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研究生:蔡健興
研究生(外文):Tsai, J. S.
論文名稱:半導體中磁電阻效應及電子與電洞的遷移率
論文名稱(外文):The Magnetoresistive Effect and the Mobilities of Electrons and Holes in Semiconductors
指導教授:何侗民
指導教授(外文):Ho. L. T.
學位類別:碩士
校院名稱:淡江大學
系所名稱:物理學系
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
畢業學年度:65
語文別:中文
論文頁數:33
中文關鍵詞:半導體磁電阻效應
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  研究一內稟高電阻率半導體的磁電阻效應,可得出電阻率與電子及電洞漂移遷移率之間的關係。由此關係如測任意電導型式的試樣,即可同時得到電子及電洞的漂移遷移率。P型及n型的鍺單晶體經實驗求得電子與電洞的遷移率。
The magnetoresistive effect on an intrinsic, high-resistivity semiconductor is considered. A relationship between the resistivity and the drift mobilities of electrons and holes is derived. From this relation, the drift mobilities of both electrons and holes can be determined simultaneously in a single measurement using a single sample of either conductivity type. Both p-type and n-type germanium single crystals were measured. The mobilities of electrons and holes were determined.
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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