跳到主要內容

臺灣博碩士論文加值系統

(3.233.242.204) 您好!臺灣時間:2021/09/26 22:26
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果 :::

詳目顯示

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:馬景時
論文名稱:氮化鎵藍色發光二極體透明電極之製作與研究
指導教授:李清庭
指導教授(外文):C.T.Lee
學位類別:碩士
校院名稱:國立中央大學
系所名稱:光電科學研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2001
畢業學年度:89
語文別:中文
論文頁數:62
中文關鍵詞:氮化鎵藍光發光二極體銦錫氧化膜歐姆接觸
外文關鍵詞:GaNblueLEDNiAuITOohmic
相關次數:
  • 被引用被引用:6
  • 點閱點閱:156
  • 評分評分:
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:1
在本篇論文中,我們利用電子槍蒸鍍機,蒸鍍非常薄的鎳/金雙層金屬電極在p型氮化鎵上,在不同的條件下做熱處理,完成歐姆接觸,實驗結果發現,當金屬厚度為25 Å/50 Å,在空氣環境下450oC熱處理,特徵接觸電阻值為8.2 ×10-4Ωcm2,利用氧化的方式,可以使鎳氧化成氧化鎳,有助於歐姆接觸的形成,且氧化鎳可提升穿透率,在470nm,穿透率可提升至73﹪。將上述薄膜應用在氮化鎵發光二極體上,在順向偏壓,電流為20mA時,Vf為3.45伏特,發光波長為470nm,半高寬為34nm,發光強度為0.65mW。
由於薄金屬電極有遮光,及電流不易均勻擴散等缺點,因此我們也研究銦錫氧化膜與p型氮化鎵的接觸,但因為銦錫氧化膜為一n型半導體材料,不易形成歐姆接觸,所以我們亦嘗試加入薄金屬改善其接觸特性。

目 錄
論文摘要………………………………………………………Ⅰ
目錄…………………………………………………………..Ⅱ
圖目……………………………………………………………Ⅲ
第一章 緒論…………………………………….………….1
第二章 傳輸線模型元件及量測分析
2.1歐姆接觸原理…………………………………………….4
2.2 p型氮化鎵的歐姆接觸………………………………...6
2.3傳輸線模型理論………………………………………...8
2.4傳輸線模型元件的製作…………………………………12
2.5實驗結果與討論…………………………………………14
第三章 藍色發光二極體之製作與分析
3.1氮化鎵藍色發光二極體工作原理………………………20
3.2氮化鎵藍色發光二極體元件製程………………………22
3.3氮化鎵藍色發光二極體特性……………………………23
3.4利用銦錫氧化膜避免電流擁擠效應……………………25
3.5實驗結果與討論…………………………………………25
第四章 結論……………………………………………… 27
參考文獻…………………………………………………. 28

1. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994)
2. T. Mukai, D. Morita, and S. Nakamura, J. Cryst. Growth 189/190, 778(1998)
3. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diodes (Springer, Heidelberg, 1997)
4. T. Mukai, H. Narimatsu, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L479 (1998)
5. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T.Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L1332 (1995)
6. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Jpn. J. Appl. Phys., 30, 1998 (1991)
7. G. S. Nakamura, Semicond. Sci. Technol. 14,R27(1999)
8. K. Nakamo, S. Tomiya, M. Ukita, H. Yoshida, S. Itoh, E. Morita, M. Ikeda, and A.Ishibashi, J. Electron Mater., 25, L213(1995)
9. J. I. Pankove, E. A. Miller, and J. E. Berkeyheiser, J. Lumin. 5, 84 (1972)
10. A. Amano, M. Kito, K.Hiramatsu, and I. Akassaki, Jpn. J. Appl. Phys., 28, L2112 (1989)
11. G. K. Reeves and H. B. Harrison, IEEE Electron Dev. Lett., 3, 111 (1982)
12. E. H. Rhoderick and R. H. Williams, Metal-Semiconductor Contacts, Oxford Science Publication
13. H. Kim, J. M. Lee, C. Huh, S. W. Kim, D. J. Kim, S. J. Park, and H. Hwang, Appl. Phys. Lett. 77, 1903 (2000)
14. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, P. L. Koh, M. J. Jou, C. M. Chang, C. C. Liu, and W. C. Hung, Appl. Phys. Lett., 74, 2340 (1999)
15. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, W. C. Chen, C. Y. Chen, C. N. Huang, J. M. Hong, Y. C. Yu, C. W. Wang, and E. K. Lin, J. Appl. Phys., 83, 3172(1998)
16. J. K. Kim, J. H. Je, J. W. Lee, Y. J. Park, T. Kim, I. O. Jung, B. T. Lee, and J. L. Lee, J. Electron Mater., 30, L8(2001)
17. C. Huh, S. W. Kim, H. M. Kim, H. Hwang, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett., 78, 1766 (2001)
18. I. Shalish, Y. Shapira, L. Burstein, and J. Salzman, J. Appl. Phys., 89, 390(2001)
19. J. K. Kim, J. L. Lee, J. W. Lee, Y. J. Park, and T. Kim, Electron. Lett., 35, 1676 (1999)
20. J. K. Kim, J. L. Lee, J. W. Lee, H. E. Shin, Y. J. Park, and K.Tim, Appl. Phys. Lett., 73, 2953 (1998)
21. J. Sun, K. A. Rickert, J. M. Redwing, A. B. Ellis, F. J. Himpsel, T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett., 76, 415 (2000)
22. J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, and K. K. Shih , L. C. Chen, F. R. Chen, and J. J. Kai , J. Appl. Phys. 86, 4491 (1999)
23. L. C. Chin, J. K. Ho, F. R. Chen, J. J. Kai, L. Chang, C. S. Jong, C.C. Chiu, C. N. Huang, and K. K. Shih, Phys. Stat. Sol., (a) 176, 733 (1999)
24. J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, C.Y. Chen, and K. K. Shih, Appl. Phys. Lett., 74, 1275 (1999)
25. L. C. Chin, F. R. Chen, J. J. Kai, L. Chang, J. K. Ho, C. S. Jong, C.C. Chiu, C. N. Huang, and K. K. Shih, J. Appl. Phys. 86, 3826 (1999)
26. C. F. Chu, C. C. Yu, Y. K. Wang, J. Y. Tsai, F. I. Lai, and S. C. Wang, Appl. Phys. Lett., 77, 3423 (2000)
27. B. Menschubg, C. Liu, B. Rauschenbach, K. Kornitzer, and W. Ritter, Mater. Sci. Eng., B 50,105(1997)
28. R. G. Wilson, C. B. Vartuli, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and J. M. Zavada, Solid-State Electron. 38, 1329 (1995)
29. J. C. Zolper, R. G. Wilson, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 68, 1945 (1996)
30. M. Rubin, N. Newman, J. S. Chan, T. C. Fu, and J. T. Ross, Appl. Phys. Lett. 64, 64(1994)
31. L. L. Smith, M. D. Bremser, E. P. Carlson, T. W. Weeks, Jr., Y. Huang, M. J. Kim, R. W. Carpenter, and R. F. Davis, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395,861(1996)
32. T. Kim, M. C. Yoo, and T. Kim, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1061 (1997)
33. L. Zhou, A.T. Ping, F. Khan, A. Osinsky and I. Adesida, Electronic Lett. 36, 91 (2000)
34. K. V. Vassilevski, M. G. Rastegaeva, A. I. Babanin, I. P. Nikitina, and V. A. Dmitriev, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1,38(1996)
35. D. J. King, L. Zang, J. C. Ramer, S. D. Hersee, and L. F. Lerter, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 421 (1997)
36. H. Ishikawa, S. Kobayashi,Y. Kodie, S. Yamasaki, S. Nagai, J. Umezaki, M. Koike, and M. Murakami, J. Appl. Phys. 81, 1315 (1997)
37. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999)
38. D. Qiao, L. S. Yu, S. S. Lau, J. Y. Lin, H. X. Jiang, T. E. Haynes, J. Appl. Phys. 88, 4196 (2000)
39. H. Kawazoe, M. Yasukaws, H. Hyodo, M. Kurita, H. Yanagi and H. Hosono, Nature, 389, 939 (1997)
40. C. T. Lee, and H. W. Kao, Appl. Phys. Lett. 76, 2364 (2000)
41. T. Margalith, O. Buchinsky, D. A. Cohen, A. C.Abare, M. Hansen, S. P. DenBaars, and L. A. Coldren, Appl. Phys. Lett. 74, 3930 (1999)

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
無相關期刊