圖 ................................................... 56
圖3. 18 以0.1M NAOH(AQ)脫附不同電解液厚度的DSSC的奈米管的吸收光譜圖。 ... 56
圖3. 19 不同電解液厚度的DSSC的I-V 特性曲線圖 ....................................................... 57
圖3. 20 不同電解液厚度的DSSC的開路電壓、短路電流、填充率與效率對電解液厚度的關係圖 ............................................................................................................... 58
圖3. 21 模擬不同厚度電解液對光的吸收情形。 ............................................................... 59
圖3. 22 不同電解液厚度的DSSC在不同波長下的光電轉換效率(IPCE)圖 .................... 60
圖3. 23 不同電解液厚度的DSSC在532 NM下的電子流量與光通量的關係圖。 .......... 61
圖3. 24 不同電解液厚度的DSSC在不同強度的532 NM雷射下的擴散係數與短路電流關係圖。 ................................................................................................................... 61
圖3. 25 不同電解液厚度的DSSC電容與開路電壓的關係圖。 ....................................... 62
圖3. 26 不同電解液厚度的DSSC在不同強度的532 NM雷射下的電子生命期與開路電壓關係圖。 ............................................................................................................... 63
圖3. 27 不同電解液厚度的DSSC電子生命期與電容的關係圖。 ................................... 64
圖3. 28 不同奈米管管長的DSSC奈米管的實際厚度圖。 ................................................ 65
圖3. 29 以0.1M NAOH(AQ)脫附不同厚度的ATO的吸收光譜圖。.................................. 65
圖3. 30 不同ATO厚度的DSSC的I-V 特性曲線圖 .......................................................... 66
圖3. 31 不同ATO厚度的DSSC的染料吸附量、開路電壓、短路電流密度，填充率以及效率對奈米管長度的關係圖。 ............................................................................ 67
圖3. 32 不同ATO厚度的DSSC在532 NM下的電子流量與光通量的關係圖。 ............ 68
圖3. 33 不同ATO厚度的DSSC在不同強度的532 NM雷射下的擴散係數與短路電流關係圖 ............................................................................................................................ 68
圖3. 34 不同ATO厚度的DSSC在不同強度的532 NM雷射下的擴散係數與短路電流的相關參數與ATO厚度的關係圖。 ...................................................................... 69
圖3. 35 不同ATO厚度的DSSC電容與開路電壓的關係圖。 .......................................... 70
圖3. 36 借用阿瑞尼斯公式表示電子從表面態釋放到導帶而傳到外電路的示意圖。 .... 70
圖3. 37 不同ATO厚度的DSSC在不同強度的532 nm雷射下的擴散係數與開路電壓關係圖。………………………………………………………………………………… 71
圖3. 38 不同ATO厚度的DSSC在不同強度的532雷射下的擴散係數與電容關係圖。 .................................................................................................................................... 72
圖3. 39 不同ATO厚度的DSSC在不同強度的532 NM雷射下傳遞時間與電子生命期的比值與光通量的關係圖。 ........................................................................................ 72

(1)Sorensen, B.; Press: 1979.
(2)Winter, C.; Sizmann, R.; Vant-Hull, L. Solar power plants; Springer New York, 1991.
(3)Becquerel, E.; Sci: 1839.
(4)Morin, F. J.; Maita, J. P. Physical Review 1954, 96, 28.
(5)Zhao, J. H.; Wang, A. H.; Green, M. A.; Ferrazza, F. Applied Physics Letters 1998, 73, 1991.
(6)Schultz, O.; Glunz, S.; Goldschmidt, J.; Lautenschlager, H.; Leimenstoll, A.; Schneiderlochner, E.; Willeke, G. 2004.
(7)King, R.; Sherif, R.; Kinsey, G.; Kurtz, S.; Fetzer, C.; Edmondson, K.; Law, D.; Cotal, H.; Krut, D.; Ermer, J. cell 2005, 30, 40.
(8)Meier, J.; Spitznagel, J.; Kroll, U.; Bucher, C.; Fay, S.; Moriarty, T.; Shah, A. Thin Solid Films 2004, 451, 518.
(9)Britt, J.; Ferekides, C. Applied Physics Letters 1993, 62, 2851.
(10)Wu, X. Solar Energy 2004, 77, 803.
(11)Shay, J.; Wagner, S.; Bettini, M.; Bachmann, K.; Buehler, E. IEEE Transactions on Electron Devices 1977, 24, 483.
(12)Contreras, M.; Ramanathan, K.; AbuShama, J.; Hasoon, F.; Young, D.; Egaas, B.; Noufi, R. Progress in Photovoltaics: Research and Applications 2005, 13, 209.
(13)Park, S. H.; Roy, A.; Beaupre, S.; Cho, S.; Coates, N.; Moon, J. S.; Moses, D.; Leclerc, M.; Lee, K.; Heeger, A. J. Nat. Photonics 2009, 3, 297.
(14)Snaith, H. J.; Zakeeruddin, S. M.; Schmidt-Mende, L.; Klein, C.; Gratzel, M. Angew. Chem.-Int. Edit. 2005, 44, 6413.
(15)李陸玲; 陳建仲; 刁維光 台灣化學工程學會會刊 2009, 56, 3.
(16)Martinson, A. B. F.; Hamann, T. W.; Pellin, M. J.; Hupp, J. T. Chem.-Eur. J. 2008, 14, 4458.
(17)Gratzel, M. Inorg. Chem. 2005, 44, 6841.
(18)Papageorgiou, N. Coord. Chem. Rev. 2004, 248, 1421.
(19)Robertson, N. Angew. Chem.-Int. Edit. 2008, 47, 1012.
(20)Chiba, Y.; Islam, A.; Watanabe, Y.; Komiya, R.; Koide, N.; Han, L. Y. Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 - Lett. Express Lett. 2006, 45, L638.
(21)Nazeeruddin, M. K.; De Angelis, F.; Fantacci, S.; Selloni, A.; Viscardi, G.; Liska, P.; Ito, S.; Takeru, B.; Gratzel, M. G. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 16835.
(22)Nazeeruddin, M. K.; Pechy, P.; Renouard, T.; Zakeeruddin, S. M.; Humphry-Baker, R.; Comte, P.; Liska, P.; Cevey, L.; Costa, E.; Shklover, V.; Spiccia, L.; Deacon, G. B.; Bignozzi, C. A.; Gratzel, M. J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 1613.
(23)Robertson, N. Angew. Chem.-Int. Edit. 2006, 45, 2338.
(24)Argazzi, R.; Iha, N. Y. M.; Zabri, H.; Odobel, F.; Bignozzi, C. A. Coord. Chem. Rev. 2004, 248, 1299.
(25)Sauve, G.; Cass, M. E.; Doig, S. J.; Lauermann, I.; Pomykal, K.; Lewis, N. S. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 3488.
(26)Renouard, T.; Fallahpour, R. A.; Nazeeruddin, M. K.; Humphry-Baker, R.; Gorelsky, S. I.; Lever, A. B. P.; Gratzel, M. Inorg. Chem. 2002, 41, 367.
(27)Ito, S.; Zakeeruddin, S. M.; Humphry-Baker, R.; Liska, P.; Charvet, R.; Comte, P.; Nazeeruddin, M. K.; Pechy, P.; Takata, M.; Miura, H.; Uchida, S.; Gratzel, M. Advanced Materials 2006, 18, 1202.
(28)Campbell, W. M.; Jolley, K. W.; Wagner, P.; Wagner, K.; Walsh, P. J.; Gordon, K. C.; Schmidt-Mende, L.; Nazeeruddin, M. K.; Wang, Q.; Gratzel, M.; Officer, D. L. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 11760.
(29)Cid, J. J.; Yum, J. H.; Jang, S. R.; Nazeeruddin, M. K.; Ferrero, E. M.; Palomares, E.; Ko, J.; Gratzel, M.; Torres, T. Angew. Chem.-Int. Edit. 2007, 46, 8358.
(30)Yum, J. H.; Walter, P.; Huber, S.; Rentsch, D.; Geiger, T.; Nuesch, F.; De Angelis, F.; Gratzel, M.; Nazeeruddin, M. K. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 10320.
(31)Wang, Z. S.; Cui, Y.; Hara, K.; Dan-Oh, Y.; Kasada, C.; Shinpo, A. Advanced Materials 2007, 19, 1138.
(32)Chen, Y. S.; Li, C.; Zeng, Z. H.; Wang, W. B.; Wang, X. S.; Zhang, B. W. Journal of Materials Chemistry 2005, 15, 1654.
(33)Papageorgiou, N.; Maier, W.; Gratzel, M. Journal of the Electrochemical Society 1997, 144, 876.
(34)Hauch, A.; Georg, A. Electrochimica Acta 2001, 46, 3457.
(35)Suzuki, K.; Yamaguchi, M.; Kumagai, M.; Yanagida, S. Chemistry Letters 2003, 32, 28.
(36)Hoshikawa, T.; Yamada, M.; Kikuchi, R.; Eguchi, K. Journal of the Electrochemical Society 2005, 152, E68.
(37)Fang, X. M.; Ma, T. L.; Akiyama, M.; Guan, G. Q.; Tsunematsu, S.; Abe, E. Thin Solid Films 2005, 472, 242.
(38)Hoshikawa, T.; Yamada, M.; Kikuchi, R.; Eguchi, K. Journal of Electroanalytical Chemistry 2005, 577, 339.
(39)Saito, Y.; Kitamura, T.; Wada, Y.; Yanagida, S. Chemistry Letters 2002, 1060.
(40)Clifford, J. N.; Palomares, E.; Nazeeruddin, M. K.; Gratzel, M.; Durrant, J. R. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 6561.
(41)Peter, L. M. Physical Chemistry Chemical Physics 2007, 9, 2630.
(42)Hamann, T. W.; Jensen, R. A.; Martinson, A. B. F.; Van Ryswyk, H.; Hupp, J. T. Energy & Environmental Science 2008, 1, 66.
(43)Wang, P.; Zakeeruddin, S. M.; Moser, J. E.; Nazeeruddin, M. K.; Sekiguchi, T.; Gratzel, M. Nat. Mater. 2003, 2, 402.
(44)Nusbaumer, H.; Zakeeruddin, S. M.; Moser, J. E.; Gratzel, M. Chem.-Eur. J. 2003, 9, 3756.
(45)Snaith, H. J.; Schmidt-Mende, L. Advanced Materials 2007, 19, 3187.
(46)Gratzel, M. Nature 2001, 414, 338.
(47)Gao, F. F.; Wang, Y.; Zhang, J.; Shi, D.; Wang, M. K.; Humphry-Baker, R.; Wang, P.; Zakeeruddin, S. M.; Gratzel, M. Chemical Communications 2008, 2635.
(48)Gao, F.; Wang, Y.; Shi, D.; Zhang, J.; Wang, M. K.; Jing, X. Y.; Humphry-Baker, R.; Wang, P.; Zakeeruddin, S. M.; Gratzel, M. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 10720.
(49)Cao, Y. M.; Bai, Y.; Yu, Q. J.; Cheng, Y. M.; Liu, S.; Shi, D.; Gao, F. F.; Wang, P. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 6290.
(50)Jennings, J. R.; Ghicov, A.; Peter, L. M.; Schmuki, P.; Walker, A. B. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 13364.
(51)Law, M.; Greene, L.; Johnson, J.; Saykally, R.; Yang, P. Nat. Mater. 2005, 4, 455.
(52)Zukalova, M.; Zukal, A.; Kavan, L.; Nazeeruddin, M. K.; Liska, P.; Gratzel, M. Nano Letters 2005, 5, 1789.
(53)Mor, G. K.; Shankar, K.; Paulose, M.; Varghese, O. K.; Grimes, C. A. Nano Letters 2006, 6, 215.
(54)Zhu, K.; Neale, N.; Miedaner, A.; Frank, A. Nano Lett 2007, 7, 69.
(55)Liu, B.; Aydil, E. S. J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 3985.
(56)Fujihara, K.; Kumar, A.; Jose, R.; Ramakrishna, S.; Uchida, S. Nanotechnology 2007, 18.
(57)Hoyer, P. Langmuir 1996, 12, 1411.
(58)Kasuga, T.; Hiramatsu, M.; Hoson, A.; Sekino, T.; Niihara, K. Langmuir 1998, 14, 3160.
(59)Kasuga, T.; Hiramatsu, M.; Hoson, A.; Sekino, T.; Niihara, K. Advanced Materials 1999, 11, 1307.
(60)Mor, G. K.; Varghese, O. K.; Paulose, M.; Shankar, K.; Grimes, C. A. Solar Energy Materials and Solar Cells 2006, 90, 2011.
(61)Wang, H.; Yip, C. T.; Cheung, K. Y.; Djurisic, A. B.; Xie, M. H.; Leung, Y. H.; Chan, W. K. Applied Physics Letters 2006, 89.
(62)Shankar, K.; Mor, G.; Prakasam, H.; Yoriya, S.; Paulose, M.; Varghese, O.; Grimes, C. Nanotechnology 2007, 18, 065707.
(63)Chen, C. C.; Chung, H. W.; Chen, C. H.; Lu, H. P.; Lan, C. M.; Chen, S. F.; Luo, L.; Hung, C. S.; Diau, E. W. G. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 19151.
(64)Park, J. H.; Lee, T. W.; Kang, M. G. Chemical Communications 2008, 2867.
(65)Chen, Q. W.; Xu, D. S. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 6310.
(66)Gong, D.; Grimes, C. A.; Varghese, O. K.; Hu, W. C.; Singh, R. S.; Chen, Z.; Dickey, E. C. Journal of Materials Research 2001, 16, 3331.
(67)Beranek, R.; Hildebrand, H.; Schmuki, P. Electrochemical and solid-state letters 2003, 6, B12.
(68)Macak, J. M.; Tsuchiya, H.; Schmuki, P. Angew. Chem.-Int. Edit. 2005, 44, 2100.
(69)Macak, J. M.; Tsuchiya, H.; Taveira, L.; Aldabergerova, S.; Schmuki, P. Angew. Chem.-Int. Edit. 2005, 44, 7463.
(70)Paulose, M.; Shankar, K.; Varghese, O. K.; Mor, G. K.; Hardin, B.; Grimes, C. A. Nanotechnology 2006, 17, 1446.
(71)Ryvkin, S. Photoelectric effects in semiconductors; Consultants Bureau, 1964.
(72)Cao, F.; Oskam, G.; Meyer, G. J.; Searson, P. C. Journal of Physical Chemistry 1996, 100, 17021.
(73)Sodergren, S.; Hagfeldt, A.; Olsson, J.; Lindquist, S. E. Journal of Physical Chemistry 1994, 98, 5552.
(74)Finklea, H. Semiconductor electrodes; Elsevier Science Ltd, 1988.
(75)Van de Lagemaat, J.; Park, N.; Frank, A. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 2044.
(76)Schwarzburg, K.; Willig, F. Applied Physics Letters 1991, 58, 2520.
(77)Schmidlin, F. W. Physical Review B 1977, 16, 2362.
(78)Schlichthorl, G.; Huang, S.; Sprague, J.; Frank, A. Journal of Physical Chemistry B-Condensed Phase 1997, 101, 8141.
(79)Nelson, J. Physical Review B 1999, 59, 15374.
(80)Kopidakis, N.; Schiff, E.; Park, N.; Van De Lagemaat, J.; Frank, A. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 3930.
(81)Schlichthorl, G.; Park, N.; Frank, A. J. Phys. Chem. B 1999, 103, 782.
(82)Duffy, N.; Peter, L.; Wijayantha, K. Electrochemistry Communications 2000, 2, 262.
(83)Solbrand, A.; Lindstrom, H.; Rensmo, H.; Hagfeldt, A.; Lindquist, S.; Sodergren, S. J. Phys. Chem. B 1997, 101, 2514.
(84)Nakade, S.; Kubo, W.; Saito, Y.; Kanzaki, T.; Kitamura, T.; Wada, Y.; Yanagida, S. Journal of Physical Chemistry B-Condensed Phase 2003, 107, 14244.
(85)Nakade, S.; Kanzaki, T.; Wada, Y.; Yanagida, S. Langmuir 2005, 21, 10803.
(86)Fabregat-Santiago, F.; Garcia-Belmonte, G.; Bisquert, J.; Zaban, A.; Salvadors, P. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 334.
(87)Zaban, A.; Meier, A.; Gregg, B. J. Phys. Chem. B 1997, 101, 7985.
(88)Fabregat-Santiago, F.; Mora-Sero, I.; Garcia-Belmonte, G.; Bisquert, J. J. Phys. Chem. B 2003, 107, 758.
(89)Roest, A.; Kelly, J.; Vanmaekelbergh, D.; Meulenkamp, E. Physical review letters 2002, 89, 36801.
(90)Buttiker, H. Physics Letters A 1993, 180, 364.
(91)Bisquert, J. Physical Chemistry Chemical Physics 2003, 5, 5360.