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研究生:

王繼華

研究生(外文):

Wang, Ji-Hua

論文名稱:

大光腔型砷化鎵∼砷化鎵鋁電射二極體之研製

指導教授:

鄭克勇

指導教授(外文):

Zheng, Ke-Yong

學位類別:

碩士

校院名稱:

國立中正大學

系所名稱:

電機工程研究所

學門:

工程學門

學類:

電資工程學類

論文種類:

學術論文

畢業學年度:

語文別:

中文

中文關鍵詞:

大光腔型砷化鎵、砷化鎵鋁雷射、電機工程

外文關鍵詞:

ELECTRICAL-ENGINEERING

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本研究中，對以液相疊晶法生長GaAs-AlGaAs 半導體雷射晶片所需之各項資料
，作了詳細的探討，並製作了雙異結構型及大光腔型雷射；前者產生雷射光之門檻
電流密度約在0.8 到2KA/cm之間，後者之門檻電流密度則隨光腔的厚度而增加，
當其動作層為0.4μm厚，光腔的厚度在0.9 到1.8μm時，其門檻電流密度約在2 到
7 KA/cm 之間變化。這兩種雷射晶粒作成寬接面接觸時，均可在室溫以脈波操作
。所發出的雷射光波長在0.92－0.94μm 之間。

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