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研究生:朱敏丹
研究生(外文):Min-Tan Chu
論文名稱:半導體設備之微汙染防制產品績效模式探討-以某半導體製造公司為研究對象
論文名稱(外文):Semiconductor equipment of discussion on product performance model (300mm Load Port Purge SubSystem Retrofit Proposal) – A Case Study on One Company
指導教授:何應欽何應欽引用關係
學位類別:碩士
校院名稱:國立中央大學
系所名稱:工業管理研究所在職專班
學門:商業及管理學門
學類:其他商業及管理學類
論文出版年:2019
畢業學年度:107
語文別:中文
論文頁數:62
中文關鍵詞:半導體設備業自動化產品績效改善微汙染
外文關鍵詞:Semiconductor equipmentPurge sub Systemmicro-contamination
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論文摘要:
隨著經濟全球化的發展,市場的竸爭日益激烈,企業經營已進入微利時代,面臨嚴峻的挑戰。台灣的自動化產業,由於市場經濟規模小,但又必須滿足市場對於不同自動化應用的需求,在此種少量多樣化的市場結構下,自動化設備的種類變得更多,因此,在半導體產業與自動化產業結合的設備運用相對繁瑣且更加有挑戰。
如何在研發過程及導入量產後進而提升產品績效就成為令人值得探究的議題。新創型公司成本降低,是需要建立一個系統化的架構,由從多方面思考才能從源頭解決,簡單來說,就是要進行有效的成本控制管理與避免不必要的浪費。
研究中乃以台灣的半導體產業製造廠作背景,探討經一間台灣本土半導體產業中具代表性的個案公司,來進行半導體設備廠之微污染防制產品績效提升的個案研究分析。以期將研究結果推展應用於半導體產業晶圓廠生產線及半導體產業設備廠產品製造生產線,所得結論如下:
(1) 半導體產業自動化設備廠生產線產品績效提升模式持續優化
(2) 半導體產業自動化設備廠研發實驗室與教育訓練強化持續實施。
We provide total solution to retrofit the current 300mm load ports and enables them to have automated purge function.
The retrofit plan proposes achievable mechanical and controlling schemes which requires minimum modification to the existing host equipment and load ports, meanwhile, keeps the functions flexible and expandable.
摘要 vi
目錄 ix
圖目錄 xi
表目錄 xiii
第一章 緒論 1
1.1 研究背景 1
1.2 研究動機 2
1.3 研究目的 3
1.4 研究範圍 4
1.5 論文架構 4
第二章 文獻探討 8
2.1 半導體簡介 8
2.1.1 半導體的物理特性簡介 9
2.1.2 半導體本徵與本徵非差異說明 10
2.2 半導體產業演進與發展 10
2.2.1 金氧半二極體簡介 12
2.2.2 半導體產業演進 13
2.2.3 半導體產業發展 14
2.3 半導體生產製程及設備 16
2.3.1 半導體奈米技術簡介 17
2.4 半導體結合自動化演進 18
2.5 統計方法-實驗設計 18
第三章 個案公司介紹 20
3.1 個案公司簡介 20
3.2 成長歷程 21
3.3 經營理念與企業價值觀 24
3.3.1經營理念 24
3.3.2企業價值觀 24
3.4 主要產品 24
3.5 競爭策略 26
3.6 未來挑戰 26
第四章 個案分析與討論 28
4.1 個案企業現狀與改善目標 28
4.2 企業產品與競爭力 29
4.2.1產業結構與供需 29
4.2.2銷售狀況 29
4.3 個案公司製造部門導入研發同步工程設計 31
4.3.1短、長期業務發展計畫 32
4.3.2未來新產品開發計畫 32
4.3.3生產工廠的品質與成本管理 32
4.4 個案公司導入產品優化績效評估 33
第五章 結論與建議 41
5.1 研究結論 41
5.2 研究貢獻 44
5.3 後續研究的建議 45
中文部份:
1.半導體產業演進與發展,取自:原文網址:https://kknews.cc/zh-tw/tech/nvyva3.html,半導咖啡,2016年。
2.半導體設備產業市場銷售狀況及相關市場資訊,取自:理財網-財經知識庫https://www.moneydj.com/
3.施敏原著,張俊彥譯著¬「半導體元件物理及製作技術」,1996年,高立出版社。
4.流體力學第八版,衣冠君 譯,麥格羅希爾出版,滄海發行,2004年。
5.國立成功大學-會刊12期電子報,高科技廠房,作者:張陸滿,2016年。
6.勞工安全衛生研究報告-奈米微粒作業環境控制技術性能評估,研究主持人:蔡春進、黃正雄,行政院勞工委員會勞工安全衛生研究所,2009年。
7.順序控制,作者:井出萬盛,2012年,瑞昇文化事業股份有限公司出版。
8.網路資料-綠色半導體晶圓廠創新型精確環境設 計與解決無塵室污染物之移除技術,作者:朱良堃,2016年。
9.機械系統設計,主編:余志成,作者:余志成、林其禹、莊華益、曾垂拱、黃世欽、蔡高岳、鄧昭瑞,2004年,高立圖書有限公司出版。
10.積體電路製程及設備技術手冊,作者:張俊彥 教授主編、鄭晃忠 教授審校,經濟部技術處發行、中華民國產業科技發展協進會與中華民國電子材料與元件協會出版,1987年。
英文部分:
1.“Pipe Friction Manual,” Hydraulic Institute, New York, 1961.
2.A.J. Raudkivi and R.A. Callander,”Advanced Fluid Mechanics,” Amold, London, 1975.
3.A.S. Grove, Physics and Technology of Semiconductor Devices, Wiley, New York, 1967.
4.B. A. Bakhmeteff, “The Mechanics of Turbulent Flow, “Princeton University Press, Princeton, 1941.
5.Boothroyd, G., Dewhurst, P.,(1983), Design for Assembly:a designer’s handbook, Boothroyd Dewhurst Inc. Wakerfield, Rhode Islaand.
6.C.Y.Chang, S.M.Sze, ULSI Technology, 1996, McGraw Hill.
7.Crane Company, Flow of Fluids through Valves, Fittings, and Pipe, Tech. Pap. 410, 1979.
8.Design for Assembly Calculator(1986), Westinghouse Productivity and Quality Center, Pittsburgh, PA, USA.
9.G. Stokes, Trans. Camb. Phil. Soc., vol. 8, 1845;vol. 9, 1851.
10.H. Dryden, Reduction of Turbulence in Wind Tunnels, NACA Tech. Rep. 392, 1931.
11.H. L. Langhaar, Steady Flow in the Transition Length of a Straight Tube, J. Appl. Mech., vol. 9, pp. 55-58, 1942.
12.J. C. Hunsaker and B.G. Rightmire, “Engineering Applications of Fluid Mechanics, “McGraw-Hill, New York, 1961.
13.J.R.Chelikowsky and M.L. Cohen, “Nonlocal Pseudoptential Calculations for the Electronic Structure of Eleven Diamond and Zinc-Blende Semiconductors” Phys. Rev., B14, PP.556, 1976.
14.Julius Weisbach,”Die Experimental-Hydraulik,”P. 133, Englehardt, Freiburg, 1855.
15.L. F. Moody, Friction Factors for Pipe Flow, Trans. ASME, November 1944.
16.L. Page “Introduction to Theoretical Physics, “2d ed., pp. 32-36, Van Nostrand, Princeton, N. J., 1935.
17.O. Reynolds, An Experimental Investigation of the Circumstances Which Determine Whether the Motion of Water Shall Be Direct or Sinuous, and of the Laws of Resistance in Parallwl Channels, Trans. R. Soc. Lond., vol.174, 1883.
18.S.M.Sze, VLSI Technology, 1983, McGraw Hill.
19.W.M. Werner, “The work Function Difference of the MOS-System with Aluminum Field Plates and Ploycrystallne Silicon Field Plates,”Solid State Electron., Vol.17, PP.769,1974.
日文部分:
1.機構設計者のための最新機構圖集,作者:日刊工業新聞社,2019年。
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